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H10D12/00 電界効果により制御されるバイポーラ装置，例．絶縁ゲートバイポーラトランジスタ［ＩＧＢＴ］［２０２５．０１］ (注)/(索引) CC H10D12/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ CC