このページは、メイングループC30B33/00内の「IPC」を全て表示しています。 CC:コンコーダンス IPCセクション選択に戻る 一階層上へ C30B33/00 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（Ｃ３０Ｂ３１／００が優先）［３，５］ 定義 CC C30B33/02 ・熱処理（Ｃ３０Ｂ３３／０４，Ｃ３０Ｂ３３／０６が優先）［５］ CC C30B33/04 ・電場，磁場または粒子線放射を用いるもの［５］ CC C30B33/06 ・結晶の結合［５］ CC C30B33/08 ・エッチング［５］ CC C30B33/10 ・・溶液または融液中で［５］ CC C30B33/12 ・・気体雰囲気またはプラズマ下で［５］ CC TOP
C30B33/00 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（Ｃ３０Ｂ３１／００が優先）［３，５］ 定義 CC C30B33/02 ・熱処理（Ｃ３０Ｂ３３／０４，Ｃ３０Ｂ３３／０６が優先）［５］ CC C30B33/04 ・電場，磁場または粒子線放射を用いるもの［５］ CC C30B33/06 ・結晶の結合［５］ CC C30B33/08 ・エッチング［５］ CC C30B33/10 ・・溶液または融液中で［５］ CC C30B33/12 ・・気体雰囲気またはプラズマ下で［５］ CC