H01L33/00	光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ１０Ｋ５０／００が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２０１０．０１］
H01L33/00	光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ０１Ｌ５１／５０が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２，８，２０１０．０１］
	１．このグループは，可視光，赤外［ＩＲ］線または紫外［ＵＶ］線を照射する発光ダイオード［ＬＥＤ］またはスーパールミネッセントダイオード［ＳＬＤ］を包含する。 ２．このグループにおいては、ファーストプレイス優先ルールが適用される，すなわち相反する指示がない限り，各階層レベルで分類は最初の適切な箇所に付与する。