H10B | 電子記憶装置[2023.01] |
このサブクラスでは、セクションCの注(3)の周期表中に示されたI~VIII族のシステムが用いられる。 | |
揮発性記憶装置 SRAM 10/00 DRAM 12/00 不揮発性記憶装置 ROM;PROM;EPROM 20/00 フローティングゲートを含むEEPROM 41/00 電荷トラッピングゲート絶縁体を含むEEPROM 43/00 強誘電性のメモリトランジスタを含むFeRAM 51/00 強誘電性のメモリキャパシタを含むFeRAM 53/00 MRAM 61/00 抵抗変化メモリ 63/00 他のEPROM 69/00 複数の装置の組立体 80/00 他の電子記憶装置 このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項 99/00 |
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