H10DのFI改正情報

新設
FI タイトル 付与開始時期
H10D 1/00 抵抗器，キャパシタまたはインダクタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 1/20 ・インダクタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 1/40 ・抵抗器［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 1/43 ・・ＰＮ接合を有する抵抗器［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 1/47 ・・電位障壁を有さない抵抗器［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 1/47,101 ・・・薄膜抵抗 2025年1月
H10D 1/47,102 ・・・拡散抵抗 2025年1月
H10D 1/60 ・キャパシタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 1/62 ・・電位障壁を有するキャパシタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 1/62@A 集積回路に用いるもの 2025年1月
H10D 1/62@C 複合形キャパシタ（Ａが優先） 2025年1月
H10D 1/62@Z その他のもの 2025年1月
H10D 1/64 ・・・可変容量ダイオード，例．バラクタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 1/64@A 集積回路に用いるもの 2025年1月
H10D 1/64@C 容量制御に他の電気的手段を付加したもの 2025年1月
H10D 1/64@H 超階段接合を利用したもの 2025年1月
H10D 1/64@S ショットキーバリアを利用したもの 2025年1月
H10D 1/64@Z その他のもの 2025年1月
H10D 1/66 ・・・導体－絶縁体－半導体構造のキャパシタ，例．ＭＯＳキャパシタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 1/66@A 集積回路に用いるもの 2025年1月
H10D 1/66@C 容量制御に他の電気的手段を付加したもの 2025年1月
H10D 1/66@Z その他のもの 2025年1月
H10D 1/68 ・・電位障壁を有さないキャパシタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/00 ダイオード（可変容量ダイオードＨ１０Ｄ１／６４；ゲートダイオードＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/01@A 整流ダイオード，例．ＰＮダイオード，ＰＩＮダイオード，の製法方法に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 8/01@B ・高耐圧化のためのもの 2025年1月
H10D 8/01@S ショットキーバリアダイオードの製造方法に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 8/01@Z その他のもの 2025年1月
H10D 8/20 ・ブレークダウンダイオード，例．アバランシェダイオード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/20@P パンチスルー型定電圧ダイオード 2025年1月
H10D 8/20@Z その他のもの 2025年1月
H10D 8/25 ・・ツェナーダイオード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/25@C 温度補償をしたもの 2025年1月
H10D 8/25@S 双方向性のもの 2025年1月
H10D 8/25@Z その他のもの 2025年1月
H10D 8/30 ・点接触ダイオード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/40 ・トランジットタイムダイオード，例．ＩＭＰＡＴＴダイオードまたはＴＲＡＰＡＴＴダイオード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/50 ・ＰＩＮダイオード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/50@C 構造に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 8/50@D ・高耐圧化のためのもの 2025年1月
H10D 8/50@E 半導体本体が非単結晶シリコンからなるもの 2025年1月
H10D 8/50@F 半導体本体がシリコン以外のもの 2025年1月
H10D 8/50@G ・半導体本体が有機物からなるもの 2025年1月
H10D 8/50@H ヘテロ接合を用いたもの 2025年1月
H10D 8/50@J ライフタイムキラーに関するもの 2025年1月
H10D 8/50@K 複数ダイオードの組合せに関するもの 2025年1月
H10D 8/50@L 集積化に関するもの 2025年1月
H10D 8/50@Z その他のもの 2025年1月
H10D 8/60 ・ショットキーバリアダイオード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/60@D 半導体本体がシリコン以外のもの 2025年1月
H10D 8/60@E 周辺効果の緩和 2025年1月
H10D 8/60@F 素子構造 2025年1月
H10D 8/60@M ショットキー用電極の材料が限定されているもの 2025年1月
H10D 8/60@Z その他のもの 2025年1月
H10D 8/70 ・トンネル効果ダイオード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/70@F 絶縁層を用いているもの 2025年1月
H10D 8/70@S 超格子構造を用いているもの 2025年1月
H10D 8/70@Z その他のもの 2025年1月
H10D 8/75 ・・トンネル効果ＰＮダイオード，例．エサキダイオード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 8/80 ・ＰＮＰＮダイオード，例．ショックレーダイオードまたはブレークオーバーダイオード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 10/00 バイポーラトランジスタ［ＢＪＴ］［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 10/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 10/40 ・縦型バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 10/40@P プレーナ型バイポーラトランジスタ 2025年1月
H10D 10/40@S セルフアライン型バイポーラトランジスタ，例．ＳＳＴ，ＳＥＢＴ 2025年1月
H10D 10/40@Z その他のもの 2025年1月
H10D 10/60 ・横型バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 10/80 ・ヘテロ接合バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 12/00 電界効果により制御されるバイポーラ装置，例．絶縁ゲートバイポーラトランジスタ［ＩＧＢＴ］［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 12/00,101 ・半導体領域に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,101@A トランジスタセルに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,101@B ・エミッタ領域 2025年1月
H10D 12/00,101@C ・ベース領域；ボディ領域 2025年1月
H10D 12/00,101@D ・・高濃度部；低抵抗部 2025年1月
H10D 12/00,101@E ・・チャネル部 2025年1月
H10D 12/00,101@F ・セルを構成する不純物領域等の平面形状または配置パターンに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,101@G コレクタ領域に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,101@H ドリフト領域に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,101@J ・超接合を有するもの 2025年1月
H10D 12/00,101@K ・ＪＦＥＴ領域を有するもの 2025年1月
H10D 12/00,101@L ・ドリフト領域表面に同一導電型で濃度が異なる領域を有するもの 2025年1月
H10D 12/00,101@M ・ドリフト領域表面に他導電型の領域を有するもの 2025年1月
H10D 12/00,101@P バッファ層に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,101@R ・ドリフト領域とコレクタ電極とを部分的に短絡するもの 2025年1月
H10D 12/00,101@S キャリアの引き抜きのための領域を追加したもの 2025年1月
H10D 12/00,101@T 基板の構成材料等に特徴のあるもの，例．化合物半導体を用いたもの，面方位に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,101@Z その他のもの 2025年1月
H10D 12/00,102 ・電極に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,102@A ・ゲート電極の形状に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,102@B ・ゲート絶縁膜の形状に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,102@C ・ゲートに付帯する導電体，例．ダミーゲート，を有するもの 2025年1月
