IPC(一覧表示)

  • G11C16/00
  • 消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ(G11C14/00が優先)[5] CC
  • G11C16/02
  • ・電気的にプログラム可能なもの[5] CC
  • G11C16/04
  • ・・閾値が可変なトランジスタを用いるもの,例.FAMOS[5] CC
  • G11C16/06
  • ・・周辺回路,例.メモリへの書込み用[2006.01] CC
  • G11C16/08
  • ・・・アドレス回路;デコーダ;ワード線制御回路[7] CC
  • G11C16/10
  • ・・・プログラミングまたはデータ入力回路[7] CC
  • G11C16/12
  • ・・・・プログラミング電圧スイッチング回路[7] CC
  • G11C16/14
  • ・・・・電気的に消去するための回路,例.消去電圧スイッチング回路[7] CC
  • G11C16/16
  • ・・・・・ブロック消去用のもの,例.アレイ,複数ワード,グループ[7] CC
  • G11C16/18
  • ・・・・光学的に消去するための回路[7] CC
  • G11C16/20
  • ・・・・初期化;データのプリセット,チップの識別[7] CC
  • G11C16/22
  • ・・・メモリ・セルへの不正な,または不慮のアクセスを防ぐための安全または保護回路[7] CC
  • G11C16/24
  • ・・・ビット線制御回路[7] CC
  • G11C16/26
  • ・・・センス回路または読出し回路;データ出力回路[7] CC
  • G11C16/28
  • ・・・・差動センシングまたはリファレンス・セルを用いるもの,例.ダミー・セル[7] CC
  • G11C16/30
  • ・・・電力供給回路[7] CC
  • G11C16/32
  • ・・・タイミング回路[7] CC
  • G11C16/34
  • ・・・プログラミング状態の決定,例.閾値電圧,過書込みまたは不十分な書込み,リテンション[7] CC
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