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FI(一覧表示)

  • H10D62/00
    		•  電位障壁を有する装置の半導体本体，またはその領域［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/10
    		•  ・半導体本体の領域の形状，相対的な大きさまたは配置；半導体本体の形状［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/10,101
    		•  ・・耐圧構造 HB CC 5F139
  • H10D62/10,101@M
    		•  溝または傾斜面，例．メサ，ベベル，を形成するもの HB CC 5F139
  • H10D62/10,101@F
    		•  フィールドプレートを用いるもの HB CC 5F139
  • H10D62/10,101@S
    		•  半絶縁性膜，高抵抗膜を用いるもの HB CC 5F139
  • H10D62/10,101@D
    		•  半導体領域に特徴のあるもの，例．不純物濃度，形状，寸法，配置，に特徴のあるもの（Ｒが優先） HB CC 5F139
  • H10D62/10,101@G
    		•  ・ガードリング，電界制限リングを用いるもの HB CC 5F139
  • H10D62/10,101@R
    		•  断面，平面等の曲率を制御するもの HB CC 5F139
  • H10D62/10,101@V
    		•  縦型素子用のもの HB CC 5F139
  • H10D62/10,101@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F139
  • H10D62/10,201
    		•  ・・特殊構造 HB CC 5F121
  • H10D62/10,201@N
    		•  ナノ構造体，例．原子レベル，分子レベルの操作によるもの HB CC 5F121
  • H10D62/10,201@B
    		•  立体型素子，例．球状半導体 HB CC 5F121
  • H10D62/10,201@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F121
  • H10D62/13
    		•  ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流す電極と接続されている半導体領域，例．ソースまたはドレイン領域［２０２５．０１］
    		HB CC 5F121
  • H10D62/17
    		•  ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極と接続されている半導体領域，例．チャネル領域［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/40
    		•  ・結晶構造［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/50
    		•  ・物理的不完全性［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/53
    		•  ・・不完全性が半導体本体の内部にあるもの［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/57
    		•  ・・不完全性が半導体本体の表面にあるもの，例．粗面を有する半導体本体［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/60
    		•  ・不純物の分布または濃度［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/80
    		•  ・材料に特徴のあるもの［２０２５．０１］
    		HB CC 5F121
  • H10D62/81
    		•  ・・量子閉じ込め効果を示す構造のもの，例．単一量子井戸；周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/81@W
    		•  量子井戸 HB CC 5F121
  • H10D62/81@L
    		•  量子細線 HB CC 5F121
  • H10D62/81@D
    		•  量子ドット；量子島 HB CC 5F121
  • H10D62/81@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F121
  • H10D62/815
    		•  ・・・周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの，例．超格子または多重量子井戸［ＭＱＷ］［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/82
    		•  ・・ヘテロ接合［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/822
    		•  ・・・ＩＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．Ｓｉ／Ｇｅヘテロ接合［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/824
    		•  ・・・ＩＩＩーＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ接合［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/826
    		•  ・・・ＩＩーＶＩ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＣｄＴｅ／ＨｇＴｅヘテロ接合［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/83
    		•  ・・ＩＶ族材料であるもの，例．ＢドープＳｉまたはアンドープＧｅ［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/832
    		•  ・・・２つ以上の元素からなるＩＶ族材料であるもの，例．ＳｉＧｅ［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/834
    		•  ・・・さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/84
    		•  ・・セレンまたはテルルのみであるもの［２０２５．０１］
    		HB CC 5F121
  • H10D62/85
    		•  ・・ＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＧａＡｓ［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/852
    		•  ・・・３つ以上の元素からなるＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｓＳｂＰ［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/854
    		•  ・・・さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/86
    		•  ・・ＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＺｎＯ［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/862
    		•  ・・・３つ以上の元素からなるＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＣｄＺｎＴｅ［２０２５．０１］ HB CC 5F121
  • H10D62/864
    		•  ・・・さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］ HB CC 5F121
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