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FI(一覧表示)

  • H10D12/00
    		•  電界効果により制御されるバイポーラ装置，例．絶縁ゲートバイポーラトランジスタ［ＩＧＢＴ］［２０２５．０１］
    		HB CC 5F111
  • H10D12/00,101
    		•  ・半導体領域に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@A
    		•  トランジスタセルに特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@B
    		•  ・エミッタ領域 HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@C
    		•  ・ベース領域；ボディ領域 HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@D
    		•  ・・高濃度部；低抵抗部 HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@E
    		•  ・・チャネル部 HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@F
    		•  ・セルを構成する不純物領域等の平面形状または配置パターンに特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@G
    		•  コレクタ領域に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@R
    		•  ・ドリフト領域とコレクタ電極とを部分的に短絡するもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@H
    		•  ドリフト領域に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@J
    		•  ・超接合を有するもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@K
    		•  ・ＪＦＥＴ領域を有するもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@L
    		•  ・ドリフト領域表面に同一導電型で濃度が異なる領域を有するもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@M
    		•  ・ドリフト領域表面に他導電型の領域を有するもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@P
    		•  バッファ層に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@S
    		•  キャリアの引き抜きのための領域を追加したもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@T
    		•  基板の構成材料等に特徴のあるもの，例．化合物半導体を用いたもの，面方位に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,101@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102
    		•  ・電極に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102@G
    		•  ＭＯＳゲート，例．電極，絶縁膜，シールド構造，に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102@A
    		•  ・ゲート電極の形状に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102@B
    		•  ・ゲート絶縁膜の形状に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102@C
    		•  ・ゲートに付帯する導電体，例．ダミーゲート，を有するもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102@S
    		•  エミッタ電極に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102@D
    		•  ・複数層からなるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102@E
    		•  ・形状に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102@F
    		•  ・・コンタクト部が平面でないもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,102@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,103
    		•  ・チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,103@A
    		•  終端領域の耐圧構造に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,103@B
    		•  ・セル領域を囲む不純物領域及び電極を有するもの，例．ガードリング及びフィールドプレートを有するもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,103@C
    		•  ・セル領域を囲む不純物領域を有するもの（Ｂが優先） HB CC 5F111
  • H10D12/00,103@D
    		•  ・セル領域を囲む電極を有するもの（Ｂが優先） HB CC 5F111
  • H10D12/00,103@Q
    		•  配線，パッドまたは実装関係に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,103@R
    		•  分離領域に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,103@S
    		•  複数のトランジスタセルの平面形状または配置パターンに特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,103@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,201
    		•  ・ゲートがプレーナ型でないもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,201@A
    		•  ゲートを溝の内部に形成したもの，例．Ｖ溝型ＭＯＳ［ＶＭＯＳ］，トレンチゲート型ＭＯＳ［ＵＭＯＳ］ HB CC 5F111
  • H10D12/00,201@B
    		•  ・チャネル領域，エミッタ，コレクタ領域を溝の内部に形成したもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,201@C
    		•  ゲートを埋め込み形成したもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,201@D
    		•  ＳＯＩまたはＳＩＭＯＸ技術を利用したもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,201@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,202
    		•  ・動作に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,202@A
    		•  ベース領域にバイアスを印加するもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,202@B
    		•  少数キャリア注入領域をもつもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,202@C
    		•  ＭＯＳ型ＳＩＴ HB CC 5F111
  • H10D12/00,202@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F111
  • H10D12/00,301
    		•  ・横型ＩＧＢＴ HB CC 5F111
  • H10D12/01
    		•  ・製造または処理［２０２５．０１］ HB CC 5F111
  • H10D12/01@A
    		•  不純物領域の形成工程に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/01@B
    		•  ・セルフアライン拡散 HB CC 5F111
  • H10D12/01@C
    		•  ・・ベースウエル中央部の位置の制御 HB CC 5F111
  • H10D12/01@D
    		•  ・・ゲート電極端部の位置の制御，例．側壁酸化 HB CC 5F111
  • H10D12/01@E
    		•  不純物層の成長工程に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/01@F
    		•  絶縁層または導電層の形成工程に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/01@G
    		•  エッチングに特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/01@H
    		•  ライフタイム制御に特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/01@J
    		•  パッシベーションに特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/01@K
    		•  ウエハの貼り合わせに特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/01@L
    		•  検査，測定またはシミュレーションに特徴のあるもの HB CC 5F111
  • H10D12/01@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F111
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