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H10P36/00 半導体本体内部のゲッタリング［２０２６．０１］ CC H10P36/20 ・イントリンシックゲッタリング，すなわちシリコン本体内部に存在する酸素を用いて欠陥を熱的に誘起するもの［２０２６．０１］ CC