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IPC(一覧表示)

  • H10F30/00
    		• 個々の輻射線感応半導体装置であって，輻射線が装置を通る電流の流れを制御するもの，例．光検出器［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/10
    		• ・電位障壁を有さず，赤外線，可視光または紫外線の輻射に感応する装置，例．フォトレジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/20
    		• ・電位障壁を有する装置，例．　フォトトランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/21
    		• ・・赤外線，可視光または紫外線の輻射に感応する装置［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/22
    		• ・・・１つのみの電位障壁を有する装置，例．フォトダイオード［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/221
    		• ・・・・電位障壁がＰＮホモ接合であるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/222
    		• ・・・・電位障壁がＰＮヘテロ接合であるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/223
    		• ・・・・電位障壁がＰＩＮ障壁であるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/225
    		• ・・・・電位障壁がアバランシェモードで動作するもの，例．アバランシェフォトダイオード［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/227
    		• ・・・・電位障壁がショットキー障壁であるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/24
    		• ・・・２つのみの電位障壁を有する装置，例．バイポーラフォトトランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/26
    		• ・・・３つ以上の電位障壁を有する装置，例．フォトサイリスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/28
    		• ・・・電界効果作用に特徴のある装置，例．接合型電界効果フォトトランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/282
    		• ・・・・絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］，例．ＭＩＳＦＥＴ［金属－絶縁体－半導体電界効果トランジスタ］フォトトランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/29
    		• ・・超短波の輻射線，　例．Ｘ線，ガンマ線または粒子線，に感応する装置［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/292
    		• ・・・バルク効果輻射線検出器，例．Ｇｅ－Ｌｉ補償ＰＩＮガンマ線検出器［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/295
    		• ・・・表面障壁または浅いＰＮ接合の輻射線検出器，例．表面障壁アルファ粒子検出器［２０２５．０１］ CC
  • H10F30/298
    		• ・・・電界効果作用に特徴のある装置，例．ＭＩＳ型検出器［２０２５．０１］ CC
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