| FI |
変更後 |
変更前 |
更新時期 |
| H01S 5/00 |
半導体レーザ（スーパールミネッセントダイオードＨ１０Ｈ２０／００）［２００６．０１］ |
半導体レーザ（スーパールミネッセントダイオードＨ０１Ｌ３３／００）［２００６．０１］ |
2025年1月 |
| H01S 3/08 |
・・光学的な共振器またはその構成要素の構造または形状［２０２３．０１］ |
・・光学的共振器またはその部分の構造または形状［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/082 |
・・・・複数個の共振器を特徴付けるもの，例．モードを選択または抑制するためのもの［２００６．０１］ |
・・・・複数個の共振器を限定するもの，例．モード選択用［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/10 |
・放出された放射線の強度，周波数，位相，偏光または方向の制御，例．スイッチング，ゲート，変調または復調［２００６．０１］ |
・放出された放射線の強度，周波数，位相，偏光または方向の制御，例．スイッチング，ゲート，変調または復調（モードロッキングＨ０１Ｓ３／０９８）［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/107 |
・・・電気光学素子を用いるもの，例．ポッケルス効果またはカー効果を示すもの［２００６．０１］ |
・・・電気―光学素子を用いるもの，例．ポッケルス効果またはカー効果を示すもの［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/11 |
・・モードロッキング；Ｑスイッチング；他のジャイアントパルス技術，例．キャビティダンピング［２０２３．０１］ |
・・光学的な共振器の性質を急激に変化するもの，すなわちジャイアントパルス技術［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/113 |
・・・・共振器内の可飽和吸収体を用いるもの［２００６．０１］ |
・・・漂白可能な媒質またはソーラライジング媒質を用いるもの［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/115 |
・・・・共振器内の電気光学素子を用いるもの［２００６．０１］ |
・・・電気―光学装置を用いるもの［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/117 |
・・・・共振器内の音響光学素子を用いるもの［２００６．０１］ |
・・・音響―光学装置を用いるもの［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/121 |
・・・・共振器内の機械的装置を用いるもの［２００６．０１］ |
・・・機械的装置を用いるもの［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/123 |
・・・・・回転鏡を用いるもの［２００６．０１］ |
・・・・鏡を回転させるもの［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/125 |
・・・・・回転プリズムを用いるもの［２００６．０１］ |
・・・・プリズムを回転させるもの［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/13 |
・・レーザ出力パラメータ，例．周波数または振幅，の安定［２００６．０１］ |
・・レーザ出力パラメータ，例．周波数，振幅，の安定［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 5/34 |
・・量子井戸または超格子構造を含むもの，例．単一量子井戸型［ＳＱＷ］レーザ，多重量子井戸型［ＭＱＷ］レーザ，傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造［ＧＲＩＮＳＣＨ］レーザ（Ｈ０１Ｓ５／３６が優先）［２００６．０１］ |
・・量子井戸または超格子構造を含むもの，例．単一量子井戸型レーザ［ＳＱＷレーザ］，多重量子井戸型レーザ［ＭＱＷレーザ］，傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ［ＧＲＩＮＳＣＨレーザ］（Ｈ０１Ｓ５／３６が優先）［２００６．０１］ |
2022年11月 |
| H01S 3/04 |
・・熱的な管理をするための装置［２００６．０１］ |
・・冷却装置［２００６．０１］ |
2021年3月 |
| H01S 5/024 |
・・熱的な管理をするための装置［２００６．０１］ |
・・冷却装置［２００６．０１］ |
2021年3月 |
| H01S 5/18 |
・・表面放出型［ＳＥ］レーザ，例．水平共振器と垂直共振器の両方を有するもの［２０２１．０１］ |
・・表面放出型レーザ［ＳＥＬ］［２００６．０１］ |
2021年3月 |
| H01S 5/183 |
・・・垂直共振器のみを有するもの，例．垂直共振器型面発光レーザ［ＶＣＳＥＬ］［２００６．０１］ |
・・・垂直共振器を有するもの［ＶＣＳＥＬ］［２００６．０１］ |
