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IPC(一覧表示)

  • H10F10/00
    		• 個々の光起電セル，例．太陽電池（電解型感光装置，例．色素増感太陽電池，Ｈ０１Ｇ９／２０）［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/10
    		• ・電位障壁を有するもの［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/11
    		• ・・点接触の電位障壁を有する光起電セル（Ｈ１０Ｆ１０／１８が優先）［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/12
    		• ・・金属－絶縁体－半導体［ＭＩＳ］の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/13
    		• ・・グレーデッドバンドギャップからなる吸収層を有する光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/14
    		• ・・ＰＮホモ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/142
    		• ・・・複数のＰＮホモ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/144
    		• ・・・ＩＩＩ－Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ，ＡＩＧａＡｓまたはＩｎＰ光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/16
    		• ・・ＰＮヘテロ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/161
    		• ・・・複数のＰＮヘテロ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/162
    		• ・・・ＩＩ－ＶＩ族の材料のみからなるもの，例．ＣｄＳ／ＣｄＴｅ光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/163
    		• ・・・ＩＩＩ－Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓまたはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/164
    		• ・・・ＩＶ族の材料とのヘテロ接合からなるもの，例．ＩＴＯ／ＳｉまたはＧａＡｓ／ＳｉＧｅ光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/165
    		• ・・・・ヘテロ接合が，ＩＶ－ＩＶ族ヘテロ接合であるもの，例．Ｓｉ／Ｇｅ，ＳｉＧｅ／ＳｉまたはＳｉ／ＳｉＣ光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/166
    		• ・・・・・ＩＶ－ＩＶ族ヘテロ接合が，結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合であるもの，例．シリコンヘテロ接合［ＳＨＪ］光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/167
    		• ・・・Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族の材料からなるもの，例．ＣｄＳ／ＣｕｌｎＳｅ２［ＣｌＳ］ヘテロ接合光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/17
    		• ・・ＰＩＮ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/172
    		• ・・・複数のＰＩＮ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/174
    		• ・・・単結晶または多結晶材料からなるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/18
    		• ・・ショットキーの電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ CC
  • H10F10/19
    		• ・・種類の異なる複数の電位障壁を有する光起電セル，例．ＰＮ接合とＰＩＮ接合の両方を有するタンデムセル［２０２５．０１］ CC
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