IPC(一覧表示)

  • G11C19/00
  • 情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置、例.シフト?レジスタ[2006.01] CC
  • G11C19/02
  • ・磁気素子を用いるもの(G11C19/14が優先)[2] CC
  • G11C19/04
  • ・・1つの孔または磁気ループを有するコアを用いるもの[2] CC
  • G11C19/06
  • ・・多数の孔または磁気ループを有する構造を用いるもの,例.トランスフラクサ[2] CC
  • G11C19/08
  • ・・平板薄膜構造を用いるもの[2] CC
  • G11C19/10
  • ・・ロッド上の薄膜を用いるもの;ツイスタによるもの[2] CC
  • G11C19/12
  • ・共振回路中の非線型誘導素子を用いるもの[2] CC
  • G11C19/14
  • ・能動素子,例.放電管,半導体素子,と結合した磁気素子を用いるもの(G11C19/34が優先)[2,7] CC
  • G11C19/18
  • ・ステージの主素子としてキャパシタを用いるもの[2] CC
  • G11C19/20
  • ・放電管を用いるもの(G11C19/14が優先)[2] CC
  • G11C19/28
  • ・半導体素子を用いるもの(G11C19/14,G11C19/36が優先)[2,7] CC
  • G11C19/30
  • ・オプト―エレクトロニクス装置,すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光―電気装置を用いるもの[2] CC
  • G11C19/32
  • ・超電導素子を用いるもの[2] CC
  • G11C19/34
  • ・3以上の異なる安定状態を有する記憶素子を用いるもの,例.電圧によるもの,電流によるもの,位相によるもの,周波数によるもの[7] CC
  • G11C19/36
  • ・・半導体素子を用いるもの[7] CC
  • G11C19/38
  • ・二次元の,例.水平方向と垂直方向に情報が移動するシフト・レジスター[7] CC
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