| FI | タイトル | 付与開始時期 |
|---|---|---|
| H10F 10/00 | 個々の光起電セル，例．太陽電池（電解型感光装置，例．色素増感太陽電池，Ｈ０１Ｇ９／２０）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/10 | ・電位障壁を有するもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/11 | ・・点接触の電位障壁を有する光起電セル（Ｈ１０Ｆ１０／１８が優先）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/12 | ・・金属－絶縁体－半導体［ＭＩＳ］の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/13 | ・・グレーデッドバンドギャップからなる吸収層を有する光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/14 | ・・ＰＮホモ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/142 | ・・・複数のＰＮホモ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/144 | ・・・ＩＩＩ－Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ，ＡＩＧａＡｓまたはＩｎＰ光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/16 | ・・ＰＮヘテロ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/161 | ・・・複数のＰＮヘテロ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/162 | ・・・ＩＩ－ＶＩ族の材料のみからなるもの，例．ＣｄＳ／ＣｄＴｅ光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/163 | ・・・ＩＩＩ－Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓまたはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/164 | ・・・ＩＶ族の材料とのヘテロ接合からなるもの，例．ＩＴＯ／ＳｉまたはＧａＡｓ／ＳｉＧｅ光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/165 | ・・・・ヘテロ接合が，ＩＶ－ＩＶ族ヘテロ接合であるもの，例．Ｓｉ／Ｇｅ，ＳｉＧｅ／ＳｉまたはＳｉ／ＳｉＣ光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/166 | ・・・・・ＩＶ－ＩＶ族ヘテロ接合が，結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合であるもの，例．シリコンヘテロ接合［ＳＨＪ］光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/167 | ・・・Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族の材料からなるもの，例．ＣｄＳ／ＣｕｌｎＳｅ２［ＣｌＳ］ヘテロ接合光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/17 | ・・ＰＩＮ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/172 | ・・・複数のＰＩＮ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/174 | ・・・単結晶または多結晶材料からなるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/18 | ・・ショットキーの電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 10/19 | ・・種類の異なる複数の電位障壁を有する光起電セル，例．ＰＮ接合とＰＩＮ接合の両方を有するタンデムセル［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/00 | グループＨ１０Ｆ１０／００に包含される，少なくとも１つの光起電セルを備える，集積装置または複数の装置の組立体，例．光起電モジュール［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/00@A | 光起電モジュールまたは１つ１つの光起電セルのアレイ | 2025年1月 |
| H10F 19/00@Z | その他 | 2025年1月 |
| H10F 19/10 | ・単一の半導体基板内にアレイ状の光起電セルを備えるものであって，当該光起電セルが垂直接合またはＶグルーブ接合を有するもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/20 | ・単一の半導体基板内または上にアレイ状の光起電セルを備えるものであって，当該光起電セルが平面接合を有するもの（同じ基板上に堆積された複数の薄膜光起電セルを有するものＨ１０Ｆ１９／３１）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/30 | ・薄膜光起電セルを備えるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/31 | ・・同じ基板上に堆積された複数の横方向に隣接する薄膜光起電セルを有するもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/33 | ・・・光起電セルを接続するためのパターニング工程，例．導電層または活性層のレーザー切断［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/35 | ・・・隣接する光起電セルを接続するための構造，例．相互接続または絶縁スペーサ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/37 | ・・・集積装置または複数の装置の組立体を通して光を部分的に透過させるための手段を備えるもの，例．窓用の部分的に透明な薄膜光起電モジュール［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/40 | ・機械的に積み重ねられて配置された光起電セルを備えるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/50 | ・少なくとも１つの光起電セルおよび他の種類の半導体または固体構成部品を備える，集積装置（Ｈ１０Ｆ１９／７５が優先）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/70 | ・バイパスダイオードを備えるもの（接続箱の中のバイパスダイオードＨ０２Ｓ４０／３４）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/75 | ・・バイパスダイオードが，光起電セルと集積されまたは直接関連づけられているもの，例．同じ基板内または上に形成されるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/80 | ・封緘または容器であって，光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体のためのもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/85 | ・・保護バックシート［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 19/90 | ・光起電セル間を接続するための構造，例．相互接続または絶縁スペーサ（単一の基板上の薄膜光起電セル間Ｈ１０Ｆ１９／３５）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/00 | 個々の輻射線感応半導体装置であって，輻射線が装置を通る電流の流れを制御するもの，例．光検出器［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/10 | ・電位障壁を有さず，赤外線，可視光または紫外線の輻射に感応する装置，例．フォトレジスタ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/20 | ・電位障壁を有する装置，例． フォトトランジスタ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/21 | ・・赤外線，可視光または紫外線の輻射に感応する装置［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/22 | ・・・１つのみの電位障壁を有する装置，例．