| FI |
タイトル |
付与開始時期 |
| H10N 10/00 |
異種材料の接合からなる熱電装置，すなわちゼーベック効果またはペルチェ効果を示す装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/00@S |
感温半導体素子または感温スイッチ |
2022年11月 |
| H10N 10/00@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 10/01 |
・製造または処理［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/10 |
・ゼーベック効果またはペルチェ効果のみで動作するもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/10@C |
回路に特徴があるペルチェまたはゼーベック装置 |
2022年11月 |
| H10N 10/10@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 10/13 |
・・接合部の熱交換手段に特徴のあるもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/17 |
・・装置を形成するセルまたは熱電対の構造または配列に特徴のあるもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/17@A |
熱電対の構造または配列，例．サーモパイル |
2022年11月 |
| H10N 10/17@Z |
その他のもの，例．サーモモジュールまたは発電用 |
2022年11月 |
| H10N 10/80 |
・構造的細部［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/81 |
・・接合部の構造的細部［２０２３．０１ |
2022年11月 |
| H10N 10/813 |
・・・分離できる接合部，例．ばねを用いるもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/817 |
・・・分離できない接合部，例．セメント接合されたもの，焼結されたものまたははんだ付けされたもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/82 |
・・相互接続の接続［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/85 |
・・熱電性の活性材料［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/851 |
・・・無機組成物からなるもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/852 |
・・・・テルル，セレンまたは硫黄からなるもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/853 |
・・・・ヒ素，アンチモンまたはビスマスからなるもの（Ｈ１０Ｎ１０／８５２が優先）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/854 |
・・・・金属のみからなるもの（Ｈ１０Ｎ１０／８５２，Ｈ１０Ｎ１０／８５３が優先）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/855 |
・・・・ホウ素，炭素，酸素または窒素を含有する化合物からなるもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/856 |
・・・有機組成物からなるもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 10/857 |
・・・材料内部で連続的にまたは不連続的に変化する組成物からなるもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 15/00 |
異種材料の接合を有しない熱電装置；熱磁気装置，例．ネルンスト－エッチングスハウゼン効果を利用するもの（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 15/10 |
・誘電率の温度変化を利用する熱電装置，例．キュリー温度の上下で作動するもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 15/20 |
・透磁率の温度変化を利用する熱磁気装置，例．キュリー温度の上下で作動するもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 19/00 |
グループＨ１０Ｎ１０／００～Ｈ１０Ｎ１５／００に包含される，少なくとも１つの熱電素子または熱磁気素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/00 |
圧電装置または電歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/01 |
・製造または処理［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/02 |
・・被覆またはケースの形成［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/03 |
・・圧電部品または電歪部分を含む装置の組み立て［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/04 |
・・圧電特性または電歪特性を修正する処理，例．分極の特徴，振動の特徴またはモード同調［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/045 |
・・・分極方法による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/05 |
・・多層圧電装置または電歪装置，またはそれら部品の製造，例．圧電体と電極の積層によるもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/053 |
・・・圧電体または電歪体と電極を同時焼結による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/057 |
・・・バルク圧電体または電歪体と電極の積層による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/06 |
・・電極または相互接続，例．リードまたは端子，の形成［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/063 |
・・・相互接続，例．積層型圧電装置または積層型電歪装置の接続電極，の形成［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/067 |
・・・積層型圧電装置または積層型電歪装置の単層電極の形成［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/07 |
・・電気素子または他の基台上への，圧電部品または電歪部品，またはそれらの本体の形成［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/071 |
・・・共通基板上への，圧電部品または電歪部品と，半導体素子または他の回路素子との取付け［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/072 |
・・・圧電体または電歪体の積層または接着による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/073 |
・・・・金属溶融または接着剤による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/074 |
・・・圧電層または電歪層の堆積による，例．エアロゾル印刷またはスクリーン印刷［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/076 |
・・・・気相堆積による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/077 |
・・・・液相堆積による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/078 |
・・・・・ゾルゲル堆積による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/079 |
・・・・下地膜を用いる方法，例．成長制御［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/08 |