2021年3月 |
| H01S 5/187 |
・・・・ブラッグ反射を用いるもの［２００６．０１］ |
・・・分布ブラッグ反射器を用いるもの［ＳＥ－ＤＢＲレーザ］（Ｈ０１Ｓ５／１８３が優先）［２００６．０１］ |
2021年3月 |
| H01S 1/00 |
メーザ，すなわちマイクロ波領域での電磁放射の誘導放出を用いた装置 |
メーザすなわち誘導放出を用いた赤外線の波長より長い波長の電磁波の発生，増幅，変調，復調あるいは周波数変換のための装置 |
2018年9月 |
| H01S 3/00 |
レーザ，すなわち赤外線，可視光または紫外線領域での電磁放射の誘導放出を用いた装置（半導体レーザＨ０１Ｓ５／００） |
レーザ，すなわち誘導放出を用いた赤外線，可視光あるいは紫外線の発生，増幅，変調，復調あるいは周波数変換のための装置（半導体レーザＨ０１Ｓ５／００） |
2018年9月 |
| H01S 4/00 |
グループＨ０１Ｓ１／００，Ｈ０１Ｓ３／００またはＨ０１Ｓ５／００に包含されるものとは異なった領域での電磁放射の誘導放出を用いた装置，例．フォノンメーザ，Ｘ線レーザまたはガンマ線レーザ |
グループＨ０１Ｓ１／００，Ｈ０１Ｓ３／００，またはＨ０１Ｓ５／００に包含されるものとは異なった波動エネルギの誘導放出を用いる装置，例．フォノンメーザ，ガンマメーザ |
2018年9月 |
| H01S 5/00 |
半導体レーザ（スーパールミネッセントダイオードＨ０１Ｌ３３／００）［７］ |
半導体レーザ［７］ |
2018年9月 |
| H01S 3/00 |
レーザ，すなわち誘導放出を用いた赤外線，可視光あるいは紫外線の発生，増幅，変調，復調あるいは周波数変換のための装置（半導体レーザＨ０１Ｓ５／００） |
レーザ，すなわち誘導放出を用いた赤外線，可視光あるいは紫外線の発生，増幅，変調，復調あるいは周波数変換のための装置 |
2014年11月 |
| H01S 3/03 |
・・ガスレーザ放電管［２］ |
・・ガスレーザ放電管 |
2014年11月 |
| H01S 3/07 |
・・・複数の部分から成るもの，例．セグメント（Ｈ０１Ｓ３／０６７が優先）［２，７］ |
・・・複数個の部分からなるもの，例．セグメント，光学繊維 |
2014年11月 |
| H01S 3/08 |
・・光学的共振器またはその部分の構造または形状［２］ |
・・光学的共振器またはその部分の構造または形状 |
2014年11月 |
| H01S 3/081 |
・・・３個以上の反射鏡からなるもの［２］ |
・・・３個以上の反射鏡からなるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/082 |
・・・・複数個の共振器を限定するもの，例．モード選択用［２］ |
・・・・複数個の共振器を限定するもの，例．モード選択用 |
2014年11月 |
| H01S 3/083 |
・・・・リングレーザ［２］ |
・・・・リングレーザ（レーザジャイロメータＧ０１Ｃ１９／６４） |
2014年11月 |
| H01S 3/086 |
・・・共振器を初期調整するためのいろいろな性質または位置を有する１個以上の反射鏡（動作中のレーザ出力のパラメータを変化させるものＨ０１Ｓ３／１０，レーザ出力の安定Ｈ０１Ｓ３／１３）［２］ |
・・・共振器を初期調整するためのいろいろな性質または位置を有する１個以上の反射鏡（動作中のレーザ出力のパラメータを変化させるもの３／１０，レーザ出力の安定３／１３） |
2014年11月 |
| H01S 3/091 |
・・光学的ポンピングを用いるもの［２］ |
・・光学的ポンピングを用いるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/092 |
・・・・フラッシュランプのもの（Ｈ０１Ｓ３／０９３７が優先）［２，５］ |
・・・フラッシュランプによるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/093 |
・・・・・励起エネルギーを活性媒質に集中または向けるもの［２，５］ |
・・・・励起エネルギーを活性媒質に集中または向けるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/094 |
・・・コヒーレント光によるもの［２］ |
・・・レーザによるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/095 |
・・化学または熱ポンピングを用いるもの［２］ |
・・化学または熱ポンピングを用いるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/097 |
・・ガスレーザのガス放電によるもの［２］ |
・・ガスレーザのガス放電によるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/098 |
・モードロッキング；モード抑制（複数個の共振器を用いるモード抑制Ｈ０１Ｓ３／０８２）［２］ |
・モードロッキング；モード抑制（複数個の共振器を用いるモード抑制３／０８２） |
2014年11月 |
| H01S 3/10 |
・放出された放射線の強度，周波数，位相，偏光または方向の制御，例．スイッチング，ゲート，変調または復調（モードロッキングＨ０１Ｓ３／０９８）［２］ |
