IPC(一覧表示)

  • C23C14/00
  • 被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆[4] 定義 CC
  • C23C14/02
  • ・被覆される材料の前処理(C23C14/04が優先)[4] CC
  • C23C14/04
  • ・選択された表面部分の被覆,例.マスクを用いるもの[4] CC
  • C23C14/06
  • ・被覆材料に特徴のあるもの(C23C14/04が優先)[4] CC
  • C23C14/08
  • ・・酸化物(C23C14/10が優先)[4] CC
  • C23C14/10
  • ・・ガラスまたはシリカ[4] CC
  • C23C14/12
  • ・・有機質材料[4] CC
  • C23C14/14
  • ・・金属質材料,ほう素またはけい素[4] CC
  • C23C14/16
  • ・・・金属質基板上またはほう素もしくはけい素の基板上に被覆するもの[4] CC
  • C23C14/18
  • ・・・その他の無機質基板上に被覆するもの[4] CC
  • C23C14/20
  • ・・・有機質基板上に被覆するもの[4] CC
  • C23C14/22
  • ・被覆の方法に特徴のあるもの[4] CC
  • C23C14/24
  • ・・真空蒸着[4] CC
  • C23C14/26
  • ・・・ソースの抵抗加熱または誘導加熱によるもの[4] CC
  • C23C14/28
  • ・・・波動エネルギーまたは粒子放射によるもの(C23C14/32~C23C14/48が優先)[4] CC
  • C23C14/30
  • ・・・・電子衝撃によるもの[4] CC
  • C23C14/32
  • ・・・爆発によるもの;蒸発およびその後の蒸気のイオン化によるもの(C23C14/34~C23C14/48が優先)[4] CC
  • C23C14/34
  • ・・スパッタリング[4] CC
  • C23C14/35
  • ・・・磁界の適用によるもの,例.マグネトロンスパッタリング[5] CC
  • C23C14/36
  • ・・・ダイオードスパッタリング(C23C14/35が優先)[4,5] CC
  • C23C14/38
  • ・・・・直流グロー放電によるもの[4] CC
  • C23C14/40
  • ・・・・交流放電を伴うもの,例.高周波放電[4] CC
  • C23C14/42
  • ・・・トリオードスパッタリング(C23C14/35が優先)[4,5] CC
  • C23C14/44
  • ・・・・高周波および追加的な直流電圧の適用によるもの[4] CC
  • C23C14/46
  • ・・・外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの(C23C14/40が優先)[4] CC
  • C23C14/48
  • ・・イオン注入法[4] CC
  • C23C14/50
  • ・・基板保持具[4] CC
  • C23C14/52
  • ・・被覆工程の観察のための手段[4] CC
  • C23C14/54
  • ・・被覆工程の制御または調整[4] 定義 CC
  • C23C14/56
  • ・・連続被覆のために特に適合した装置;真空を維持するための装置,例.真空ロック[4] CC
  • C23C14/58
  • ・後処理[4] CC
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