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このページは、メイングループH01F10/00内の「IPC」を全て表示しています。 |
CC:コンコーダンス |
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| 磁性薄膜，例．１磁区構造のもの | CC | ||
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| ・接続あるいは相互作用する導体との結合あるいは物理的接触を特徴とするもの | CC | ||
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| ・磁性体層によって特徴づけられたもの（基体への磁性膜の形成Ｈ０１Ｆ４１／１４）［３］ | CC | ||
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| ・・組成によって特徴づけられたもの［３］ | CC | ||
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| ・・・金属または合金［３］ | CC | ||
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| ・・・・アモルファス金属合金，例，ガラス状の金属［７］ | CC | ||
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| ・・・・鉄またはニッケルを含むもの（Ｈ０１Ｆ１０／１３，Ｈ０１Ｆ１０／１６が優先）［３，７］ | CC | ||
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| ・・・・コバルトを含むもの（Ｈ０１Ｆ１０／１３が優先）［３，７］ | CC | ||
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| ・・・化合物［３］ | CC | ||
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| ・・・・アモルファス化合物［７］ | CC | ||
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| ・・・・磁性半導体化合物［７］ | CC | ||
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| ・・・・フェライト［３］ | CC | ||
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| ・・・・・オルソフェライト［３］ | CC | ||
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| ・・・・・ガーネット［３］ | CC | ||
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| ・基体または中間層に特徴のあるもの（Ｈ０１Ｆ１０／３２が優先）［３，７］ | CC | ||
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| ・・基体の組成によって特徴づけられたもの［３］ | CC | ||
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| ・・中間層の組成によって特徴づけられたもの［３］ | CC | ||
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| ・スピン変換連結の多層，例，極小構造の超格子［７］ | CC |