FI(一覧表示)

  • H10F71/00
  • このサブクラスに包含される装置の製造または処理(光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体における,薄膜光起電セルを接続するためのパターニング工程H10F19/33;光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体のための,封緘または容器の製造または処理H10F19/80;輻射線が電流の流れを制御する少なくとも1つの素子を備える,集積装置または複数の装置の組立体,の製造または処理H10F39/00)[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F71/00,100
  • ・光起電装置の製造または処理 HB CC 5F188
  • H10F71/00,120
  • ・・薄膜形成技術に特徴のあるもの HB CC 5F188
  • H10F71/00,122
  • ・・・塗布によるもの HB CC 5F188
  • H10F71/00,124
  • ・・・連続処理によるもの,例.ロール・ツー・ロール HB CC 5F188
  • H10F71/00,140
  • ・・ドーピング方法に特徴のあるもの HB CC 5F188
  • H10F71/00,160
  • ・・基板の機械的加工,例.スライシング,貼り合わせ,剥離 HB CC 5F188
  • H10F71/10
  • ・その装置がアモルファス半導体材料からなるもの[2025.01] HB CC 5F188
    TOP