フォトダイオード［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/221 | ・・・・電位障壁がＰＮホモ接合であるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/222 | ・・・・電位障壁がＰＮヘテロ接合であるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/223 | ・・・・電位障壁がＰＩＮ障壁であるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/225 | ・・・・電位障壁がアバランシェモードで動作するもの，例．アバランシェフォトダイオード［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/227 | ・・・・電位障壁がショットキー障壁であるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/24 | ・・・２つのみの電位障壁を有する装置，例．バイポーラフォトトランジスタ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/26 | ・・・３つ以上の電位障壁を有する装置，例．フォトサイリスタ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/28 | ・・・電界効果作用に特徴のある装置，例．接合型電界効果フォトトランジスタ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/282 | ・・・・絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］，例．ＭＩＳＦＥＴ［金属－絶縁体－半導体電界効果トランジスタ］フォトトランジスタ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/29 | ・・超短波の輻射線，例．Ｘ線，ガンマ線または粒子線，に感応する装置［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/292 | ・・・バルク効果輻射線検出器，例．Ｇｅ－Ｌｉ補償ＰＩＮガンマ線検出器［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/295 | ・・・表面障壁または浅いＰＮ接合の輻射線検出器，例．表面障壁アルファ粒子検出器［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 30/298 | ・・・電界効果作用に特徴のある装置，例．ＭＩＳ型検出器［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 39/00 | グループＨ１０Ｆ３０／００に包含される，少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，例．フォトダイオードアレイを備える輻射線検出器［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 39/10 | ・集積装置［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 39/10@J | ・光通信用受光素子 | 2025年1月 |
| H10F 39/10@K | 特殊用途用固体撮像素子；特定用途用受光素子 | 2025年1月 |
| H10F 39/10@Z | その他のもの | 2025年1月 |
| H10F 39/12 | ・・固体撮像装置［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 39/12@D | パッケージ；フィルタ；チップ；表面層 | 2025年1月 |
| H10F 39/12@G | Ｈ１０Ｆ３９／１５，３９／１８以外の固体撮像装置，例．ＣＩＤ型，ＦＥＴ型，ＳＩＴ型またはＣＰＤ型 | 2025年1月 |
| H10F 39/12@Z | その他のもの | 2025年1月 |
| H10F 39/15 | ・・・電荷結合型［ＣＣＤ］固体撮像装置［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 39/15@B | ＣＣＤ型，例．ＦＴ方式，ＩＬ方式，ＬＡ方式，ＣＳ方式，クロスゲート方式または一次元用 | 2025年1月 |
| H10F 39/15@H | ・時間遅延積分［ＴＤＩ］型 | 2025年1月 |
| H10F 39/15@Z | その他のもの | 2025年1月 |
| H10F 39/18 | ・・・相補型金属－酸化膜－半導体［ＣＭＯＳ］固体撮像装置；フォトダイオードアレイ固体撮像装置［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 39/18@A | プレナ固体撮像素子，例．ＭＯＳ型 | 2025年1月 |
| H10F 39/18@C | 薄膜固体撮像素子 | 2025年1月 |
| H10F 39/18@E | ・・光導電層積層型 | 2025年1月 |
| H10F 39/18@F | ・ハイブリッド固体撮像素子 | 2025年1月 |
| H10F 39/18@Z | その他のもの | 2025年1月 |
| H10F 39/90 | ・複数の装置の組立体［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 39/95 | ・・グループＨ１０Ｆ３９／１０に包含される，少なくとも１つの集積装置を備えるもの，例．集積化された固体撮像装置を備えるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 55/00 | グループＨ１０Ｆ１０／００，Ｈ１０Ｆ１９／００またはＨ１０Ｆ３０／００に包含される輻射線感応半導体装置であって，電気光源と構造的に関連し，かつ当該電気光源に電気的または光学的に結合されたもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 55/00,500 | ・フォトインタラプタ；光センサ | 2025年1月 |
| H10F 55/00,510 | ・・輻射線感応半導体装置および電気光源が反射型配置のもの，例．反射型光センサ | 2025年1月 |
| H10F 55/00,520 | ・・輻射線感応半導体装置および電気光源が対向型配置のもの，例．対向型フォトインタラプタ | 2025年1月 |
| H10F 55/00,530 | ・・輻射線感応半導体装置および電気光源が１つの共通基板内または上に形成されたもの，例．モノリシック型 | 2025年1月 |
| H10F 55/10 | ・輻射線感応半導体装置が電気光源を制御するもの，例． 像変換器，像増幅器または像蓄積装置［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 55/10,500 | ・・光－光変換デバイス；像変換デバイス | 2025年1月 |
| H10F 55/15 | ・・輻射線感応装置および電気光源がすべて半導体装置であるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 55/155 | ・・・１つの共通基板内または上に形成されたもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 55/20 | ・電気光源が輻射線感応半導体装置を制御するもの，例．オプトカプラ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 55/25 | ・・輻射線感応装置および電気光源がすべて半導体装置であるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 55/25,510 | ・・・輻射線感応半導体装置および電気光源が反射型配置のもの，例．反射型オプトカプラ | 2025年1月 |
| H10F 55/25,520 | ・・・輻射線感応半導体装置および電気光源が対向型配置のもの，例．対向型オプトカプラ | 2025年1月 |