H10D 12/00,102@D ・複数層からなるもの 2025年1月
H10D 12/00,102@E ・形状に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,102@F ・・コンタクト部が平面でないもの 2025年1月
H10D 12/00,102@G ＭＯＳゲート，例．電極，絶縁膜，シールド構造，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,102@S エミッタ電極に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,102@Z その他のもの 2025年1月
H10D 12/00,103 ・チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,103@A 終端領域の耐圧構造に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,103@B ・セル領域を囲む不純物領域及び電極を有するもの，例．ガードリング及びフィールドプレートを有するもの 2025年1月
H10D 12/00,103@C ・セル領域を囲む不純物領域を有するもの（Ｂが優先） 2025年1月
H10D 12/00,103@D ・セル領域を囲む電極を有するもの（Ｂが優先） 2025年1月
H10D 12/00,103@Q 配線，パッドまたは実装関係に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,103@R 分離領域に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,103@S 複数のトランジスタセルの平面形状または配置パターンに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,103@Z その他のもの 2025年1月
H10D 12/00,201 ・ゲートがプレーナ型でないもの 2025年1月
H10D 12/00,201@A ゲートを溝の内部に形成したもの，例．Ｖ溝型ＭＯＳ［ＶＭＯＳ］，トレンチゲート型ＭＯＳ［ＵＭＯＳ］ 2025年1月
H10D 12/00,201@B ・チャネル領域，エミッタ，コレクタ領域を溝の内部に形成したもの 2025年1月
H10D 12/00,201@C ゲートを埋め込み形成したもの 2025年1月
H10D 12/00,201@D ＳＯＩまたはＳＩＭＯＸ技術を利用したもの 2025年1月
H10D 12/00,201@Z その他のもの 2025年1月
H10D 12/00,202 ・動作に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/00,202@A ベース領域にバイアスを印加するもの 2025年1月
H10D 12/00,202@B 少数キャリア注入領域をもつもの 2025年1月
H10D 12/00,202@C ＭＯＳ型ＳＩＴ 2025年1月
H10D 12/00,202@Z その他のもの 2025年1月
H10D 12/00,301 ・横型ＩＧＢＴ 2025年1月
H10D 12/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 12/01@A 不純物領域の形成工程に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/01@B ・セルフアライン拡散 2025年1月
H10D 12/01@C ・・ベースウエル中央部の位置の制御 2025年1月
H10D 12/01@D ・・ゲート電極端部の位置の制御，例．側壁酸化 2025年1月
H10D 12/01@E 不純物層の成長工程に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/01@F 絶縁層または導電層の形成工程に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/01@G エッチングに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/01@H ライフタイム制御に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/01@J パッシベーションに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/01@K ウエハの貼り合わせに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/01@L 検査，測定またはシミュレーションに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 12/01@Z その他のもの 2025年1月
H10D 18/00 サイリスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 18/00@A エミッタ短絡構造 2025年1月
H10D 18/00@B 表面構造，例．パッシベーション，ガードリング，溝 2025年1月
H10D 18/00@C 逆阻止サイリスタ 2025年1月
H10D 18/00@D Ｔｏｎ特性またはゲート構造 2025年1月
H10D 18/00@E 感光または発光サイリスタ 2025年1月
H10D 18/00@F ＰＮＰＮ一般 2025年1月
H10D 18/00@G プレーナ技術または集積化 2025年1月
H10D 18/00@H 逆導通サイリスタ 2025年1月
H10D 18/00@J サイリスタ電極構造 2025年1月
H10D 18/00@L 支持体 2025年1月
H10D 18/00@M 静電誘導サイリスタ 2025年1月
H10D 18/00@P 外部素子 2025年1月
H10D 18/00@R 感熱サイリスタ 2025年1月
H10D 18/00@S 感圧サイリスタ 2025年1月
H10D 18/00@T 感磁サイリスタ 2025年1月
H10D 18/00@U サイリスタ一般 2025年1月
H10D 18/00@V ・傾斜面，例．ベベル，を有するもの 2025年1月
H10D 18/00@W ・平面パターン，例．多島状エミッタ，くしの歯状電極 2025年1月
H10D 18/00@X ・トレンチゲート；切込ゲート 2025年1月
H10D 18/00@Y ・両面ゲート 2025年1月
H10D 18/00@Z その他のもの 2025年1月
H10D 18/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 18/01@A サイリスタの製造のための単一段階工程に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 18/01@B サイリスタの製造のための多段階工程に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 18/01@C ・双方向サイリスタのためのもの 2025年1月
H10D 18/01@Z その他のもの 2025年1月
H10D 18/40 ・電界効果によりターンオンするもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 18/40@A ＭＯＳＦＥＴを用いたもの，例．ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＭＣＴ］ 2025年1月
H10D 18/40@B 導電度変調，例．ＩＧＢＴモード，を用いたもの，例．Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｓｗｉｔｃｈｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＥＳＴ］ 2025年1月
H10D 18/40@C 導電型の異なる複数ＦＥＴを用いたもの，例．Ｂａｓｅ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＢＲＴ］ 2025年1月
H10D 18/40@Z その他のもの 2025年1月
H10D 18/60 ・ゲートターンオフサイリスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 18/65 ・・電界効果によりターンオフするもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 18/65@A ＭＯＳＦＥＴを用いたもの，例．ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＭＣＴ］ 2025年1月
H10D 18/65@B 導電度変調，例．ＩＧＢＴモード，を用いたもの，例．Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｓｗｉｔｃｈｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＥＳＴ］ 2025年1月
H10D 18/65@C 導電型の異なる複数ＦＥＴを用いたもの，例．Ｂａｓｅ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ［ＢＲＴ］ 2025年1月
H10D 18/65@Z その他のもの 2025年1月
H10D 18/80 ・双方向サイリスタ，例．トライアック［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/00 電界効果トランジスタ［ＦＥＴ］（絶縁ゲートバイポーラトランジスタＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/01,101 ・・Ｈ１０Ｄ３０／６０～Ｈ１０Ｄ３０／６５に包含されるトランジスタの製造または処理，例．絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］の製造 2025年1月
H10D 30/01,101@F 単一のプロセスのみに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,101@P ＭＯＳプロセス，例．ソース，ドレイン領域形成，セルファラインおよび電極形成，のうちのいずれか一つのみに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,101@T 試験または測定に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,101@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/01,201 ・・Ｈ１０Ｄ３０／６７またはＨ１０Ｄ３０／４７，１０１に包含されるトランジスタの製造または処理，例．薄膜トランジスタ［ＴＦＴ］の製造 2025年1月
