このページは、メイングループC30B23/00内の「IPC」を全て表示しています。 CC:コンコーダンス IPCセクション選択に戻る 一階層上へ C30B23/00 蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長［３］ CC C30B23/02 ・エピタキシャル層成長［３］ CC C30B23/04 ・・パターン成膜，例．マスクを用いるもの［３］ CC C30B23/06 ・・成膜室，基板または被蒸発物質の加熱［３］ CC C30B23/08 ・・イオン化蒸気の凝縮によるもの（反応スパッタリングによるものＣ３０Ｂ２５／０６）［３］ CC TOP
C30B23/00 蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長［３］ CC C30B23/02 ・エピタキシャル層成長［３］ CC C30B23/04 ・・パターン成膜，例．マスクを用いるもの［３］ CC C30B23/06 ・・成膜室，基板または被蒸発物質の加熱［３］ CC C30B23/08 ・・イオン化蒸気の凝縮によるもの（反応スパッタリングによるものＣ３０Ｂ２５／０６）［３］ CC