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H10D8/00	ダイオード（可変容量ダイオードＨ１０Ｄ１／６４；ゲートダイオードＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F087

H10D8/01	・製造または処理［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

H10D8/01@A	整流ダイオード，例．ＰＮダイオード，ＰＩＮダイオード，の製法方法に特徴のあるもの		HB	CC	5F087

H10D8/01@B	・高耐圧化のためのもの		HB	CC	5F087

H10D8/01@S	ショットキーバリアダイオードの製造方法に特徴のあるもの		HB	CC	5F087

H10D8/01@Z	その他のもの		HB	CC	5F087

H10D8/20	・ブレークダウンダイオード，例．アバランシェダイオード［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

H10D8/20@P	パンチスルー型定電圧ダイオード		HB	CC	5F087

H10D8/20@Z	その他のもの		HB	CC	5F087

H10D8/25	・・ツェナーダイオード［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

H10D8/25@S	双方向性のもの		HB	CC	5F087

H10D8/25@C	温度補償をしたもの		HB	CC	5F087

H10D8/25@Z	その他のもの		HB	CC	5F087

H10D8/30	・点接触ダイオード［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

H10D8/40	・トランジットタイムダイオード，例．ＩＭＰＡＴＴダイオードまたはＴＲＡＰＡＴＴダイオード［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

H10D8/50	・ＰＩＮダイオード［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

H10D8/50@C	構造に特徴のあるもの		HB	CC	5F087

H10D8/50@D	・高耐圧化のためのもの		HB	CC	5F087

H10D8/50@E	半導体本体が非単結晶シリコンからなるもの		HB	CC	5F087

H10D8/50@F	半導体本体がシリコン以外のもの		HB	CC	5F087

H10D8/50@G	・半導体本体が有機物からなるもの		HB	CC	5F087

H10D8/50@H	ヘテロ接合を用いたもの		HB	CC	5F087

H10D8/50@J	ライフタイムキラーに関するもの		HB	CC	5F087

H10D8/50@K	複数ダイオードの組合せに関するもの		HB	CC	5F087

H10D8/50@L	集積化に関するもの		HB	CC	5F087

H10D8/50@Z	その他のもの		HB	CC	5F087

H10D8/60	・ショットキーバリアダイオード［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

H10D8/60@F	素子構造		HB	CC	5F087

H10D8/60@M	ショットキー用電極の材料が限定されているもの		HB	CC	5F087

H10D8/60@E	周辺効果の緩和		HB	CC	5F087

H10D8/60@D	半導体本体がシリコン以外のもの		HB	CC	5F087

H10D8/60@Z	その他のもの		HB	CC	5F087

H10D8/70	・トンネル効果ダイオード［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

H10D8/70@F	絶縁層を用いているもの		HB	CC	5F087

H10D8/70@S	超格子構造を用いているもの		HB	CC	5F087

H10D8/70@Z	その他のもの		HB	CC	5F087

H10D8/75	・・トンネル効果ＰＮダイオード，例．エサキダイオード［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

H10D8/80	・ＰＮＰＮダイオード，例．ショックレーダイオードまたはブレークオーバーダイオード［２０２５．０１］		HB	CC	5F087

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