H10D 30/01,202 ・・・ソース，ドレインの製造または処理に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,202@J ソース，ドレインの形成方法に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,202@K ・ソース，ドレイン電極の形成方法に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,202@L ・ソース，ドレイン領域の形成方法に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,202@M ・・セルフアライン 2025年1月
H10D 30/01,202@N ・・・裏面からの露光によるもの 2025年1月
H10D 30/01,202@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/01,203 ・・・ゲートの製造または処理に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,203@V ゲート絶縁膜の形成方法に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,203@W ・陽極酸化法を用いるもの 2025年1月
H10D 30/01,203@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/01,204 ・・・チャネル半導体層の堆積方法に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,205 ・・・試験，測定またはシミュレーションに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,206 ・・・その他のプロセスに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,206@A 平坦化 2025年1月
H10D 30/01,206@B 連続形成 2025年1月
H10D 30/01,206@C パターニング 2025年1月
H10D 30/01,206@D 貼り合わせ 2025年1月
H10D 30/01,206@E ダングリングボンドの終端化を行うもの，例．水素化 2025年1月
H10D 30/01,206@F アニール 2025年1月
H10D 30/01,206@G ・再結晶化；単結晶化 2025年1月
H10D 30/01,206@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/01,301 ・・Ｈ１０Ｄ３０／６６に包含されるトランジスタの製造または処理，例．縦型ＤＭＯＳ［ＶＤＭＯＳ］電界効果トランジスタの製造 2025年1月
H10D 30/01,301@A 不純物領域の形成工程に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,301@B ・セルフアライン拡散 2025年1月
H10D 30/01,301@C ・・ベースウエル中央部の位置の制御 2025年1月
H10D 30/01,301@D ・・ゲート電極端部の位置の制御，例．側壁酸化 2025年1月
H10D 30/01,301@E 不純物層の成長工程に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,301@F 絶縁層または導電層の形成工程に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,301@G エッチングに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,301@H ライフタイム制御に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,301@J パッシベーションに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,301@K ウエハの貼り合わせに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,301@L 検査，測定またはシミュレーションに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/01,301@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/01,401 ・・Ｈ１０Ｄ３０／８０～Ｈ１０Ｄ３０／８７またはＨ１０Ｄ３０／４７，２０１に包含されるトランジスタの製造または処理，例．整流接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタまたは高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］の製造 2025年1月
H10D 30/01,501 ・・Ｈ１０Ｄ３０／６８～Ｈ１０Ｄ３０／６９に包含されるトランジスタの製造または処理，例．フローティングゲートまたは電荷トラッピングゲート絶縁体を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造 2025年1月
H10D 30/40 ・０次元，１次元または２次元キャリアガスチャネルを有する電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/43 ・・１次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．量子細線電界効果トランジスタまたは１次元量子閉じ込めチャネルを有するトランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/47 ・・２次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．ナノリボン電界効果トランジスタまたは高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/47,101 ・・・ナノカーボン，例．ナノリボン，を用いたトランジスタ 2025年1月
H10D 30/47,201 ・・・高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］ 2025年1月
H10D 30/60 ・絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/60@B 化合物半導体を用いるもの 2025年1月
H10D 30/60@C ＭＯＳＩＣに用いられるもの 2025年1月
H10D 30/60@E 回路構成のみに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/60@G ゲート電極構造のみに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/60@H チャネル構造のみに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/60@J とくに動作に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/60@K 保護装置 2025年1月
H10D 30/60@L ＬＤＤ 2025年1月
H10D 30/60@M メモリーに用いられるもの，例．１Ｔｒ．ＤＲＡＭセル 2025年1月
H10D 30/60@N パッシベーション構造のみに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/60@Q 結晶方位の選択のみに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/60@R 分離領域のみに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/60@S ソース，ドレイン領域のみに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/60@U ＩＳＦＥＴ 2025年1月
H10D 30/60@V 溝ほりゲートを持つもの 2025年1月
H10D 30/60@W 高耐圧化，大電流化，例．並列化 2025年1月
H10D 30/60@X その他のＭＯＳ構造 2025年1月
H10D 30/60@Z その他，例．構造およびプロセスの双方に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/62 ・・フィン電界効果トランジスタ［ＦｉｎＦＥＴ］［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/63 ・・縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／６６が優先）［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/64 ・・二重拡散金属酸化物［ＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/65 ・・・横型ＤＭＯＳ［ＬＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/66 ・・・縦型ＤＭＯＳ［ＶＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/66,101 ・・・・半導体領域に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,101@A トランジスタセルに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,101@B ・ソース領域 2025年1月
H10D 30/66,101@C ・ベース領域；ボディ領域 2025年1月
H10D 30/66,101@D ・・高濃度部；低抵抗部 2025年1月
H10D 30/66,101@E ・・チャネル部 2025年1月
