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CC:コンコーダンス |
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| 半導体レーザ（スーパールミネッセントダイオードＨ１０Ｈ２０／００）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・マウント，ハウジング［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・ハウジングの形状に特徴があるもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・ＣＡＮ型，例．対称軸に沿ってまたは平行に出射するＴＯ－ＣＡＮハウジング［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・バタフライ型，例．ハウジングから水平方向に延びている電極ピンを有するもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・ハウジングの材料，ハウジングの充填物［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・気体が充填されたハウジング［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・酸素を含む気体，例，光出射面の汚染を防止するため［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・液体が充填されたハウジング［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・樹脂が充填されたハウジング；樹脂製のハウジング［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・汚染を吸収するためのゲッター材［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・光を出力結合するもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・光ファイバを用いるもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・レンズを用いるもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・ビーム偏向要素を用いるもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・窓を用いるもの，例． ハウジング内の検出器に向けて，光を後方に反射させるために，特に適したもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・マウント部材，例．サブマウント部材［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・ステム［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・支持部材，例．ベース，キャリア［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・リードフレーム［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・マウント部材または光学マイクロベンチの上に機械的に集積された要素［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・レーザダイオードと光学要素の相対位置を調整する装置，例．光ファイバまたはレンズを固定するためのマウントの溝［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・レーザチップの取り付けの構成［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・アップサイドアップマウント，例．成長面を上側にしたマウント，又は，接合位置を上側にしたマウント［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・アップサイドダウンマウント，例．フリップ・チップ，成長面を下側にしたマウント，接合位置を下側にしたマウント［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・ワイヤボンディング［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・レーザチップの実装方法［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・マウントへのレーザチップの固定［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・接着剤を用いるもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・締め付けによるもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・ハンダ付けによるもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・レーザチップの位置決め［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・マークを用いるもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・レーザ光をリファレンスとして用いるもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・電気的または光学的素子の組合せ［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・熱的な管理をするための装置［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・モノリシックに集積された複数の構成，例．導波管，モニター用フォトデテクターまたは駆動素子（出力の安定化Ｈ０１Ｓ５／０６）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・コーティング［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・励起方法またはその装置，例．ポンピング（Ｈ０１Ｓ５／０６が優先）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・電気的励起［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・レーザ出力パラメータの制御，例．活性媒質を制御することによるもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・電極に印加する電圧を変えることによるもの（Ｈ０１Ｓ５／０６５が優先）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・多分割レーザにおけるもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・モードロッキング；モード抑制；モード選択［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・レーザ出力パラメータの安定化（Ｈ０１Ｓ５／０６２５が優先）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・光学的な出力パラメータをモニタすることによるもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・・レーザの周波数を安定化させるもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・光共振器の構造または形状［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・フォトニックバンドギャップ構造を含むもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・周期構造を有する共振器，例．分布帰還型レーザ［ＤＦＢレーザ］におけるもの（フォトニックバンドギャップ構造を含むものＨ０１Ｓ５／１１：表面放出型レーザＨ０１Ｓ５／１８）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・分布反射型レーザ［ＤＢＲレーザ］［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・外部共振器型レーザ（Ｈ０１Ｓ５／１８が優先；モードロッキングＨ０１Ｓ５／０６５）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・窓構造レーザ，すなわち活性領域と反射面との間に非吸収材料からなる領域を持つもの（Ｈ０１Ｓ５／１４が優先）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・表面放出型［ＳＥ］レーザ，例．水平共振器と垂直共振器の両方を有するもの［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・垂直共振器のみを有するもの，例．垂直共振器型面発光レーザ［ＶＣＳＥＬ］［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・水平共振器のみを有するもの，例．水平共振器型面発光レーザ［ＨＣＳＥＬ］（フォトニックバンドギャップ構造を含むものＨ０１Ｓ５／１１）［２０２１．０１］ | CC | ||
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| ・・・・ブラッグ反射を用いるもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・半導体本体の光を導波する構造または形状［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・リッジまたはストライプ構造を有するもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・埋込みストライプ構造のもの（Ｈ０１Ｓ５／２２７が優先）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・埋込みメサ構造のもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・溝を有するもの，例．Ｖ溝型［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・活性領域の構造または形状；活性領域に用いられる材料［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・ＰＮ接合からなるもの，例．ヘテロまたはダブルヘテロ構造（Ｈ０１Ｓ５／３４，Ｈ０１Ｓ５／３６が優先）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・Ａ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ族化合物におけるもの，例．ＡｌＧａＡｓレーザ［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・Ａ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ↓Ｉ族化合物におけるもの，例．ＺｎＣｄＳｅレーザ［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・量子井戸または超格子構造を含むもの，例．単一量子井戸型［ＳＱＷ］レーザ，多重量子井戸型［ＭＱＷ］レーザ，傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造［ＧＲＩＮＳＣＨ］レーザ（Ｈ０１Ｓ５／３６が優先）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・Ａ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ族化合物におけるもの，例．ＡｌＧａＡｓレーザ［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・Ａ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ↓Ｉ族化合物におけるもの，例．ＺｎＣｄＳｅレーザ［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・有機材料からなるもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・Ｈ０１Ｓ５／０２～Ｈ０１Ｓ５／３０に分類されない２個以上の半導体レーザの配列（Ｈ０１Ｓ５／５０が優先）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・表面放出型レーザの配列［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・Ｈ０１Ｓ５／０２～Ｈ０１Ｓ５／３０に分類されない増幅器の構造［２００６．０１］ | CC |