|
このページは、メイングループG03F1/00内の「IPC」を全て表示しています。 |
CC:コンコーダンス |
|
| フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿，例．マスク，フォトマスク又はレチクル；そのためのマスクブランク又はペリクル；特にそれに適合した容器；その準備［３，２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・荷電粒子線［ＣＰＢ］の放射，例．電子線，によって画像化するためのマスク又はマスクブランク；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・１００ｎｍ以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク，例．Ｘ線マスク，極端紫外［ＥＵＶ］マスク；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・反射マスク；その準備［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・位相シフトマスク［ＰＳＭ］；ＰＳＭブランク；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・同一のＰＳＭ上に３種以上の位相；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・リムＰＳＭ又はアウトリガーＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・交互ＰＳＭ，例．渋谷・レベンソンＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・減衰ＰＳＭ［ａｔｔ－ＰＳＭ］，例．ハーフトーンＰＳＭ又は半透明な位相シフト部を有するＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・フェーズ・エッジＰＳＭ，例．クロムレスＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・近接効果補正に特徴を有するマスク；その準備，例．光近接効果補正［ＯＰＣ］デザインプロセス［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・補助的な特徴を有するマスク，例．特別なコーティング又はアライメント若しくは試験のためのマーク；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・静電放電［ＥＳＤ］に関連する特徴，例．帯電防止コーティング又はマスク基板の周囲の導電性金属層［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・・アライメント又は重ね合わせ（レジストレーション）の特徴，例．マスク基板上のアライメントマーク［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・・試験又は測定の特徴，例．格子パターン，フォーカスモニター，のこぎり歯状スケール又はノッチ状スケール［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・・反射防止コーティング［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・・保護コーティング［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／２６に包含されないマスクブランク；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・反射材［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・吸収材，例．不透明な材料［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・有機的な吸収材，例．フォトレジスト［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・・２つ以上の異なる吸収材層，例．積層された複数層の吸収材［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・基板［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・ペリクル又はペリクル構造体，例．支持フレーム上に薄膜を備えるもの；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・そのフレームに特徴のあるもの，例．その構造又は材料［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・容器，特にマスク，マスクブランク又はペリクルに適合するもの；その準備［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／５０に包含されない準備プロセス［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・マスクの基本的レイアウト又はデザインをリソグラフィプロセスの要求に適合させること，例．画像化のためのマスクパターンの再修正［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・マスク欠陥の修理又は修正［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・・荷電粒子線［ＣＰＢ］，例．集束イオンビーム，によるもの［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・・画像化によるマスクのパターン形成［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・・荷電粒子線［ＣＰＢ］，例．電子線，によるもの［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・・エッチング［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・補助的なプロセス，例．クリーニング［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
|
| ・・・検査［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・・・・荷電粒子線［ＣＰＢ］によるもの［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・レリーフ状原稿作成のために写真プロセスによって準備されたもの［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・モンタージュプロセスによって準備されたもの［２０１２．０１］ | CC | ||
|
| ・印刷表面から準備されたもの［２０１２．０１］ | CC |