G11C	静的記憶（半導体記憶装置Ｈ１０Ｂ）
	（１）このサブクラスは，デジタルまたはアナログ情報を記憶するための装置または機構であって，以下の条件を満たすものを包含する： （ｉ）情報記憶素子と変換器との間に相対運動がなく； （ｉｉ）情報を記憶装置へ書き込みまたは記憶装置から読み出すために選択装置と共動する。 （２）このサブクラスは，記憶に適合されない素子であって，以下の注（３）に述べるような手段を備えていない素子を包含せず，その素子は適切なサブクラス，例．Ｈ０１のサブクラス，Ｈ０３Ｋに分類される。 （３）このサブクラスにおいては，下記の用語は以下に示す意味で用いる：［８］ ―“記憶素子”とは，少なくとも１項目の情報を維持することが可能な，書込むためのまたは読み出すための手段を備えている素子を意味する。［８］ ―“メモリ”とは，記憶素子を含めて装置を意味し，これには必要に応じて取り出すことができる情報を維持することが可能である。［８］
	情報の書込みまたは読出し　７／００ アドレスの選択　８／００ 素子の形式によって特徴づけられたデジタル記憶 電気的，磁気的なもの；その細部　１１／００；５／００ 機械的なもの　２３／００ 流体的なもの　２５／００ その他の形式　１３／００ バックアップ手段によって特徴づけられたデジタル記憶　１４／００ 消去可能でプログラム可能な読出し専用メモリ　１６／００ 情報の転位によって特徴づけられたデジタル記憶 シフト；循環　１９／００，２１／００ 機能によって特徴づけられる記憶 連想記憶；アナログ；読出し専用　１５／００；２７／００；１７／００ 記憶のチェック　２９／００ このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項　９９／００