・放出された放射線の強度，周波数，位相，偏光または方向の制御，例．スイッチング，ゲート，変調または復調（モードロッキング３／０９８；光ビームの制御，周波数変換，非線型光学，光学的論理素子一般Ｇ０２Ｆ） |
2014年11月 |
| H01S 3/101 |
・・レーザ放射線の放出位置または方向を変える手段を備えたレーザ［２］ |
・・レーザ放射線の放出位置または方向を変える手段を備えたレーザ（光学的走査系一般Ｇ０２Ｂ２７／１７；電気―光学的，磁気―光学的または音響―光学的偏向のための部品または装置Ｇ０２Ｆ１／２９） |
2014年11月 |
| H01S 3/102 |
・・活性媒質を制御することによるもの，例．励起方法または励起装置を制御することによるもの（Ｈ０１Ｓ３／１３が優先）［４］ |
・・活性媒質を制御することによるもの，例．励起方法または励起装置を制御することによるもの（３／１３が優先） |
2014年11月 |
| H01S 3/104 |
・・・ガスレーザにおけるもの［４］ |
・・・ガスレーザにおけるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/105 |
・・共振器の反射鏡の相対位置または反射特性を制御することによるもの（Ｈ０１Ｓ３／１３が優先）［４］ |
・・共振器の反射鏡の相対位置または反射特性を制御することによるもの（３／１３が優先） |
2014年11月 |
| H01S 3/1055 |
・・・回折格子によって構成されている反射鏡の１つを制御するもの［４］ |
・・・回折格子によって構成されている反射鏡の１つを制御するもの |
2014年11月 |
| H01S 3/106 |
・・共振器内に置かれた素子の制御によるもの（Ｈ０１Ｓ３／１３が優先）［４］ |
・・共振器内に置かれた素子の制御によるもの（３／１３が優先） |
2014年11月 |
| H01S 3/107 |
・・・電気―光学素子を用いるもの，例．ポッケルス効果またはカー効果を示すもの［４］ |
・・・電気―光学素子を用いるもの，例．ポッケルス効果またはカー効果を示すもの |
2014年11月 |
| H01S 3/108 |
・・・非線形光学素子を用いるもの，例．ブリリュアン散乱またはラマン散乱を示すもの［４］ |
・・・非線形光学素子を用いるもの，例．ブリリュアン散乱またはラマン散乱を示すもの |
2014年11月 |
| H01S 3/109 |
・・・・周波数逓倍，例．高調波の発生［４］ |
・・・・周波数逓倍，例．高調波の発生 |
2014年11月 |
| H01S 3/113 |
・・・漂白可能な媒質またはソーラライジング媒質を用いるもの［２］ |
・・・漂白可能な媒質またはソーラライジング媒質を用いるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/115 |
・・・電気―光学装置を用いるもの［４］ |
・・・電気―光学装置を用いるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/117 |
・・・音響―光学装置を用いるもの［４］ |
・・・音響―光学装置を用いるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/121 |
・・・機械的装置を用いるもの［４］ |
・・・機械的装置を用いるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/123 |
・・・・鏡を回転させるもの［４］ |
・・・・鏡を回転させるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/125 |
・・・・プリズムを回転させるもの［４］ |
・・・・プリズムを回転させるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/127 |
・・・複数のＱスイッチを用いるもの［４］ |
・・・複数のＱスイッチを用いるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/13 |
・・レーザ出力パラメータ，例．周波数，振幅，の安定［２］ |
・・レーザ出力パラメータ，例．周波数，振幅，の安定 |
2014年11月 |
| H01S 3/131 |
・・・活性媒質を制御することによるもの，例．励起方法または励起装置を制御することによるもの［４］ |
・・・活性媒質を制御することによるもの，例．励起方法または励起装置を制御することによるもの‐ |
2014年11月 |
| H01S 3/134 |
・・・・ガスレーザにおけるもの［４］ |
・・・・ガスレーザにおけるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/136 |
・・・共振器内に置かれた装置を制御することによるもの［４］ |
・・・共振器内に置かれた装置を制御することによるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/137 |
・・・・周波数を安定化するためのもの［４］ |
・・・・周波数を安定化するためのもの |
2014年11月 |