H10D 30/66,101@F ・セルを構成する不純物領域等の平面形状または配置パターンに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,101@G ドレイン領域に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,101@H ドリフト領域に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,101@J ・超接合を有するもの 2025年1月
H10D 30/66,101@K ・ＪＦＥＴ領域を有するもの 2025年1月
H10D 30/66,101@L ・ドリフト領域表面に同一導電型で濃度が異なる領域を有するもの 2025年1月
H10D 30/66,101@M ・ドリフト領域表面に他導電型の領域を有するもの 2025年1月
H10D 30/66,101@T 基板の構成材料等に特徴のあるもの，例．化合物半導体を用いたもの，面方位に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,101@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/66,102 ・・・・電極に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,102@A ・ゲート電極の形状に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,102@B ・ゲート絶縁膜の形状に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,102@C ・ゲートに付帯する導電体，例．ダミーゲート，を有するもの 2025年1月
H10D 30/66,102@D ・複数層からなるもの 2025年1月
H10D 30/66,102@E ・形状に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,102@F ・・コンタクト部が平面でないもの 2025年1月
H10D 30/66,102@G ＭＯＳゲート，例．電極，絶縁膜，シールド構造，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,102@S ソース電極に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,102@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/66,103 ・・・・チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,103@A 終端領域の耐圧構造に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,103@B ・セル領域を囲む不純物領域及び電極を有するもの，例．ガードリング及びフィールドプレートを有するもの 2025年1月
H10D 30/66,103@C ・セル領域を囲む不純物領域を有するもの（Ｂが優先） 2025年1月
H10D 30/66,103@D ・セル領域を囲む電極を有するもの（Ｂが優先） 2025年1月
H10D 30/66,103@Q 配線，パッドまたは実装関係に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,103@R 分離領域に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,103@S 複数のトランジスタセルの平面形状または配置パターンに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,103@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/66,201 ・・・・ゲートがプレーナ型でないもの 2025年1月
H10D 30/66,201@A ゲートを溝の内部に形成したもの，例．Ｖ溝型ＭＯＳ［ＶＭＯＳ］，トレンチゲート型ＭＯＳ［ＵＭＯＳ］ 2025年1月
H10D 30/66,201@B ・チャネル領域，ソース，ドレイン領域を溝の内部に形成したもの 2025年1月
H10D 30/66,201@C ゲートを埋め込み形成したもの 2025年1月
H10D 30/66,201@D ＳＯＩまたはＳＩＭＯＸ技術を利用したもの 2025年1月
H10D 30/66,201@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/66,202 ・・・・動作に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/66,202@A ベース領域にバイアスを印加するもの 2025年1月
H10D 30/66,202@B 少数キャリア注入領域をもつもの 2025年1月
H10D 30/66,202@C ＭＯＳ型ＳＩＴ 2025年1月
H10D 30/66,202@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/67 ・・薄膜トランジスタ［ＴＦＴ］［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/67,101 ・・・ソース，ドレインに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,101@A ＬＤＤ，例．構造，製法，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,101@S ソース，ドレイン領域，電極の構造に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,101@T ・形状に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,101@U ・複数層 2025年1月
H10D 30/67,101@V ・材料，不純物濃度等に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,101@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/67,102 ・・・ゲートに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,102@A オフセットゲート，例．構造，製法，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,102@J ゲート電極に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,102@K ・形状に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,102@L ・複数層 2025年1月
H10D 30/67,102@M ・材料，不純物濃度等に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,102@N ・ゲート電極を複数有するもの 2025年1月
H10D 30/67,102@S ゲート絶縁膜に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,102@T ・材料に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,102@U ・複数層 2025年1月
H10D 30/67,102@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/67,103 ・・・チャネル半導体層に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,103@B 材料に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,103@C 形状に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,103@D ・薄膜化 2025年1月
H10D 30/67,103@E 複数層 2025年1月
H10D 30/67,103@F 不純物，不純物濃度等に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,103@G ・キャリアにならない不純物を含むもの 2025年1月
H10D 30/67,103@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/67,104 ・・・パッシベーションに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,104@A 絶縁膜，例．構造，製法，材料，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,104@B 遮光膜，例．構造，製法，材料，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,104@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/67,201 ・・・結晶方位の選択に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,202 ・・・分離領域に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,203 ・・・特に動作に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,204 ・・・保護装置；保護回路 2025年1月
H10D 30/67,204@A 静電破壊防止，例．イオン注入時，ラビリング時の静電破壊防止 2025年1月
H10D 30/67,204@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/67,205 ・・・ＩＳＦＥＴ 2025年1月
H10D 30/67,206 ・・・その他の構造 2025年1月
H10D 30/67,206@A 縦型構造 2025年1月
H10D 30/67,206@B キンク防止 2025年1月
H10D 30/67,206@C 表面層を含む基板に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 30/67,206@D ・基板がＳＯＳからなるもの 2025年1月
