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このページは、メイングループC30B25/00内の「IPC」を全て表示しています。 |
CC:コンコーダンス |
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| 反応ガスの化学反応による単結晶成長，例．化学蒸着（ＣＶＤ）による成長［３］ | CC | ||
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| ・エピタキシャル層成長［３］ | CC | ||
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| ・・パターン成膜，例．マスクを用いるもの［３］ | CC | ||
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| ・・反応スパッタリングによるもの［３］ | CC | ||
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| ・・反応室；そのための材料の選択［３］ | CC | ||
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| ・・反応室または基板の加熱［３］ | CC | ||
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| ・・基板保持体またはサセプタ［３］ | CC | ||
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| ・・ガスの供給および排出手段；反応ガス流の調節［３］ | CC | ||
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| ・・制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［３］ | CC | ||
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| ・・基板によって特徴づけられたもの［３］ | CC | ||
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| ・・・基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの［３］ | CC | ||
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| ・・サンドイッチプロセス［３］ | CC |