IPC(一覧表示)

  • H10D48/00
  • グループH10D1/00~H10D44/00に包含されない個々の装置[2025.01] CC
  • H10D48/01
  • ・製造または処理[2025.01] CC
  • H10D48/04
  • ・・結合していない形態のセレンまたはテルルからなる本体を有する装置のもの[2025.01] CC
  • H10D48/042
  • ・・・基体板の処理[2025.01] CC
  • H10D48/043
  • ・・・セレンまたはテルルの前処理,基体板への適用,または続いての結合処理[2025.01] CC
  • H10D48/044
  • ・・・・セレンまたはテルルの導電状態への変換[2025.01] CC
  • H10D48/045
  • ・・・・導電性にした後のセレンまたはテルル層の表面処理[2025.01] CC
  • H10D48/046
  • ・・・・絶縁分離層の形成[2025.01] CC
  • H10D48/047
  • ・・・基体板へ適用した後のセレンまたはテルルの露出面への電極の形成[2025.01] CC
  • H10D48/048
  • ・・・完全装置の処理,例.障壁形成のためのエレクトロフォーミングによるもの[2025.01] CC
  • H10D48/049
  • ・・・・エージング[2025.01] CC
  • H10D48/07
  • ・・酸化第一銅[Cu2O]またはヨウ化第一銅[Cul]からなる本体を有する装置のもの[2025.01] CC
  • H10D48/30
  • ・電流または電圧により制御される装置[2025.01] CC
  • H10D48/32
  • ・・整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に与えられる電流または電位のみにより制御される装置[2025.01] CC
  • H10D48/34
  • ・・・バイポーラ装置[2025.01] CC
  • H10D48/36
  • ・・・ユニポーラ装置[2025.01] CC
  • H10D48/38
  • ・・整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に与えられる電流または電位の変化のみにより制御される装置[2025.01] CC
  • H10D48/40
  • ・磁界により制御される装置[2025.01] CC
  • H10D48/50
  • ・機械的力,例.圧力,により制御される装置[2025.01] CC
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