H10D 30/67,206@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/68 ・・フローティングゲートを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/69 ・・電荷トラッピングゲート絶縁体を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＭＮＯＳトランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/80 ・整流接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/80@A 素子の種類 2025年1月
H10D 30/80@P 保護機能を有するもの 2025年1月
H10D 30/80@S ・横型ＳＩＴ 2025年1月
H10D 30/80@V ・縦型ＦＥＴ 2025年1月
H10D 30/80@W Ｄｕａｌ　Ｇａｔｅ構造を有するもの 2025年1月
H10D 30/80@Z その他のもの 2025年1月
H10D 30/83 ・・ＰＮ接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/87 ・・ショットキーゲート電極を有する電界効果トランジスタ，例．金属－半導体電界効果トランジスタ［ＭＥＳＦＥＴ］［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 30/87@B ＭＥＳ型ＦＥＴ 2025年1月
H10D 30/87@E ・集積化 2025年1月
H10D 30/87@F ・電極に特徴を有するもの 2025年1月
H10D 30/87@G ・実装 2025年1月
H10D 30/87@K ・・斜め蒸着の利用 2025年1月
H10D 30/87@L ・・電極平面構造 2025年1月
H10D 30/87@M ・・ゲート電極材料 2025年1月
H10D 30/87@Q ・表面高抵抗層を有するもの 2025年1月
H10D 30/87@R ・整合回路，帰還回路等を一体化したもの 2025年1月
H10D 30/87@S ・・オーミック電極，例．ソース電極，ドレイン電極 2025年1月
H10D 30/87@U ・・裏面電極取出し 2025年1月
H10D 30/87@Z その他のもの 2025年1月
H10D 44/00 電荷転送装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 44/00@A ・転送部 2025年1月
H10D 44/00@B ・・駆動回路 2025年1月
H10D 44/00@C ・入力部；出力部；再成部 2025年1月
H10D 44/00@D 構造 2025年1月
H10D 44/00@E 応用素子 2025年1月
H10D 44/00@F ・シフトレジスタ；遅延線 2025年1月
H10D 44/00@G ・記憶装置 2025年1月
H10D 44/00@H ・フィルタ 2025年1月
H10D 44/00@J ・撮像素子 2025年1月
H10D 44/00@K 超音波駆動によるもの 2025年1月
H10D 44/00@L バケット・ブリゲート素子 2025年1月
H10D 44/00@Z その他のもの 2025年1月
H10D 44/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 44/40 ・電荷結合装置［ＣＣＤ］［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 44/45 ・・絶縁ゲート電極により生じる電界効果をもつもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/00 グループＨ１０Ｄ１／００～Ｈ１０Ｄ４４／００に包含されない個々の装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/00,101 ・デバイスシミュレーション 2025年1月
H10D 48/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/04 ・・結合していない形態のセレンまたはテルルからなる本体を有する装置のもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/042 ・・・基体板の処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/043 ・・・セレンまたはテルルの前処理，基体板への適用，または続いての結合処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/044 ・・・・セレンまたはテルルの導電状態への変換［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/045 ・・・・導電性にした後のセレンまたはテルル層の表面処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/046 ・・・・絶縁分離層の形成［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/047 ・・・基体板へ適用した後のセレンまたはテルルの露出面への電極の形成［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/048 ・・・完全装置の処理，例．障壁形成のためのエレクトロフォーミングによるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/049 ・・・・エージング［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/07 ・・酸化第一銅［Ｃｕ２Ｏ］またはヨウ化第一銅［Ｃｕｌ］からなる本体を有する装置のもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/30 ・電流または電圧により制御される装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/30@C 制御手段に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 48/30@E 電子放出素子，電界放出素子，例．冷陰極を用いた放出素子 2025年1月
H10D 48/30@L ・光を用いるもの 2025年1月
H10D 48/30@M ・磁界を用いるもの 2025年1月
H10D 48/30@S 単一電子トンネリング，例．クーロンブロッケード効果，を利用するもの 2025年1月
H10D 48/30@T トンネル効果を利用するもの（Ｓが優先） 2025年1月
H10D 48/30@U ・集積化，回路構成に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 48/30@Z その他のもの 2025年1月
H10D 48/32 ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に与えられる電流または電位のみにより制御される装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/34 ・・・バイポーラ装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/36 ・・・ユニポーラ装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/38 ・・整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に与えられる電流または電位の変化のみにより制御される装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/38@A 非単結晶を用いているもの 2025年1月
H10D 48/38@F 絶縁層を用いているもの 2025年1月
H10D 48/38@S 超格子構造を用いているもの 2025年1月
H10D 48/38@Z その他のもの 2025年1月
H10D 48/40 ・磁界により制御される装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/40@D ＳＭＤ 2025年1月
H10D 48/40@T ＳＭＴ 2025年1月
H10D 48/40@Z その他のもの 2025年1月
H10D 48/50 ・機械的力，例．圧力，により制御される装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 48/50@A 機械的力―電気変換 2025年1月
H10D 48/50@B シリコンダイアフラム 2025年1月
H10D 48/50@C 感圧ＦＥＴ 2025年1月
H10D 48/50@D 感圧ダイオード 2025年1月
H10D 48/50@E くびれ型感圧サイリスタ 2025年1月
H10D 48/50@F 感圧トランジスタ 2025年1月
H10D 48/50@G 加圧機構 2025年1月
H10D 48/50@H ＳｎＯ２；深い準位を有するもの 2025年1月
H10D 48/50@J 超音波変換 2025年1月
H10D 48/50@Z その他のもの 2025年1月
H10D 62/00 電位障壁を有する装置の半導体本体，またはその領域［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/10 ・半導体本体の領域の形状，相対的な大きさまたは配置；半導体本体の形状［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/10,101 ・・耐圧構造 2025年1月
H10D 62/10,101@D 半導体領域に特徴のあるもの，例．不純物濃度，形状，寸法，配置，に特徴のあるもの（Ｒが優先） 2025年1月
H10D 62/10,101@F フィールドプレートを用いるもの 2025年1月
H10D 62/10,101@G ・ガードリング，電界制限リングを用いるもの 2025年1月
H10D 62/10,101@M 溝または傾斜面，例．メサ，ベベル，を形成するもの 2025年1月
H10D 62/10,101@R 断面，平面等の曲率を制御するもの 2025年1月
H10D 62/10,101@S 半絶縁性膜，高抵抗膜を用いるもの 2025年1月