・・圧電体または電歪体の成形または機械加工［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/081 |
・・・マスクを用いた塗布または堆積による，例．リフトオフ［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/082 |
・・・エッチングによる，例．リソグラフィ［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/084 |
・・・型成形または押出成形による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/085 |
・・・機械加工による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/086 |
・・・・研磨または研削による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/088 |
・・・・切削またはダイシングによる［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/089 |
・・・・パンチングによる［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/09 |
・・圧電材料または電歪材料の形成［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/092 |
・・・複合材料の形成［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/093 |
・・・無機材料の形成［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/095 |
・・・・溶融による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/097 |
・・・・焼成による［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/098 |
・・・有機材料の形成［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/20 |
・電気的入力および機械的出力を有するもの，例．アクチュエータまたは振動子として機能するもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/30 |
・機械的入力および電気的出力を有するもの，例．発電機またはセンサとして機能するもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/40 |
・電気的入力および電気的出力を有するもの，例．変圧器として機能するもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/50 |
・積層構造または多層構造を有するもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/60 |
・同軸ケーブルの構造を有するもの［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/80 |
・構造的細部［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/85 |
・・圧電性または電歪性の活性材料［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/853 |
・・・セラミック組成物［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/857 |
・・・高分子組成物［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/87 |
・・電極または相互接続，例．リードまたは端子［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 30/88 |
・・取付具；支持具；被覆；ケース［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 35/00 |
磁歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 35/01 |
・製造または処理［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 35/80 |
・構造的細部［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 35/85 |
・・磁歪性の活性材料［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 39/00 |
グループＨ１０Ｎ３０／００～Ｈ１０Ｎ３５／００に包含される，少なくとも１つの圧電素子，電歪素子または磁歪素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 50/00 |
電流磁気装置（ホール効果装置Ｈ１０Ｎ５２／００；集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 50/01 |
・製造または処理［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 50/10 |
・磁気抵抗素子［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 50/10@A |
回路に特徴があるもの |
2022年11月 |
| H10N 50/10@B |
バイアス磁界 |
2022年11月 |
| H10N 50/10@M |
強磁性体 |
2022年11月 |
| H10N 50/10@P |
感磁部パターン |
2022年11月 |
| H10N 50/10@S |
半導体磁気抵抗素子 |
2022年11月 |
| H10N 50/10@U |
用途 |
2022年11月 |
| H10N 50/10@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 50/20 |
・スピン偏極電流制御装置（磁気抵抗素子Ｈ１０Ｎ５０／１０）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 50/80 |
・構造的細部［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 50/80@D |
電極 |
2022年11月 |
| H10N 50/80@H |
保護層 |
2022年11月 |
| H10N 50/80@P |
可動部材に特徴があるもの，例．ポテンショメータ |
2022年11月 |
| H10N 50/80@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 50/85 |
・・磁性の活性材料［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 52/00 |
ホール効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 52/00@A |
回路に特徴があるもの |
2022年11月 |
| H10N 52/00@B |
バイアス磁界 |
2022年11月 |
| H10N 52/00@C |
固体インダクタ |
2022年11月 |
| H10N 52/00@M |
強磁性体 |
2022年11月 |
| H10N 52/00@P |
感磁部パターン |
2022年11月 |
| H10N 52/00@S |
半導体 |
2022年11月 |
| H10N 52/00@U |
用途 |
2022年11月 |
| H10N 52/00@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 52/01 |
・製造または処理［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 52/80 |
・構造的細部［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 52/80@D |
電極 |
2022年11月 |
| H10N 52/80@H |
保護層 |
2022年11月 |
| H10N 52/80@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 52/85 |
・・磁性の活性材料［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 59/00 |
