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CC:コンコーダンス |
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| 特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置；そのための記憶素子（Ｇ１１Ｃ１４／００～Ｇ１１Ｃ２１／００が優先）［５］ | CC | ||
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| ・磁気的素子を用いるもの | CC | ||
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| ・・シリンダ状の記憶素子，例．ロッド，ワイヤを用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１２，Ｇ１１Ｃ１１／１４が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・単一記憶素子を用いるもの，例．トロイダル磁心；多孔板を用い，それぞれの孔が一つの記憶素子を構成するもの | CC | ||
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| ・・・１素子で１ビットを記憶し，破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・２Ｌ／２Ｄ，３Ｄオーガニゼイションのようにビットが組織化されたもの，すなわち書込みと読出しにあたり少なくとも２つの一致した局部電流により１つの記憶素子を選択するために組織化されたもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・２Ｄオーガニゼイションまたはリニヤ選択のようにワードが組織化されたもの，すなわち単独の十分な読出し電流により１ワード分の全記憶素子を選択するために組織化されたもの［２］ | CC | ||
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| ・・・１素子で１ビットを記憶し，非破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・多孔記憶素子を用いるもの，例．トランスフラクサを用いるもの；複数個の独立した多孔記憶素子を組み込んだ板状体を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１０が優先）［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・多軸記憶素子を用いるもの | CC | ||
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| ・・テンサーを用いるもの；トゥイスタを用いるもの，すなわち一方の磁化軸がねじられているもの | CC | ||
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| ・・薄膜素子を用いるもの | CC | ||
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| ・・・多層の磁性層を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１５５が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・・シリンダー状の形状を有するもの［２］ | CC | ||
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| ・・記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの | CC | ||
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| ・ホール効果素子を用いるもの | CC | ||
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| ・共振回路における非線形誘導素子を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・パラメトロンを用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・電気的素子を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・強誘電体素子を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・１つの共通層上の静電記憶を用いるもの，例．フォレスターハエフ管（Ｇ１１Ｃ１１／２２が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・キャパシタを用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／２２が優先；半導体装置とキャパシタの組合せを用いるものＧ１１Ｃ１１／３４，例．Ｇ１１Ｃ１１／４０）［２，５］ | CC | ||
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| ・・放電管を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・ガス入り管を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・真空管を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／２３が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・半導体装置を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・空欠層に蓄積された電荷があるもの，例．電荷結合装置［７］ | CC | ||
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| ・・・ダイオードを用いるもの，例．閾値素子として用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・トンネルダイオードを用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・サイリスタを用いるもの［５］ | CC | ||
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| ・・・トランジスタを用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・リフレッシングまたは電荷再生，すなわちダイナミック・セル［５］ | CC | ||
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| ・・・・・各々のメモリセルに個別の電荷再生，すなわち内部リフレッシュをもつもの［５］ | CC | ||
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| ・・・・・多数のメモリセルに共通な電荷再生，すなわち外部リフレッシュをもつもの［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・１つのセル当り，１つの電荷転送ゲート，例．ＭＯＳトランジスタ，をもつもの［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・１つのセル当り，３つの電荷転送ゲート，例．ＭＯＳトランジスタ，をもつもの［５］ | CC | ||
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| ・・・・・リフレッシングまたは電荷再生サイクルの管理または制御［５］ | CC | ||
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| ・・・・・周辺回路，例．アドレス用，デコード用，駆動用，書込み用，センス用，またはタイミング用［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・バイポーラ型のメモリ・セル用の周辺回路［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・電界効果型のメモリ・セル用の周辺回路［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・初期化，パワーアップまたはパワーダウン，メモリクリア，またはプリセット用の回路［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・・電力供給回路または電圧発生回路，例．バイアス電圧発生器，基板電圧発生器，バックアップ電源，電源制御回路［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・・タイミング回路（再生制御用Ｇ１１Ｃ１１／４０６）［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・・安全または保護回路，例．不注意な，あるいは不正な読出しや書込みを防ぐためのもの；ステータス・セル；テスト・セル（チェックまたはテストにおけるメモリ内容の保護Ｇ１１Ｃ２９／５２）［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・・アドレス回路［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・読出し－書込み［Ｒ－Ｗ］回路［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・・センスまたはセンス／リフレッシュ増幅器，またはセンス関連回路，例．ビット線対のプリチャージ，イコライズ，または分離［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・・・入出力［Ｉ／Ｏ］データ？インターフェイス機構，例．データバッファ［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・・・・ビット線管理または制御回路［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・・・入出力［Ｉ／Ｏ］データ管理または制御回路，例．読出しまたは書込み回路，Ｉ／Ｏドライバ，ビット線スイッチ［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・・・ビット線編成，例．ビット線レイアウト，折返しビット線［７］ | CC | ||
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| ・・・・・・・・ダミー・セル処理；リファレンス電圧発生器［７］ | CC | ||
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| ・・・・正帰還によるセル，すなわちリフレッシングまたは電荷再生を必要としないセルを形成するもの，例．双安定マルチバイブレータまたはシュミットトリガ［５］ | CC | ||
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| ・・・・・バイポーラトランジスタのみを用いるもの［５］ | CC | ||
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| ・・・・・電界効果トランジスタのみを用いるもの［５］ | CC | ||
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| ・・・・・周辺回路，例．アドレシング，復号化，駆動，書込み，検知，同期および低電力化用［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・バイポーラ型のメモリセル用［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・アドレス回路［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・読出し－書込み回路［Ｒ－Ｗ］［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・電界効果型のメモリセル用［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・アドレス回路［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・読出し－書込み回路［Ｒ－Ｗ］［５］ | CC | ||
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| ・・・特種な半導体記憶装置に特有の周辺装置，例．アドレシング，駆動，検出，タイミング，電力供給，信号伝達のためのもの（Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３が優先）［７］ | CC | ||
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| ・・・・アドレス回路［７］ | CC | ||
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| ・・・・読出し－書込み回路［Ｒ－Ｗ］［７］ | CC | ||
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| ・・オプト－エレクトロニクス装置，すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光－電気装置を用いるもの | CC | ||
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| ・・超電導素子，例．クライオトロン，を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・熱可塑性素子を用いるもの | CC | ||
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| ・相互または自己インダクタンスを異なる状態の間で変化させるための移動可能な結合素子，例．強磁性コア，を用いるもの | CC | ||
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| ・情報を記憶するために電気接点を作動するもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・電磁リレーを用いるもの | CC | ||
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| ・生物細胞，例．ニューロン，をシミュレーションした素子を用いるもの | CC | ||
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| ・ステップによって表わされる２つまたはそれ以上の数の安定状態をもつ記憶素子を用いるもの，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの［２００６．０１］ | CC |