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IPC(一覧表示)

  • H10D30/00
    		• 電界効果トランジスタ［ＦＥＴ］（絶縁ゲートバイポーラトランジスタＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］
    		CC
  • H10D30/01
    		• ・製造または処理［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/40
    		• ・０次元，１次元または２次元キャリアガスチャネルを有する電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/43
    		• ・・１次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．量子細線電界効果トランジスタまたは１次元量子閉じ込めチャネルを有するトランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/47
    		• ・・２次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．ナノリボン電界効果トランジスタまたは高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/60
    		• ・絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/62
    		• ・・フィン電界効果トランジスタ［ＦｉｎＦＥＴ］［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/63
    		• ・・縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／６６が優先）［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/64
    		• ・・二重拡散金属酸化物［ＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/65
    		• ・・・横型ＤＭＯＳ［ＬＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/66
    		• ・・・縦型ＤＭＯＳ［ＶＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/67
    		• ・・薄膜トランジスタ［ＴＦＴ］［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/68
    		• ・・フローティングゲートを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/69
    		• ・・電荷トラッピングゲート絶縁体を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＭＮＯＳトランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/80
    		• ・整流接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/83
    		• ・・ＰＮ接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ CC
  • H10D30/87
    		• ・・ショットキーゲート電極を有する電界効果トランジスタ，例．金属－半導体電界効果トランジスタ［ＭＥＳＦＥＴ］［２０２５．０１］ CC
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