C30B	単結晶成長（超高圧を用いるもの，例．ダイヤモンド生成用Ｂ０１Ｊ３／０６）；共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出；物質のゾーンメルティングによる精製（金属または合金のゾーン精製Ｃ２２Ｂ）；特定構造を有する均質多結晶物質の製造（金属の鋳造，同じ方法と装置による他の物質の鋳造Ｂ２２Ｄ；プラスチックの加工Ｂ２９；金属または合金の物理的構造の改良Ｃ２１Ｄ，Ｃ２２Ｆ）；単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質；単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（半導体装置またはその部品を製造するためのものＨ０１Ｌ，Ｈ１０）；そのための装置［３］
	（１）このサブクラスにおいては，下記の表現は以下に示す意味で用いる： ―“単結晶”は双晶およびほぼ単結晶状の生成物も含む；［３］ ―“均質多結晶物質”はそのすべてが同じ化学組成を有する結晶粒子をもつ物質を意味する；［５］ ―“特定構造”は選択方向に配向された結晶粒または通常得られるものよりも大きい結晶粒からなる物質の構造を意味する。［５］ （２）このサブクラスにおいては多観点分類が適用されるので，主題事項がサブクラス中の複数のグループに包含される観点に特徴のあるものであれば，その主題事項はそれらのグループそれぞれに分類する。［２０１２．０１］ （３）このサブクラスにおいては： ―特殊な材料または形状の単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造は，グループＣ３０Ｂ２９／００だけでなくプロセスに関するグループにも分類する；［３］ ―特定のプロセスに特に適合した装置はそのプロセスに関する適当なグループに分類する。２種以上のプロセスに用いられる装置はグループＣ３０Ｂ３５／００に分類する。［３］
	単結晶成長 固体またはゲルからの　１／００，３／００，５／００ 液体からの　７／００～２１／００，２７／００ 蒸気からの　２３／００，２５／００ 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造　２８／００，３０／００ 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質　２９／００ 後処理　３１／００，３３／００ 装置　３５／００