このページは、メイングループH10P30/00内の「IPC」を全て表示しています。 CC:コンコーダンス IPCセクション選択に戻る 一階層上へ H10P30/00 ウェハ，基板または装置の部品へのイオン注入［２０２６．０１］ CC H10P30/20 ・半導体材料中へのイオン注入，例．ドーピングのためのもの［２０２６．０１］ CC H10P30/22 ・・マスクを用いるもの［２０２６．０１］ CC H10P30/28 ・・アニール工程に特徴のあるもの，例．ドーパントを活性化するためのもの［２０２６．０１］ CC H10P30/40 ・絶縁材料中へのイオン注入［２０２６．０１］ CC TOP
H10P30/00 ウェハ，基板または装置の部品へのイオン注入［２０２６．０１］ CC H10P30/20 ・半導体材料中へのイオン注入，例．ドーピングのためのもの［２０２６．０１］ CC H10P30/22 ・・マスクを用いるもの［２０２６．０１］ CC H10P30/28 ・・アニール工程に特徴のあるもの，例．ドーパントを活性化するためのもの［２０２６．０１］ CC H10P30/40 ・絶縁材料中へのイオン注入［２０２６．０１］ CC