| H10F 55/255 | ・・・１つの共通基板内または上に形成されたもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 71/00 | このサブクラスに包含される装置の製造または処理（光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体における，薄膜光起電セルを接続するためのパターニング工程Ｈ１０Ｆ１９／３３；光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体のための，封緘または容器の製造または処理Ｈ１０Ｆ１９／８０；輻射線が電流の流れを制御する少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，の製造または処理Ｈ１０Ｆ３９／００）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 71/00,100 | ・光起電装置の製造または処理 | 2025年1月 |
| H10F 71/00,120 | ・・薄膜形成技術に特徴のあるもの | 2025年1月 |
| H10F 71/00,122 | ・・・塗布によるもの | 2025年1月 |
| H10F 71/00,124 | ・・・連続処理によるもの，例．ロール・ツー・ロール | 2025年1月 |
| H10F 71/00,140 | ・・ドーピング方法に特徴のあるもの | 2025年1月 |
| H10F 71/00,160 | ・・基板の機械的加工，例．スライシング，貼り合わせ，剥離 | 2025年1月 |
| H10F 71/10 | ・その装置がアモルファス半導体材料からなるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/00 | このサブクラスに包含される装置の構造的細部（輻射線が電流の流れを制御する少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，の構造的細部Ｈ１０Ｆ３９／００）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/10 | ・半導体本体［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/12 | ・・活性材料［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/121 | ・・・セレンのみまたはテルルのみからなるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/122 | ・・・ＩＶ族の材料のみからなるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/1223 | ・・・・ドーパントに特徴のあるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/1226 | ・・・・複数のＩＶ族元素からなるもの，例．ＳｉＣ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/123 | ・・・ＩＩ－ＶＩ族の材料のみからなるもの，例．ＣｄＳ，ＺｎＳまたはＨｇＣｄＴｅ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/124 | ・・・ＩＩＩ－Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/14 | ・・半導体本体の形状；半導体本体の内部の半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/14,100 | ・・・光起電装置の半導体本体の形状；光起電装置の半導体本体の内部の半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列 | 2025年1月 |
| H10F 77/14,120 | ・・・・量子構造，例．超格子，多重量子井戸 | 2025年1月 |
| H10F 77/14,122 | ・・・・・量子ドット | 2025年1月 |
| H10F 77/14,124 | ・・・・・ナノロッド | 2025年1月 |
| H10F 77/14,140 | ・・・・球状 | 2025年1月 |
| H10F 77/16 | ・・材料の構造，例．結晶構造，膜構造または結晶面の方位［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/162 | ・・・非単結晶材料，例．絶縁材料に埋め込まれた半導体粒子（Ｈ１０Ｆ７７／１６９が優先）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/164 | ・・・・多結晶半導体［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/166 | ・・・・アモルファス半導体［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/169 | ・・・金属基板または絶縁基板上の半導体薄膜［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/20 | ・電極［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/20,100 | ・・光起電装置の電極 | 2025年1月 |
| H10F 77/20,120 | ・・・集電電極の構造 | 2025年1月 |
| H10F 77/20,140 | ・・・導電ペースト | 2025年1月 |
| H10F 77/20,160 | ・・・透明電極 | 2025年1月 |
| H10F 77/30 | ・コーティング（粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防ぐための装置Ｈ１０Ｆ７７／８０）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/40 | ・光学素子または光学装置（表面テクスチャＨ１０Ｆ７７／７０）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/42 | ・・光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたもの，例．光反射手段または集光手段［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/45 | ・・・波長変換手段，例．ルミネッセント材料，蛍光性集光器またはアップコンバージョン装置を用いることによるもの［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/48 | ・・・背面反射器［ＢＳＲ］［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/50 | ・封緘または容器（光起電モジュールのためのものＨ１０Ｆ１９／８０）［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/60 | ・冷却，加熱，換気または温度変動補償のための装置［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/63 | ・・光起電セルと直接関連づけられまたは集積された冷却装置，例．光起電セルと直接関連づけられたヒートシンク又は能動冷却のために集積されたペルチェ素子［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/67 | ・・・光起電セルと直接関連づけられる熱エネルギーを利用するための手段を含むもの，例．集積されたゼーベック素子［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/70 | ・表面テクスチャ，例．ピラミッド構造［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/70,100 | ・・光起電装置の表面テクスチャ | 2025年1月 |
| H10F 77/70,120 | ・・・薄膜太陽電池の表面テクスチャ | 2025年1月 |
| H10F 77/80 | ・粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防止するための装置，例．宇宙応用のため［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 77/90 | ・光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたエネルギー蓄積手段，例．光起電セルと集積されたコンデンサ［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 99/00 | このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２５．０１］ | 2025年1月 |
| H10F 99/00,100 | ・Ｈ１０Ｆ１０／００－１９／９０に分類されない起電装置 | 2025年1月 |