H10D 62/10,101@V 縦型素子用のもの 2025年1月
H10D 62/10,101@Z その他のもの 2025年1月
H10D 62/10,201 ・・特殊構造 2025年1月
H10D 62/10,201@B 立体型素子，例．球状半導体 2025年1月
H10D 62/10,201@N ナノ構造体，例．原子レベル，分子レベルの操作によるもの 2025年1月
H10D 62/10,201@Z その他のもの 2025年1月
H10D 62/13 ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流す電極と接続されている半導体領域，例．ソースまたはドレイン領域［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/17 ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極と接続されている半導体領域，例．チャネル領域［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/40 ・結晶構造［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/50 ・物理的不完全性［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/53 ・・不完全性が半導体本体の内部にあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/57 ・・不完全性が半導体本体の表面にあるもの，例．粗面を有する半導体本体［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/60 ・不純物の分布または濃度［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/80 ・材料に特徴のあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/81 ・・量子閉じ込め効果を示す構造のもの，例．単一量子井戸；周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/81@D 量子ドット；量子島 2025年1月
H10D 62/81@L 量子細線 2025年1月
H10D 62/81@W 量子井戸 2025年1月
H10D 62/81@Z その他のもの 2025年1月
H10D 62/815 ・・・周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの，例．超格子または多重量子井戸［ＭＱＷ］［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/82 ・・ヘテロ接合［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/822 ・・・ＩＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．Ｓｉ／Ｇｅヘテロ接合［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/824 ・・・ＩＩＩーＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ接合［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/826 ・・・ＩＩーＶＩ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＣｄＴｅ／ＨｇＴｅヘテロ接合［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/83 ・・ＩＶ族材料であるもの，例．ＢドープＳｉまたはアンドープＧｅ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/832 ・・・２つ以上の元素からなるＩＶ族材料であるもの，例．ＳｉＧｅ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/834 ・・・さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/84 ・・セレンまたはテルルのみであるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/85 ・・ＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＧａＡｓ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/852 ・・・３つ以上の元素からなるＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｓＳｂＰ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/854 ・・・さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/86 ・・ＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＺｎＯ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/862 ・・・３つ以上の元素からなるＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＣｄＺｎＴｅ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 62/864 ・・・さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/00 電位障壁を有する装置の電極［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/01@A 前処理に関するもの 2025年1月
H10D 64/01@B 後処理に関するもの 2025年1月
H10D 64/01@C 試験または検査に関するもの 2025年1月
H10D 64/01@D 露光処理に特徴を有するもの 2025年1月
H10D 64/01@E エッチング，リフトオフまたは研磨によるもの 2025年1月
H10D 64/01@K 部分的変質法によるもの 2025年1月
H10D 64/01@L 電極取出用の孔開に関するもの 2025年1月
H10D 64/01@M 導電層の形成に関するもの 2025年1月
H10D 64/01@S 絶縁層の形成に関するもの 2025年1月
H10D 64/01@Z その他のもの 2025年1月
H10D 64/20 ・形状，相対的な大きさまたは配置に特徴のある電極［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/20@F フィールドプレート 2025年1月
H10D 64/20@Z その他のもの 2025年1月
H10D 64/23 ・・整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す電極，例．ソース，ドレイン，アノードまたはカソード［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/23@B バイポーラトランジスタ用のもの 2025年1月
H10D 64/23@D ダイオード用のもの 2025年1月
H10D 64/23@J 接合型またはＭＥＳ型用のもの 2025年1月
H10D 64/23@M ＭＩＳまたはＭＯＳトランジスタ用のもの 2025年1月
H10D 64/23@Z その他のもの 2025年1月
H10D 64/27 ・・整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流さない電極，例．ゲート［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/27@G ＭＩＳまたはＭＯＳゲート用のもの 2025年1月
H10D 64/27@Z その他のもの 2025年1月
H10D 64/60 ・材料に特徴のある電極［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/62 ・・半導体とオーミック接続された電極［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/62@A シリコンを用いているもの 2025年1月
H10D 64/62@B 半導体本体がシリコン以外のもの 2025年1月
H10D 64/62@D ・シリコン電極上にシリサイドが形成されているもの 2025年1月
H10D 64/62@R 金属または金属化合物を用いているもの 2025年1月
H10D 64/62@S シリサイドを用いているもの 2025年1月
H10D 64/62@Z その他のもの 2025年1月
H10D 64/64 ・・半導体に対するショットキー障壁を備える電極［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/64@A シリコンを用いているもの 2025年1月
H10D 64/64@B 半導体本体がシリコン以外のもの 2025年1月
H10D 64/64@D ・シリコン電極上にシリサイドが形成されているもの 2025年1月
H10D 64/64@R 金属または金属化合物を用いているもの 2025年1月
H10D 64/64@S シリサイドを用いているもの 2025年1月
H10D 64/64@Z その他のもの 2025年1月
H10D 64/66 ・・絶縁体を介して半導体と容量結合された導体を有する電極，例．ＭＩＳ電極［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 64/66@A シリコンを用いているもの 2025年1月
H10D 64/66@B 半導体本体がシリコン以外のもの 2025年1月
H10D 64/66@D ・シリコン電極上にシリサイドが形成されているもの 2025年1月
H10D 64/66@R 金属または金属化合物を用いているもの 2025年1月
H10D 64/66@S シリサイドを用いているもの 2025年1月
H10D 64/66@Z その他のもの 2025年1月
