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IPC(一覧表示)

  • H10H29/00
    		• グループＨ１０Ｈ２０／００に包含される，少なくとも１つの発光半導体素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/01
    		• ・製造または処理［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/02
    		• ・・ピックアンドプレース工程を用いるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/03
    		• ・・ＬＥＤのマストランスファーを用いるもの，例．液状懸濁物を用いるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/10
    		• ・グループＨ１０Ｈ２０／００に包含される，少なくとも１つの発光半導体構成部品を備える，集積装置（アクティブマトリクス型ＬＥＤディスプレイＨ１０Ｈ２９／３０）［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/14
    		• ・・複数の発光半導体構成部品を備えるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/20
    		• ・グループＨ１０Ｈ２０／００に包含される，少なくとも１つの発光半導体装置を備える，複数の装置の組立体（アクティブマトリクス型ＬＥＤディスプレイＨ１０Ｈ２９／３０）［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/24
    		• ・・複数の発光半導体装置を備えるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/30
    		• ・アクティブマトリクス型ＬＥＤディスプレイ［２０２５．０１］
    		CC
  • H10H29/32
    		• ・・副画素の内部の素子の幾何学的形状または配置に特徴のあるもの，例．ＲＧＢ副画素の内部のトランジスタの配置［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/34
    		• ・・画素の内部の副画素の幾何学的形状または配置に特徴のあるもの，例．ＲＧＢ副画素の相対的配置［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/37
    		• ・・画素を定義するための構造，例．ＬＥＤ間の隔壁［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/39
    		• ・・駆動トランジスタへの画素電極の接続［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/41
    		• ・・駆動トランジスタとＬＥＤ間に形成される絶縁層［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/45
    		• ・・それぞれ上にアクティブ素子を有する２つの基板からなるもの，例．異なる基板上に存在するＬＥＤアレイと駆動回路からなるディスプレイ［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/49
    		• ・・相互接続，例．配線または端子（駆動トランジスタへの画素電極の接続Ｈ１０Ｈ２９／３９）［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/80
    		• ・構造的細部［２０２５．０１］
    		CC
  • H10H29/85
    		• ・・パッケージ［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/851
    		• ・・・波長変換手段［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/852
    		• ・・・封緘［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/853
    		• ・・・・その形状に特徴のあるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/854
    		• ・・・・その材料に特徴のあるもの，例．エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/855
    		• ・・・光の形状を形成する手段，例．レンズ［２０２５．０１］ CC
  • H10H29/856
    		• ・・・・反射手段［２０２５．０１］ CC
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