FI |
タイトル |
付与開始時期 |
H10H 20/00 |
電位障壁を有する個々の無機発光半導体装置,例.発光ダイオード[LED][2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/00@H |
完成品の取付 |
2025年1月 |
H10H 20/00@J |
駆動回路 |
2025年1月 |
H10H 20/00@K |
試験,測定 |
2025年1月 |
H10H 20/00@L |
応用装置[発光装置を用いた完成品] |
2025年1月 |
H10H 20/00@Z |
その他のもの |
2025年1月 |
H10H 20/01 |
・製造または処理[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/01@A |
パッケージに関するもの |
2025年1月 |
H10H 20/01@Z |
その他のもの |
2025年1月 |
H10H 20/80 |
・構造的細部[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/81 |
・・本体[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/811 |
・・・量子効果を奏する構造または超格子を有するもの,例.トンネル接合[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/812 |
・・・・発光領域内にあるもの,例.量子閉じ込め構造を有するもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/813 |
・・・複数の発光領域を有するもの,例.多接合LEDまたは本体の内部にフォトルミネセント領域を有する発光装置[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/814 |
・・・反射手段を有するもの,例.半導体ブラッグ反射鏡[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/815 |
・・・応力緩和構造を有するもの,例.バッファ層[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/816 |
・・・電流制御構造を有するもの,例.高濃度ドープ半導体層,電流ブロック構造[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/817 |
・・・結晶構造または結晶方位に特徴のあるもの,例.多結晶,アモルファスまたはポーラス[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/818 |
・・・・発光領域内にあるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/819 |
・・・その形状に特徴のあるもの,例.湾曲または面取りされた基板[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/82 |
・・・・粗面化された表面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/821 |
・・・・発光領域にあるもの,例.非プレーナー接合[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/822 |
・・・発光領域の材料[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/823 |
・・・・II-VI族の材料のみからなるもの,例.ZnO[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/824 |
・・・・III-V族の材料のみからなるもの,例.GaP[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/825 |
・・・・・窒素を含むもの,例.GaN[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/826 |
・・・・IV族の材料のみからなるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/83 |
・・電極[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/831 |
・・・その形状に特徴のあるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/832 |
・・・その材料に特徴のあるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/833 |
・・・・透明材料[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/84 |
・・コーティング,例.パッシベーション層または反射防止コーティング[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/841 |
・・・反射コーティング,例.誘電体ブラッグ反射鏡[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/85 |
・・パッケージ[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/851 |
・・・波長変換手段[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/852 |
・・・封緘[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/853 |
・・・・その形状に特徴のあるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/854 |
・・・・その材料に特徴のあるもの,例.エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/855 |
・・・光の形状を形成する手段,例.レンズ[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/856 |
・・・・反射手段[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/857 |
・・・相互接続,例.リードフレーム,ボンドワイヤーまたはソルダーボール[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 20/858 |
・・・放熱または冷却のための手段[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/00 |
グループH10H20/00に包含される,少なくとも1つの発光半導体素子を備える,集積装置または複数の装置の組立体[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/01 |
・製造または処理[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/02 |
・・ピックアンドプレース工程を用いるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/03 |
・・LEDのマストランスファーを用いるもの,例.液状懸濁物を用いるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/10 |
・グループH10H20/00に包含される,少なくとも1つの発光半導体構成部品を備える,集積装置(アクティブマトリクス型LEDディスプレイH10H29/30)[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/14 |
・・複数の発光半導体構成部品を備えるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/20 |
・グループH10H20/00に包含される,少なくとも1つの発光半導体装置を備える,複数の装置の組立体(アクティブマトリクス型LEDディスプレイH10H29/30)[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/24 |
・・複数の発光半導体装置を備えるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/30 |
・アクティブマトリクス型LEDディスプレイ[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/32 |
・・副画素の内部の素子の幾何学的形状または配置に特徴のあるもの,例.RGB副画素の内部のトランジスタの配置[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/34 |
・・画素の内部の副画素の幾何学的形状または配置に特徴のあるもの,例.RGB副画素の相対的配置[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/37 |
・・画素を定義するための構造,例.LED間の隔壁[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/39 |
・・駆動トランジスタへの画素電極の接続[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/41 |
・・駆動トランジスタとLED間に形成される絶縁層[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/45 |
・・それぞれ上にアクティブ素子を有する2つの基板からなるもの,例.異なる基板上に存在するLEDアレイと駆動回路からなるディスプレイ[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/49 |
・・相互接続,例.配線または端子(駆動トランジスタへの画素電極の接続H10H29/39)[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/80 |
・構造的細部[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/85 |
・・パッケージ[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/851 |
・・・波長変換手段[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/852 |
・・・封緘[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/853 |
・・・・その形状に特徴のあるもの[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/854 |
・・・・その材料に特徴のあるもの,例.エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/855 |
・・・光の形状を形成する手段,例.レンズ[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 29/856 |
・・・・反射手段[2025.01] |
2025年1月 |
H10H 99/00 |
このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項[2025.01] |
2025年1月 |