FI(一覧表示)

H10D18/00	サイリスタ［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F005

H10D18/00@A	エミッタ短絡構造		HB	CC	5F005

H10D18/00@B	表面構造，例．パッシベーション，ガードリング，溝		HB	CC	5F005

H10D18/00@V	・傾斜面，例．ベベル，を有するもの		HB	CC	5F005

H10D18/00@W	・平面パターン，例．多島状エミッタ，くしの歯状電極		HB	CC	5F005

H10D18/00@D	Ｔｏｎ特性またはゲート構造		HB	CC	5F005

H10D18/00@X	・トレンチゲート；切込ゲート		HB	CC	5F005

H10D18/00@Y	・両面ゲート		HB	CC	5F005

H10D18/00@E	感光または発光サイリスタ		HB	CC	5F005

H10D18/00@F	ＰＮＰＮ一般		HB	CC	5F005

H10D18/00@G	プレーナ技術または集積化		HB	CC	5F005

H10D18/00@H	逆導通サイリスタ		HB	CC	5F005

H10D18/00@C	逆阻止サイリスタ		HB	CC	5F005

H10D18/00@J	サイリスタ電極構造		HB	CC	5F005

H10D18/00@L	支持体		HB	CC	5F005

H10D18/00@M	静電誘導サイリスタ		HB	CC	5F005

H10D18/00@P	外部素子		HB	CC	5F005

H10D18/00@R	感熱サイリスタ		HB	CC	5F005

H10D18/00@S	感圧サイリスタ		HB	CC	5F005

H10D18/00@T	感磁サイリスタ		HB	CC	5F005

H10D18/00@U	サイリスタ一般		HB	CC	5F005

H10D18/00@Z	その他のもの		HB	CC	5F005

H10D18/01	・製造または処理［２０２５．０１］		HB	CC	5F005

H10D18/01@A	サイリスタの製造のための単一段階工程に特徴のあるもの		HB	CC	5F005

H10D18/01@B	サイリスタの製造のための多段階工程に特徴のあるもの		HB	CC	5F005

H10D18/01@C	・双方向サイリスタのためのもの		HB	CC	5F005

H10D18/01@Z	その他のもの		HB	CC	5F005

H10D18/40	・電界効果によりターンオンするもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F005

H10D18/40@A	ＭＯＳＦＥＴを用いたもの，例．ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＭＣＴ］		HB	CC	5F005

H10D18/40@B	導電度変調，例．ＩＧＢＴモード，を用いたもの，例．Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｓｗｉｔｃｈｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＥＳＴ］		HB	CC	5F005

H10D18/40@C	導電型の異なる複数ＦＥＴを用いたもの，例．Ｂａｓｅ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＢＲＴ］		HB	CC	5F005

H10D18/40@Z	その他のもの		HB	CC	5F005

H10D18/60	・ゲートターンオフサイリスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F005

H10D18/65	・・電界効果によりターンオフするもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F005

H10D18/65@A	ＭＯＳＦＥＴを用いたもの，例．ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＭＣＴ］		HB	CC	5F005

H10D18/65@B	導電度変調，例．ＩＧＢＴモード，を用いたもの，例．Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｓｗｉｔｃｈｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＥＳＴ］		HB	CC	5F005

H10D18/65@C	導電型の異なる複数ＦＥＴを用いたもの，例．Ｂａｓｅ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＢＲＴ］		HB	CC	5F005

H10D18/65@Z	その他のもの		HB	CC	5F005

H10D18/80	・双方向サイリスタ，例．トライアック［２０２５．０１］		HB	CC	5F005

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