| FI | 変更後 | 変更前 | 更新時期 |
|---|---|---|---|
| H05H 1/46@L | ・誘導結合プラズマ | ・高周波コイル型 | 2023年10月 |
| H05H 1/46@M | ・容量結合プラズマ | ・平行平板型 | 2023年10月 |
| H05H 1/44 | ・・・・複数のトーチを用いるもの［３］ | ・・・・１以上のトーチを用いるもの［３］ | 2014年11月 |
| H05H 1/11 | ・・・カスプ配位を用いるもの（Ｈ０５Ｈ１／１４が優先）［３］ | ・・・カスプ配位を用いるもの（１／１４が優先）［３］ | 2013年11月 |
| H05H 1/30 | ・・・電磁界を用いるもの，例．高周波またはマイクロ波エネルギー（Ｈ０５Ｈ１／２８が優先）［３］ | ・・・電磁界を用いるもの，例．高周波またはマイクロ波エネルギー（１／２８が優先）［３］ | 2013年11月 |
| H05H 1/32 | ・・・アークを用いるもの（Ｈ０５Ｈ１／２８が優先）［３］ | ・・・アークを用いるもの（１／２８が優先）［３］ | 2013年11月 |
| H05H 1/36 | ・・・・・回路装置（Ｈ０５Ｈ１／３８，Ｈ０５Ｈ１／４０が優先）［３］ | ・・・・・回路装置（１／３８，１／４０が優先）［３］ | 2013年11月 |
| H05H 1/46 | ・・電磁界を用いるもの，例．高周波またはマイクロ波エネルギー（Ｈ０５Ｈ１／２６が優先）［３］ | ・・電磁界を用いるもの，例．高周波またはマイクロ波エネルギー（１／２６が優先）［３］ | 2013年11月 |
| H05H 1/48 | ・・アークを用いるもの（Ｈ０５Ｈ１／２６が優先）［３］ | ・・アークを用いるもの（１／２６が優先）［３］ | 2013年11月 |
| H05H 1/52 | ・・イクスプロウディングワイヤまたはスパークギャップを用いるもの（Ｈ０５Ｈ１／２６が優先；スパークギャップ一般Ｈ０１Ｔ）［３］ | ・・イクスプロウディングワイヤまたはスパークギャップを用いるもの（１／２６が優先；スパークギャップ一般Ｈ０１Ｔ）［３］ | 2013年11月 |
| H05H 3/06 | ・中性子ビームを発生するもの（核反応を起こすためのターゲットＨ０５Ｈ６／００；中性子源Ｇ２１Ｇ４／０２）［５］ | ・中性子ビームを発生するもの（核反応を起こすためのターゲット６／００；中性子源Ｇ２１Ｇ４／０２）［５］ | 2013年11月 |
| H05H 5/00 | 直流電圧型加速器；単一パルスを用いる加速器（Ｈ０５Ｈ３／０６が優先）［５］ | 直流電圧型加速器；単一パルスを用いる加速器（３／０６が優先）［５］ | 2013年11月 |
| H05H 5/02 | ・細部（核反応を起こすためのターゲットＨ０５Ｈ６／００）［３］ | ・細部（核反応を起こすためのターゲット６／００）［３］ | 2013年11月 |
| H05H 7/00 | グループＨ０５Ｈ９／００～Ｈ０５Ｈ１３／００によって包含される型の装置の細部（核反応を起こすためのターゲットＨ０５Ｈ６／００）［３］ | グループ９／００から１３／００によって包含される型の装置の細部（核反応を起こすためのターゲット６／００）［３］ | 2013年11月 |
| H05H 7/14 | ・真空室（Ｈ０５Ｈ５／０３が優先）［４］ | ・真空室（５／０３が優先）［４］ | 2013年11月 |
| H05H 7/22 | ・線型加速器の細部，例．ドリフト管（Ｈ０５Ｈ７／０２～Ｈ０５Ｈ７／２０が優先）［４］ | ・線型加速器の細部，例．ドリフト管（７／０２から７／２０が優先）［４］ | 2013年11月 |
| H05H 9/00 | 線形加速器（Ｈ０５Ｈ１１／００が優先） | 線形加速器（１１／００が優先） | 2013年11月 |