グループＨ１０Ｎ５０／００～Ｈ１０Ｎ５２／００に包含される，少なくとも１つの電流磁気素子またはホール効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ［ＭＲＡＭ］装置Ｈ１０Ｂ６１／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/00 |
超電導装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ６９／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/00@A |
超電導性を利用した装置 |
2022年11月 |
| H10N 60/00@C |
線材を除く超電導体の接続 |
2022年11月 |
| H10N 60/00@G |
・磁気を利用した装置 |
2022年11月 |
| H10N 60/00@M |
・マイスナー効果を利用した装置 |
2022年11月 |
| H10N 60/00@S |
磁気シールド材 |
2022年11月 |
| H10N 60/00@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 60/01 |
・製造または処理［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/01@B |
薄膜の製造方法 |
2022年11月 |
| H10N 60/01@C |
・ジョセフソン素子用 |
2022年11月 |
| H10N 60/01@D |
・積層 |
2022年11月 |
| H10N 60/01@F |
薄膜の加工方法 |
2022年11月 |
| H10N 60/01@J |
ジョセフソン素子の製造方法 |
2022年11月 |
| H10N 60/01@K |
ジョセフソン素子の製造装置 |
2022年11月 |
| H10N 60/01@W |
回路基板の製造方法 |
2022年11月 |
| H10N 60/01@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 60/10 |
・接合に基づく装置［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/10@G |
超電導トランジスタ；多端子素子 |
2022年11月 |
| H10N 60/10@K |
回路に特徴があるもの |
2022年11月 |
| H10N 60/10@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 60/12 |
・・ジョセフソン効果装置［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/12@A |
ジョセフソン素子 |
2022年11月 |
| H10N 60/12@B |
・メモリ素子 |
2022年11月 |
| H10N 60/12@C |
・ソリトン・デバイス |
2022年11月 |
| H10N 60/12@D |
・磁気センサ，電磁場の発生または検出電圧標準用 |
2022年11月 |
| H10N 60/12@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 60/20 |
・永久超電導装置［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/20@A |
永久電流用機械式スイッチ |
2022年11月 |
| H10N 60/20@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 60/30 |
・超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/35 |
・・クライオトロン［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/355 |
・・電力用クライオトロン［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/80 |
・構造的細部［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/80@A |
超電導素子の実装，例．マイクロピン |
2022年11月 |
| H10N 60/80@B |
超電導素子用薄膜 |
2022年11月 |
| H10N 60/80@D |
超電導体の積層 |
2022年11月 |
| H10N 60/80@W |
超電導素子用回路基板 |
2022年11月 |
| H10N 60/80@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 60/81 |
・・容器；取付具［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/82 |
・・電流路［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/83 |
・・素子の形状［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/84 |
・・超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置のための切換手段［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/85 |
・・超電導の活性材料［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 60/85@A |
合金；金属間化合物系 |
2022年11月 |
| H10N 60/85@B |
有機物系 |
2022年11月 |
| H10N 60/85@C |
セラミック系 |
2022年11月 |
| H10N 60/85@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 69/00 |
グループＨ１０Ｎ６０／００に包含される，少なくとも１つの超電導素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 70/00 |
電位障壁または表面障壁を有しない，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適した固体装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ７９／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 70/00@A |
非晶質半導体に関するもの |
2022年11月 |
| H10N 70/00@B |
・酸化物ガラスに関するもの |
2022年11月 |
| H10N 70/00@C |
バルクまたは薄膜型に関するもの |
2022年11月 |
| H10N 70/00@Z |
その他のもの |
2022年11月 |
| H10N 70/10 |
・固体進行波装置［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 70/20 |
・多安定スイッチング装置，例．メモリスタ［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 79/00 |
グループＨ１０Ｎ７０／００に包含される，少なくとも１つの固体素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（ＲｅＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／００；ＰＣＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／１０）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 80/00 |
バルク負性抵抗効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ８９／００）［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 80/10 |
・ガン効果装置［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 89/00 |
グループＨ１０Ｎ８０／００に包含される，少なくとも１つのバルク負性抵抗効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 97/00 |
他に分類されない電気的固体薄膜または厚膜装置［２０２３．０１］ |
2022年11月 |
| H10N 99/00 |
このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２３．０１］ |
2022年11月 |