このページは、メイングループC30B1/00内の「IPC」を全て表示しています。 CC:コンコーダンス IPCセクション選択に戻る 一階層上へ C30B1/00 固相からの直接単結晶成長（共析晶物質の一方向析出Ｃ３０Ｂ３／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］ CC C30B1/02 ・熱処理によるもの，例．歪焼鈍（Ｃ３０Ｂ１／１２が優先）［３］ CC C30B1/04 ・・等温再結晶化［３］ CC C30B1/06 ・・温度勾配下での再結晶化［３］ CC C30B1/08 ・・・ゾーン再結晶化［３］ CC C30B1/10 ・固相反応または多相拡散によるもの［３］ CC C30B1/12 ・成長中の圧力処理によるもの［３］ CC TOP
C30B1/00 固相からの直接単結晶成長（共析晶物質の一方向析出Ｃ３０Ｂ３／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］ CC C30B1/02 ・熱処理によるもの，例．歪焼鈍（Ｃ３０Ｂ１／１２が優先）［３］ CC C30B1/04 ・・等温再結晶化［３］ CC C30B1/06 ・・温度勾配下での再結晶化［３］ CC C30B1/08 ・・・ゾーン再結晶化［３］ CC C30B1/10 ・固相反応または多相拡散によるもの［３］ CC C30B1/12 ・成長中の圧力処理によるもの［３］ CC