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G11C7/00	デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構（Ｇ１１Ｃ５／００が優先；半導体装置を用いた記憶のための周辺記憶回路Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３，Ｇ１１Ｃ１１／４１９３）［２，５］	CC
G11C7/02	・寄生信号を回避する手段をもつもの	CC
G11C7/04	・温度の影響に基づく障害を除去する手段をもつもの	CC
G11C7/06	・センス増幅器；関連回路［２００６．０１］	CC
G11C7/08	・・その制御［７］	CC
G11C7/10	・入力／出力（Ｉ／Ｏ）データ？インターフェイス装置，例．Ｉ／Ｏデータ制御回路，Ｉ／Ｏデータバッファ［２００６．０１］	CC
G11C7/12	・ビット線制御回路，例．ビット線用の，ドライバ，ブースター，プルアップ回路，プルダウン回路，プリチャージング回路，等化回路［７］	CC
G11C7/14	・ダミーセル管理；センス用リファレンス電圧発生回路［７］	CC
G11C7/16	・アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器，デジタルメモリ，およびデジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器から成る装置を使った，デジタル記憶装置へのアナログ信号の記憶［７］	CC
G11C7/18	・ビット線構成；ビット線配置［７］	CC
G11C7/20	・メモリセル初期化回路，例．パワーアップしたとき，またはパワーダウンしたときの，メモリ・クリア，潜在イメージ・メモリ［７］	CC
G11C7/22	・読出し－書込み［Ｒ－Ｗ］のタイミング，またはクロック回路；読出し－書込み［Ｒ－Ｗ］制御信号発生器または管理［７］	CC
G11C7/24	・メモリ・セルの安全回路または保護回路，例．不注意な読出しまたは書込みを防ぐ装置，ステータス・セル；テスト・セル［７］	CC