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H10F77/00	このサブクラスに包含される装置の構造的細部（輻射線が電流の流れを制御する少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，の構造的細部Ｈ１０Ｆ３９／００）［２０２５．０１］	(注)/(索引)	CC
H10F77/10	・半導体本体［２０２５．０１］		CC
H10F77/12	・・活性材料［２０２５．０１］	(注)/(索引)	CC
H10F77/121	・・・セレンのみまたはテルルのみからなるもの［２０２５．０１］		CC
H10F77/122	・・・ＩＶ族の材料のみからなるもの［２０２５．０１］		CC
H10F77/1223	・・・・ドーパントに特徴のあるもの［２０２５．０１］		CC
H10F77/1226	・・・・複数のＩＶ族元素からなるもの，例．ＳｉＣ［２０２５．０１］		CC
H10F77/123	・・・ＩＩ－ＶＩ族の材料のみからなるもの，例．ＣｄＳ，ＺｎＳまたはＨｇＣｄＴｅ［２０２５．０１］		CC
H10F77/124	・・・ＩＩＩ－Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ［２０２５．０１］		CC
H10F77/14	・・半導体本体の形状；半導体本体の内部の半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列［２０２５．０１］		CC
H10F77/16	・・材料の構造，例．結晶構造，膜構造または結晶面の方位［２０２５．０１］		CC
H10F77/162	・・・非単結晶材料，例．絶縁材料に埋め込まれた半導体粒子（Ｈ１０Ｆ７７／１６９が優先）［２０２５．０１］		CC
H10F77/164	・・・・多結晶半導体［２０２５．０１］		CC
H10F77/166	・・・・アモルファス半導体［２０２５．０１］		CC
H10F77/169	・・・金属基板または絶縁基板上の半導体薄膜［２０２５．０１］		CC
H10F77/20	・電極［２０２５．０１］		CC
H10F77/30	・コーティング（粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防ぐための装置Ｈ１０Ｆ７７／８０）［２０２５．０１］		CC
H10F77/40	・光学素子または光学装置（表面テクスチャＨ１０Ｆ７７／７０）［２０２５．０１］		CC
H10F77/42	・・光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたもの，例．光反射手段または集光手段［２０２５．０１］		CC
H10F77/45	・・・波長変換手段，例．ルミネッセント材料，蛍光性集光器またはアップコンバージョン装置を用いることによるもの［２０２５．０１］		CC
H10F77/48	・・・背面反射器［ＢＳＲ］［２０２５．０１］		CC
H10F77/50	・封緘または容器（光起電モジュールのためのものＨ１０Ｆ１９／８０）［２０２５．０１］		CC
H10F77/60	・冷却，加熱，換気または温度変動補償のための装置［２０２５．０１］		CC
H10F77/63	・・光起電セルと直接関連づけられまたは集積された冷却装置，例．光起電セルと直接関連づけられたヒートシンク又は能動冷却のために集積されたペルチェ素子［２０２５．０１］		CC
H10F77/67	・・・光起電セルと直接関連づけられる熱エネルギーを利用するための手段を含むもの，例．集積されたゼーベック素子［２０２５．０１］		CC
H10F77/70	・表面テクスチャ，例．ピラミッド構造［２０２５．０１］		CC
H10F77/80	・粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防止するための装置，例．宇宙応用のため［２０２５．０１］		CC
H10F77/90	・光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたエネルギー蓄積手段，例．光起電セルと集積されたコンデンサ［２０２５．０１］		CC