H10D	無機電気的半導体装置［２０２５．０１］
	注［２０２５．０１］ １．このサブクラスは無機半導体本体を有する電気的半導体装置を包含する。この装置は以下の種類の装置を含む； ・整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適した無機半導体装置，例．トランジスタまたはダイオード； ・電位障壁を有する個々の無機抵抗器またはキャパシタ； ・電位障壁を有さず，他の半導体構成部品との集積に特に適した，個々の抵抗器，キャパシタまたはインダクタ； ・このサブクラスに包含される装置の半導体本体，またはその領域； ・このサブクラスに包含される装置の電極； ・集積装置，例．ＣＭＯＳ集積装置； ・当該装置の製造または処理に特に適した方法または装置 ２．このサブクラスは以下を包含しない。 ・サブクラスＨ１０Ｂに包含される，電子記憶装置； ・サブクラスＨ１０Ｆに包含される，赤外線，可視光，短波長電磁波または粒子線の輻射に感応する半導体装置； ・サブクラスＨ１０Ｈに包含される，電位障壁を有する，発光半導体装置； ・サブクラスＨ１０Ｎに包含される，熱電装置，熱磁気装置，圧電装置，電歪装置，磁歪装置，磁気効果装置，超電導装置またはその他の電気的固体装置； ・グループＨ１０Ｗに包含される，半導体本体または電極以外の構造上の細部 ３．このサブクラスでは，セクションＣの注（３）の周期表中に示されたＩ～ＶＩＩＩ族のシステムが用いられる。
	サブクラス内の索引 個々の装置 抵抗器；キャパシタ；インダクタ　１／００ ダイオード　８／００ バイポーラトランジスタ　１０／００ 電界効果により制御されるバイポーラ装置　１２／００ サイリスタ　１８／００ 電界効果トランジスタ［ＦＥＴ］　３０／００ 電荷転送装置　４４／００ その他の個々の装置　４８／００ 構造上の細部 本体　６２／００ 電極　６４／００ 集積装置；複数の装置の組立体 複数の装置の組立体　８０／００ 半導体層のみを備える半導体基板内または上に形成される集積装置　８４／００ 絶縁性または導電性基板内または上に形成される集積装置　８６／００ 同一基板上のバルク構成部品とＳＯＩまたはＳＯＳ構成部品を備える集積装置　８７／００ ３次元集積装置　８８／００ 集積装置の他の観点　８９／００ このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項　９９／００