| H10P90/00 | このサブクラスの単一のメイングループに包含されないウェハの製造，例．ウェハの補強［２０２６．０１］ |
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注［２０２６．０１］ １．このグループは，その後に内部または上部に半導体装置または固体装置を製造する前のウェハを製造するための多段階工程を包含する。 ２．このグループは半導体のインゴットの単結晶の成長を包含しない，当該単結晶の成長はサブクラスＣ３０Ｂに包含される。 |
この画面は、H10P90/00の説明文、注記/索引を表示しています。
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| H10P90/00 | このサブクラスの単一のメイングループに包含されないウェハの製造，例．ウェハの補強［２０２６．０１］ |
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注［２０２６．０１］ １．このグループは，その後に内部または上部に半導体装置または固体装置を製造する前のウェハを製造するための多段階工程を包含する。 ２．このグループは半導体のインゴットの単結晶の成長を包含しない，当該単結晶の成長はサブクラスＣ３０Ｂに包含される。 |