IPC(一覧表示)

  • H10P14/00
  • 材料の形成,例.層またはピラー状に形成[2026.01] CC
  • H10P14/20
  • ・半導体材料の形成[2026.01] CC
  • H10P14/22
  • ・・物理蒸着を用いるもの,例.真空蒸着またはスパッタリング[2026.01] CC
  • H10P14/24
  • ・・化学気相成長[CVD]を用いるもの[2026.01] CC
  • H10P14/26
  • ・・液相堆積を用いるもの[2026.01] CC
  • H10P14/40
  • ・導電材料または抵抗材料の形成[2026.01] CC
  • H10P14/42
  • ・・気体または蒸気を用いるもの[2026.01] CC
  • H10P14/43
  • ・・・化学蒸着,例.化学気相成長[CVD][2026.01] CC
  • H10P14/44
  • ・・・物理気相成長[PVD][2026.01] CC
  • H10P14/45
  • ・・・・スパッタリング[2026.01] CC
  • H10P14/46
  • ・・液体を用いるもの[2026.01] CC
  • H10P14/47
  • ・・・電解析出,すなわち電解めっき;無電解めっき[2026.01] CC
  • H10P14/60
  • ・絶縁材料の形成[2026.01] CC
  • H10P14/61
  • ・・マスクを用いるもの[2026.01] CC
  • H10P14/68
  • ・・有機材料,例.フォトレジスト[2026.01] CC
  • H10P14/69
  • ・・無機材料[2026.01] CC
  • H10P14/692
  • ・・・酸化物,ガラス状酸化物または酸化物系ガラスから成るもの[2026.01] CC
  • H10P14/694
  • ・・・窒化物から成るもの[2026.01] CC
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