H10P	クラスＨ１０に包含される装置を製造または処理するための一般的な方法または装置［２０２６．０１］
	注［２０２６．０１］ １．このサブクラスはクラスＨ１０に包含される装置，またはその部品，に一般的に適用し得る製造または処理に特に適合する方法または装置を包含する。 ２．以下の点に注意すること： ａ．Ｈ１０Ｂ－Ｈ１０Ｎの単一のサブクラスに包含される，装置，またはその部品，の製造または処理に特に適合する方法または装置は当該サブクラスに分類される。例えば，トランジスタの製造はサブクラスＨ１０Ｄに分類される； ｂ．サブクラスＨ１０Ｗに包含される，装置の一般的なパッケージ，相互接続，コネクタまたは他の構造上の細部の製造または処理に特に適合する方法または装置は，当該サブクラスに分類される。例えば，銅ピラーバンプコネクタの形成はサブクラスＨ１０Ｗに分類される。
	サブクラス内の索引 層，構造または材料の構築 ボンディング　１０／００ 材料の形成　１４／００ 層，構造または材料の加工 イオン注入　３０／００ ドーパントの拡散　３２／００ 電磁輻射線または粒子輻射線の照射　３４／００ ゲッタリング　３６／００ 層，構造または材料の除去 エッチング　５０／００ 研削，ラッピングまたは研磨　５２／００ 切断または分離　５４／００ ディボンディング　５６／００ ウェハまたは基板を複数のチップに個片化するもの，すなわちダイシング　５８／００ その他の製造または処理 洗浄　７０／００ ウェハ，基板または装置の製造または処理中にこれらを取り扱うまたは保持するもの　７２／００ ウェハ，基板または装置の製造または処理中の試験または測定　７４／００ 半導体本体上のマスクの製造または処理　７６／００ ウェハの製造　９０／００ 製造または処理のための他の一般的な方法または装置　９５／００