| FI | タイトル | 付与開始時期 |
|---|---|---|
| H10B 10/00 | スタティックランダムアクセスメモリ［ＳＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 10/00,371 | ・バイポーラ，ＭＯＳ以外のスタティックランダムアクセスメモリ構造 | 2022年11月 |
| H10B 10/00,401 | ・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ | 2022年11月 |
| H10B 10/10 | ・バイポーラ構成部品からなるＳＲＡＭ装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 12/00 | ダイナミックランダムアクセスメモリ［ＤＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,601 | ・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型ＤＲＡＭ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,611 | ・・キャパシタ構造に特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,615 | ・・・プレーナ型キャパシタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,621 | ・・・スタック型キャパシタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,621@A | 横方向にフィンを形成しているもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,621@B | 縦方向の面を利用するもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,621@C | ・ストレージ電極にくぼみ面を有するもの，例．クラウン型またはＣＵＰ型キャパシタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,621@Z | その他のスタック型キャパシタ，例．単純スタック型またはスタック型の各種変形 | 2022年11月 |
| H10B 12/00,625 | ・・・トレンチ型キャパシタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,625@A | 基板をセルプレートとして用いるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,625@B | 基板をストレージノードとして用いるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,625@C | トレンチ内にセルプレートとストレージノードを各々独立に設けるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,625@Z | その他のトレンチ型キャパシタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,631 | ・・・空乏層容量を利用したキャパシタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,651 | ・・・キャパシタ絶縁膜に特徴のあるもの，例．絶縁膜材料に特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,661 | ・・・その他のキャパシタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,671 | ・・トランジスタ構造に特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,671@A | 縦型トランジスタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,671@B | ・溝型トランジスタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,671@C | ＳＯＩ上にトランジスタを形成したもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,671@Z | その他のトランジスタ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,681 | ・・その他，例．レイアウト，に特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,681@A | ワード線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,681@B | ビット線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,681@C | 接地線または電源線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,681@D | 素子分離構造に特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,681@E | チップ全体またはそれに近いレイアウトプランに特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,681@F | 周辺回路部の構造またはレイアウトに特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,681@G | ・センスアンプに特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,681@Z | その他 | 2022年11月 |
| H10B 12/00,691 | ・・誤動作防止に特徴のあるもの | 2022年11月 |
| H10B 12/00,801 | ・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型以外のＤＲＡＭ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,821 | ・ＭＯＳ―他のトランジスタからなるＤＲＡＭ | 2022年11月 |
| H10B 12/00,841 | ・バイポーラ，ＭＯＳ以外のダイナミックランダムアクセスメモリ構造 | 2022年11月 |
| H10B 12/00,861 | ・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ | 2022年11月 |
| H10B 12/10 | ・バイポーラ構成部品からなるＤＲＡＭ装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 20/00 | 読み出し専用メモリ［ＲＯＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 20/00,421 | ・バイポーラ，ＭＯＳ以外の不揮発性メモリ | 2022年11月 |
| H10B 20/00,437 | ・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ | 2022年11月 |
| H10B 20/10 | ・バイポーラ構成部品からなるＲＯＭ装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 20/20 | ・電界効果構成部品からなる書き込み可能なＲＯＭ［ＰＲＯＭ］装置（Ｈ１０Ｂ２０／１０が優先）［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 20/25 | ・・一回のみ書き込み可能なＲＯＭ［ＯＴＰＲＯＭ］装置，例．電気的に溶断可能なリンクを用いるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/00 | フローティングゲートを含む電気的消去・書き込み可能なＲＯＭ［ＥＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/10 | ・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/20 | ・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/23 | ・・異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/27 | ・・・垂直部分を含むチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/30 | ・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/35 | ・・セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/40 | ・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/41 | ・・メモリ領域にセル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/42 | ・・周辺セルおよびメモリセルの同時製造［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/43 | ・・・周辺トランジスタを一種類のみ含むもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/44 | ・・・・コントロールゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/46 | ・・・・ゲート間誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/47 | ・・・・フローティングゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/48 | ・・・・トンネル誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/49 | ・・・異なる種類の周辺トランジスタを含むもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/50 | ・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/60 | ・コントロールゲートがドープ領域であるもの，例．単層ポリメモリセル［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 41/70 | ・フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 43/00 | 電荷トラッピングゲート絶縁体を含むＥＥＰＲＯＭ装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 43/10 | ・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 43/20 | ・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 43/23 | ・・異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 43/27 | ・・・垂直部分を含むチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 43/30 | ・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 43/35 | ・・セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 43/40 | ・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 43/50 | ・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 51/00 | 強誘電性のメモリトランジスタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 51/10 | ・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 51/20 | ・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 51/30 | ・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 51/40 | ・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 51/50 | ・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 53/00 | 強誘電性のメモリキャパシタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 53/10 | ・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 53/20 | ・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 53/30 | ・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 53/40 | ・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 53/50 | ・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 61/00 | 磁気メモリ装置，例．磁気抵抗ＲＡＭ［ＭＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 63/00 | 抵抗変化メモリ装置，例．抵抗ＲＡＭ［ＲｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 63/10 | ・相変化ＲＡＭ［ＰＣＲＡＭ，ＰＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 69/00 | グループＨ１０Ｂ４１／００～Ｈ１０Ｂ６３／００に包含されない，消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＥＰＲＯＭ］装置，例．紫外線による消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＵＶＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 80/00 | このサブクラスに包含される，少なくとも１つの記憶装置を備える，複数の装置の組立体［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 99/00 | このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２３．０１］ | 2022年11月 |
| H10B 99/00,301 | ・マトリクス半導体装置 | 2022年11月 |
| H10B 99/00,441 | ・不揮発性ＲＡＭ | 2022年11月 |
| H10B 99/00,449 | ・有機メモリ | 2022年11月 |
| H10B 99/00,451 | ・他の半導体メモリ | 2022年11月 |
| H10B 99/00,461 | ・半導体チップ内メモリ | 2022年11月 |
| H10B 99/00,471 | ・回路配置等の構成 | 2022年11月 |
| H10B 99/00,481 | ・周辺回路 | 2022年11月 |
| H10B 99/00,491 | ・誤動作防止 | 2022年11月 |
| H10B 99/00,495 | ・メモリモジュール | 2022年11月 |