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このページは、メイングループH10P32/00内の「IPC」を全て表示しています。 |
CC:コンコーダンス |
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| ウェハ，基板または装置の部品の内部での，これらの中への，またはこれらから外部へのドーパントの拡散（材料の形成中に拡散するものＨ１０Ｐ１４／００）［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・半導体本体または半導体層の内部での，これらの中への，またはこれらから外部へのドーパントの拡散［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・・固相と気相の間での拡散［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・・固相の単一の半導体本体または固相の単一の半導体層の内部での拡散；共に固相である異なる半導体本体または半導体層の間の拡散［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・・固相と液相の間での拡散［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・絶縁層のドーピングのためのドーパントの拡散［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・導電層または抵抗層のドーピングのためのドーパントの拡散［２０２６．０１］ | CC |