C30B30/00 | 電場,磁場,波動エネルギーまたはその他の特殊な物理的条件の作用により特徴づけられる単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造[5] |
このグループに分類する場合,結晶成長の工程に従い,グループ1/00~28/00にも分類する。[5] |
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C30B30/00 | 電場,磁場,波動エネルギーまたはその他の特殊な物理的条件の作用により特徴づけられる単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造[5] |
このグループに分類する場合,結晶成長の工程に従い,グループ1/00~28/00にも分類する。[5] |