H10D 64/68 ・・・絶縁体，例．ゲート絶縁体，に特徴のあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 80/00 このサブクラスに包含される，少なくとも１つの装置を備える，複数の装置の組立体［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 80/20 ・その少なくとも１つの装置がグループＨ１０Ｄ１／００～Ｈ１０Ｄ４８／００に包含されるもの，例．キャパシタ，パワー電界効果トランジスタまたはショットキーダイオードを含む組立体［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 80/30 ・その少なくとも１つの装置がグループＨ１０Ｄ８４／００～Ｈ１０Ｄ８６／００に包含されるもの，例．集積回路のプロセッサのチップを含む組立体［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/00 半導体層のみを備える半導体基板内または上，例．Ｓｉウェーハ上またはＳｉウェーハ上のＧａＡｓ上，に形成される集積装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/02 ・・材料に基づく技術を用いることに特徴のあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/03 ・・・ＩＶ族技術を用いるもの，例．Ｓｉ技術またはＳｉＣ技術［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/05 ・・・ＩＩＩーＶ族技術を用いるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/07 ・・・ＩＩーＶＩ族技術を用いるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/08 ・・・複数の技術の組み合わせを用いるもの，例．Ｓｉ技術とＳｉＣ技術の両方を用いるもの，またはＳｉ技術とＩＩＩーＶ族技術を用いるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/40 ・グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品と，グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品との集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタと絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/40@A 全体，例．複数素子の配置または製法，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/40@B バイポーラトランジスタの構成に特徴のあるもの（Ｃ～Ｊが優先） 2025年1月
H10D 84/40@C 素子分離 2025年1月
H10D 84/40@D ラッチアップ防止 2025年1月
H10D 84/40@E 基板；ウェル；埋込み層 2025年1月
H10D 84/40@F コンタクト；電極；配線 2025年1月
H10D 84/40@G 回路構成に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/40@H ・バイＭＯＳ複合機能素子 2025年1月
H10D 84/40@J ・特定用途用，例．論理回路，メモリ 2025年1月
H10D 84/40@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/60 ・グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/60,101 ・・サイリスタを集積するもの 2025年1月
H10D 84/60,201 ・・バイポーラトランジスタと他の素子を集積するもの 2025年1月
H10D 84/60,201@D バイポーラトランジスタとインダクタ，キャパシタ，抵抗またはダイオードからなるもの 2025年1月
H10D 84/60,201@P 保護回路 2025年1月
H10D 84/60,201@S バイポーラトランジスタとＳＩＴからなる論理回路 2025年1月
H10D 84/60,201@U バイポーラトランジスタとユニポーラトランジスタからなるもの 2025年1月
H10D 84/60,201@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/60,202 ・・バイポーラトランジスタのみを集積するもの 2025年1月
H10D 84/60,202@B バイポーラトランジスタからなるもの（Ｌ～Ｄが優先） 2025年1月
H10D 84/60,202@D ダーリントン接続 2025年1月
H10D 84/60,202@L バイポーラトランジスタからなる論理回路 2025年1月
H10D 84/60,202@T 特性が異なるバイポーラトランジスタからなるもの 2025年1月
H10D 84/60,202@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/63 ・・縦型バイポーラトランジスタと横型バイポーラトランジスタとの組み合わせ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/65 ・・集積注入論理［ＩＩＬ］［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/65@J インジェクタ 2025年1月
H10D 84/65@N インバータ 2025年1月
H10D 84/65@W ＩＩＬを含む回路 2025年1月
H10D 84/65@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/67 ・・相補型バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/80 ・グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/80,101 ・・絶縁ゲート電界効果トランジスタと他の素子を集積するもの 2025年1月
H10D 84/80,101@A 絶縁ゲート電界効果トランジスタと，受動素子またはダイオードを集積するもの 2025年1月
H10D 84/80,101@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/80,102 ・・・保護回路 2025年1月
H10D 84/80,102@A 抵抗を用いて保護したもの，コンタクト部に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/80,102@B ダイオードを用いて保護したもの 2025年1月
H10D 84/80,102@C バイポーラを含むＭＯＳ構造を用いて保護したもの 2025年1月
H10D 84/80,102@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/80,201 ・・・縦型ＩＧＢＴまたはＶＤＭＯＳを含むもの 2025年1月
H10D 84/80,202 ・・・・他のトランジスタまたは他種のパワー素子と組み合わせたもの 2025年1月
H10D 84/80,202@A 縦型トランジスタとの組み合わせ，例．Ｈブリッジ 2025年1月
H10D 84/80,202@B 横型トランジスタとの組み合わせ 2025年1月
H10D 84/80,202@C ・ＭＯＳ集積回路との組み合わせ，例．パワーＩＣ 2025年1月
H10D 84/80,202@D ・・構造に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/80,202@E ・・・パワー部と制御部の分離領域 2025年1月
H10D 84/80,202@F ・・・パワー部と制御部の配置パターン 2025年1月
H10D 84/80,202@G ・・製造方法に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/80,202@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/80,203 ・・・・保護素子または回路を組み込んだもの 2025年1月
H10D 84/80,203@A ダイオードを組み込んだもの 2025年1月
H10D 84/80,203@B ・ゲート保護ダイオード 2025年1月
H10D 84/80,203@C ・・ＳＯＩ構造のもの 2025年1月
H10D 84/80,203@D ・還流ダイオード 2025年1月
H10D 84/80,203@E トランジスタを組み込んだもの 2025年1月
H10D 84/80,203@F ・動作状態検出のためのトランジスタセル 2025年1月
H10D 84/80,203@G 回路構成に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/80,203@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/82 ・・電界効果構成部品のみを集積するもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/83 ・・・絶縁ゲート電界効果トランジスタのみを集積するもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/83,101 ・・・・寄生効果防止，例．素子分離 2025年1月
H10D 84/83,101@A 絶縁分離 2025年1月
H10D 84/83,101@B チャネルストッパー；ガードリング 2025年1月
H10D 84/83,101@C 基板；埋込み層 2025年1月
H10D 84/83,101@D ウェル 2025年1月
H10D 84/83,101@E ＳＯＳ；ＳＯＩ 2025年1月
H10D 84/83,101@F ダイオードまたは抵抗を用いたもの 2025年1月
H10D 84/83,101@G バイアスを与えたもの 2025年1月
H10D 84/83,101@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/83@A ＭＯＳ構造全体，例．複数素子の配置または製法，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/83@B チャネル構造またはソース，ドレイン構造 2025年1月
H10D 84/83@C ゲート電極；ゲート絶縁膜 2025年1月
