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IPC(一覧表示)

  • H10D62/00
    		• 電位障壁を有する装置の半導体本体，またはその領域［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/10
    		• ・半導体本体の領域の形状，相対的な大きさまたは配置；半導体本体の形状［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/13
    		• ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流す電極と接続されている半導体領域，例．ソースまたはドレイン領域［２０２５．０１］
    		CC
  • H10D62/17
    		• ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極と接続されている半導体領域，例．チャネル領域［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/40
    		• ・結晶構造［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/50
    		• ・物理的不完全性［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/53
    		• ・・不完全性が半導体本体の内部にあるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/57
    		• ・・不完全性が半導体本体の表面にあるもの，例．粗面を有する半導体本体［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/60
    		• ・不純物の分布または濃度［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/80
    		• ・材料に特徴のあるもの［２０２５．０１］
    		CC
  • H10D62/81
    		• ・・量子閉じ込め効果を示す構造のもの，例．単一量子井戸；周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/815
    		• ・・・周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの，例．超格子または多重量子井戸［ＭＱＷ］［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/82
    		• ・・ヘテロ接合［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/822
    		• ・・・ＩＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．Ｓｉ／Ｇｅヘテロ接合［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/824
    		• ・・・ＩＩＩーＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ接合［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/826
    		• ・・・ＩＩーＶＩ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＣｄＴｅ／ＨｇＴｅヘテロ接合［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/83
    		• ・・ＩＶ族材料であるもの，例．ＢドープＳｉまたはアンドープＧｅ［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/832
    		• ・・・２つ以上の元素からなるＩＶ族材料であるもの，例．ＳｉＧｅ［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/834
    		• ・・・さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/84
    		• ・・セレンまたはテルルのみであるもの［２０２５．０１］
    		CC
  • H10D62/85
    		• ・・ＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＧａＡｓ［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/852
    		• ・・・３つ以上の元素からなるＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｓＳｂＰ［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/854
    		• ・・・さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/86
    		• ・・ＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＺｎＯ［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/862
    		• ・・・３つ以上の元素からなるＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＣｄＺｎＴｅ［２０２５．０１］ CC
  • H10D62/864
    		• ・・・さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］ CC
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