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このページは、メイングループH10D86/00内の「IPC」を全て表示しています。 |
CC:コンコーダンス |
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| 絶縁性または導電性基板内または上に形成される集積装置，例．ＳＯＩ基板内，またはステンレスもしくはガラス基板上に形成されるもの［２０２５．０１］ | CC | ||
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| ・製造または処理［２０２５．０１］ | CC | ||
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| ・・基板がサファイアからなるもの，例．ＳＯＳ［２０２５．０１］ | CC | ||
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| ・複数の薄膜トランジスタに特徴のあるもの［２０２５．０１］ | CC | ||
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| ・・複数の薄膜トランジスタがアクティブマトリクス中に存在するもの［２０２５．０１］ | CC | ||
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| ・複数の受動構成部品，例．抵抗器，キャパシタまたはインダクタ，に特徴のあるもの［２０２５．０１］ | CC | ||
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| ・・受動構成部品のみに特徴のあるもの［２０２５．０１］ | CC |