H10D 84/83@D コンタクト；電極；配線 2025年1月
H10D 84/83@E 積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ 2025年1月
H10D 84/83@F ＭＯＳＩＣに対する保護回路 2025年1月
H10D 84/83@H メモリ；論理回路 2025年1月
H10D 84/83@J 回路構成に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/83@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/84 ・・・・エンハンスメントモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびデプレッションモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタの組み合わせ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/84@A 全体，例．複数素子の配置または製法，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/84@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/85 ・・・・相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＣＭＯＳ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/85@A ＣＭＯＳ全体，例．複数素子の配置または製法，に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/85@B ウェル；基板；埋込み層 2025年1月
H10D 84/85@C チャネル構造 2025年1月
H10D 84/85@D ゲート電極；ゲート絶縁膜 2025年1月
H10D 84/85@E ソース，ドレイン形成 2025年1月
H10D 84/85@F コンタクト；電極；配線 2025年1月
H10D 84/85@G 積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ 2025年1月
H10D 84/85@H ＣＭＯＳに対する保護回路 2025年1月
H10D 84/85@K メモリ；論理回路 2025年1月
H10D 84/85@L 回路構成に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 84/85@N 製造工程の簡略化 2025年1月
H10D 84/85@Z その他のもの 2025年1月
H10D 84/86 ・・ショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタを集積するもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/87 ・・ＰＮ接合ゲート電界効果トランジスタを集積するもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/90 ・マスタースライス集積回路［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 84/90,101 ・・バイポーラトランジスタを含む集積回路；電界効果トランジスタを含む集積回路（１０２が優先） 2025年1月
H10D 84/90,102 ・・絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む集積回路 2025年1月
H10D 86/00 絶縁性または導電性基板内または上に形成される集積装置，例．ＳＯＩ基板内，またはステンレスもしくはガラス基板上に形成されるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 86/01 ・製造または処理［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 86/01,101 ・・アクティブマトリクスのパターニングに特徴のあるもの 2025年1月
H10D 86/03 ・・基板がサファイアからなるもの，例．ＳＯＳ［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 86/40 ・複数の薄膜トランジスタに特徴のあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 86/40,101 ・・ＭＯＳＩＣに用いられるもの 2025年1月
H10D 86/40,101@A ＣＭＯＳ 2025年1月
H10D 86/40,101@B メモリ 2025年1月
H10D 86/40,101@Z その他のもの 2025年1月
H10D 86/40,102 ・・回路構成に特徴のあるもの，例．アクティブマトリクス回路自体 2025年1月
H10D 86/60 ・・複数の薄膜トランジスタがアクティブマトリクス中に存在するもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 86/60@A 素子または配線の欠陥の防止または修正 2025年1月
H10D 86/60@B 周辺回路と一体に形成されたもの 2025年1月
H10D 86/60@C 配線に特徴のあるもの 2025年1月
H10D 86/60@Z その他のもの 2025年1月
H10D 86/80 ・複数の受動構成部品，例．抵抗器，キャパシタまたはインダクタ，に特徴のあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 86/85 ・・受動構成部品のみに特徴のあるもの［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 86/85,101 ・・・厚膜回路 2025年1月
H10D 86/85,102 ・・・薄膜回路 2025年1月
H10D 86/85,103 ・・・厚膜トリミング；薄膜トリミング 2025年1月
H10D 87/00 同一基板上のバルク構成部品とＳＯＩまたはＳＯＳ構成部品を備える集積装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 88/00 ３次元集積装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 88/00@A 素子配置に特徴のある積層型 2025年1月
H10D 88/00@B 接着型 2025年1月
H10D 88/00@C ・接続構造 2025年1月
H10D 88/00@D ・単結晶絶縁体層介在型 2025年1月
H10D 88/00@E ・単結晶直接成長技術 2025年1月
H10D 88/00@F ・ＦＩＰＯＳ 2025年1月
H10D 88/00@H ・放熱構造；シールド構造 2025年1月
H10D 88/00@L ・まわり込み酸化 2025年1月
H10D 88/00@N ・半導体ｉ層介在型 2025年1月
H10D 88/00@P ・ポリアモルファス積層型 2025年1月
H10D 88/00@R ・再結晶化技術 2025年1月
H10D 88/00@S ・ＳＩＭＯＸ 2025年1月
H10D 88/00@W 両面型 2025年1月
H10D 88/00@Y ・その他の構造 2025年1月
H10D 88/00@Z その他のもの 2025年1月
H10D 89/00 グループＨ１０Ｄ８４／００～Ｈ１０Ｄ８８／００に包含されない集積装置の観点［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 89/00,101 ・半導体集積装置の構造または配置に特徴のあるもの（レイアウト方法は８９／１０が優先） 2025年1月
H10D 89/00,101@A 機能回路，例．アナログ回路，テスト回路，の配置（Ｂ～Ｕが優先） 2025年1月
H10D 89/00,101@B 基準電圧発生回路，例．ＤＣ電源回路，の配置 2025年1月
H10D 89/00,101@D 配線，例．クロック配線，電源配線，の配置 2025年1月
H10D 89/00,101@E 外部信号用端子の配置または当該端子の機能を特徴づける機能回路の配置 2025年1月
H10D 89/00,101@F 回路機能，動作スピード，動作条件に特徴のある機能回路，例．ＡＤコンバータ，高速低速回路ブロック，センサ周辺回路，の配置 2025年1月
H10D 89/00,101@G 基板バイアス発生回路または昇圧回路，例．電源用チャージポンプ回路，の配置 2025年1月
H10D 89/00,101@M 切り替え動作を行う機能回路の配置（Ｔが優先） 2025年1月
H10D 89/00,101@T テスト機能回路，検査回路の配置 2025年1月
H10D 89/00,101@U 複数の機能回路の組み合わせ，例．システムＬＳＩ，の配置 2025年1月
H10D 89/00,101@V 可変インピーダンス素子またはトリミング素子の構造 2025年1月
H10D 89/00,101@Z その他のもの 2025年1月
H10D 89/10 ・集積装置のレイアウト［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 89/10@A ・プログラマブルロジックアレイ［ＰＬＡ］ 2025年1月
H10D 89/10@B ・ビルディングブロック；スタンダードセル 2025年1月
H10D 89/10@C ・電子計算機，例．ＣＡＤ，を利用するもの 2025年1月
H10D 89/10@D 素子設計 2025年1月
H10D 89/10@F ・・フューズ（Ｒ，Ｔが優先） 2025年1月
H10D 89/10@L ・電源供給線 2025年1月
H10D 89/10@M ・マスタースライス；ゲートアレイ 2025年1月
H10D 89/10@P ・パッド；入出力セル 2025年1月
H10D 89/10@R ・・冗長回路 2025年1月
H10D 89/10@S ・機能選択 2025年1月
H10D 89/10@T ・・検査 2025年1月
H10D 89/10@W 配線設計 2025年1月
H10D 89/10@Z その他のもの 2025年1月
H10D 89/60 ・電気または熱からの保護装置，例．静電放電［ＥＳＤ］からの保護回路，を備える集積装置［２０２５．０１］ 2025年1月
H10D 99/00 このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２５．０１］ 2025年1月