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IPC(一覧表示)

  • H10D84/00
    		• 半導体層のみを備える半導体基板内または上，例．Ｓｉウェーハ上またはＳｉウェーハ上のＧａＡｓ上，に形成される集積装置［２０２５．０１］
    		CC
  • H10D84/01
    		• ・製造または処理［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/02
    		• ・・材料に基づく技術を用いることに特徴のあるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/03
    		• ・・・ＩＶ族技術を用いるもの，例．Ｓｉ技術またはＳｉＣ技術［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/05
    		• ・・・ＩＩＩーＶ族技術を用いるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/07
    		• ・・・ＩＩーＶＩ族技術を用いるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/08
    		• ・・・複数の技術の組み合わせを用いるもの，例．Ｓｉ技術とＳｉＣ技術の両方を用いるもの，またはＳｉ技術とＩＩＩーＶ族技術を用いるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/40
    		• ・グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品と，グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品との集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタと絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/60
    		• ・グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/63
    		• ・・縦型バイポーラトランジスタと横型バイポーラトランジスタとの組み合わせ［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/65
    		• ・・集積注入論理［ＩＩＬ］［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/67
    		• ・・相補型バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/80
    		• ・グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/82
    		• ・・電界効果構成部品のみを集積するもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/83
    		• ・・・絶縁ゲート電界効果トランジスタのみを集積するもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/84
    		• ・・・・エンハンスメントモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびデプレッションモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタの組み合わせ［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/85
    		• ・・・・相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＣＭＯＳ［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/86
    		• ・・ショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタを集積するもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/87
    		• ・・ＰＮ接合ゲート電界効果トランジスタを集積するもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D84/90
    		• ・マスタースライス集積回路［２０２５．０１］ CC
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