H10F	赤外線，可視光，短波長電磁波または粒子線の輻射に感応する無機半導体装置［２０２５．０１］
	１．　無機輻射線感応半導体装置が以下に特に適している場合に限り，このサブクラスは当該装置を包含する。： ・輻射線エネルギーの電気的エネルギーへの変換；　または ・輻射線による電気的エネルギーの制御 ２．このサブクラスでは，「赤外線」は，約７００ｎｍから約１ｍｍの間の波長を含む。 ３．このサブクラスでは，セクションＣの注（３）の周期表中で示されたＩ～ＶＩＩＩ族の周期系が用いられる。［２０２５．０１］
	光起電 個々の光起電セル　Ｈ１０Ｆ１０／００ 光起電モジュールまたは集積装置　Ｈ１０Ｆ１９／００ 輻射線によって制御される装置 個々のフォトレジスタ，フォトダイオード，フォトトランジスタまたは類似の装置　Ｈ１０Ｆ３０／００ 集積装置または複数の装置の組立体　Ｈ１０Ｆ３９／００ 他の装置 電気光源と結合された輻射線感応装置　Ｈ１０Ｆ５５／００ 製造または処理；構造的細部 製造または処理　Ｈ１０Ｆ７１／００ 構造的細部　Ｈ１０Ｆ７７／００ このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項　Ｈ１０Ｆ９９／００［２０２５．０１］