| H01S 3/139 |
・・・共振器の反射鏡の相対位置または反射特性を制御することによるもの［４］ |
・・・共振器の反射鏡の相対位置または反射特性を制御することによるもの |
2014年11月 |
| H01S 3/17 |
・・・非晶質，例．ガラス［２］ |
・・・非晶質，例．ガラス |
2014年11月 |
| H01S 3/223 |
・・・活性ガスが多原子，すなわち２個以上の原子を含むもの（Ｈ０１Ｓ３／２２７が優先）［２，５］ |
・・・多原子 |
2014年11月 |
| H01S 3/23 |
・Ｈ０１Ｓ３／０２～３／１４に分類されない２個以上のレーザの配列，例．分離された活性媒質の直列配列（半導体レーザのみを含むものＨ０１Ｓ５／４０）［２，７］ |
・３／０２から３／２２に分類されない２個以上のレーザの配列，例．分離された活性媒質の直列配列 |
2014年11月 |
| H01S 3/30 |
・散乱効果，例．誘導ブリリュアン効果またはラマン効果，を利用するもの［２］ |
・散乱効果，例．誘導ブリリュアン効果またはラマン効果，を利用するもの |
2014年11月 |
| H01S 4/00 |
グループＨ０１Ｓ１／００，Ｈ０１Ｓ３／００，またはＨ０１Ｓ５／００に包含されるものとは異なった波動エネルギの誘導放出を用いる装置，例．フォノンメーザ，ガンマメーザ |
グループ１／００，３／００，または５／００に包含されるものとは異なった波動エネルギの誘導放出を用いる装置，例．フォノンメーザ，ガンマメーザ |
2013年11月 |
| H01S 5/04 |
・励起方法またはその装置，例．ポンピング（Ｈ０１Ｓ５／０６が優先）［７］ |
・励起方法またはその装置，例．ポンピング（５／０６が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/062 |
・・電極に印加する電圧を変えることによるもの（Ｈ０１Ｓ５／０６５が優先）［７］ |
・・電極に印加する電圧を変えることによるもの（５／０６５が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/065 |
・・モードロッキング；モード抑制；モード選択［７］ |
・・モ－ドロッキング；モード抑制；モード選択［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/068 |
・・レーザ出力パラメータの安定化（Ｈ０１Ｓ５／０６２５が優先）［７］ |
・・レーザ出力パラメータの安定化（５／０６２５が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/12 |
・・周期構造を有する共振器，例．分布帰還型レーザ［ＤＦＢレーザ］におけるもの（Ｈ０１Ｓ５／１８が優先）［７］ |
・・周期構造を有する共振器，例．分布帰還型レーザ（ＤＦＢレーザ）におけるもの（５／１８が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/14 |
・・外部共振器型レーザ（Ｈ０１Ｓ５／１８が優先；モードロッキングＨ０１Ｓ５／０６５）［７］ |
・・外部共振器型レーザ（５／１８が優先；モードロッキング５／０６５）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/16 |
・・窓構造レーザ，すなわち活性領域と反射面との間に非吸収材料からなる領域を持つもの（Ｈ０１Ｓ５／１４が優先）［７］ |
・・窓構造レーザ，すなわち活性領域と反射面との間に非吸収材料からなる領域を持つもの（５／１４が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/187 |
・・・分布ブラッグ反射器を用いるもの［ＳＥ－ＤＢＲレーザ］（Ｈ０１Ｓ５／１８３が優先）［７］ |
・・・分布ブラッグ反射器を用いるもの（ＳＥ－ＤＢＲレーザ）（５／１８３が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/223 |
・・・埋込みストライプ構造のもの（Ｈ０１Ｓ５／２２７が優先）［７］ |
・・・埋込みストライプ構造のもの（５／２２７が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/32 |
・・ＰＮ接合からなるもの，例．ヘテロまたはダブルヘテロ構造（Ｈ０１Ｓ５／３４，Ｈ０１Ｓ５／３６が優先）［７］ |
・・ＰＮ接合からなるもの，例．ヘテロまたはダブルヘテロ構造（５／３４，５／３６が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/34 |
・・量子井戸または超格子構造を含むもの，例．単一量子井戸型レーザ［ＳＱＷレーザ］，多重量子井戸型レーザ［ＭＱＷレーザ］，傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ［ＧＲＩＮＳＣＨレーザ］（Ｈ０１Ｓ５／３６が優先）［７］ |
・・量子井戸または超格子構造を含むもの，例．単一量子井戸型レーザ（ＳＱＷレーザ），多重量子井戸型レーザ（ＭＱＷレーザ），傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ（ＧＲＩＮＳＣＨレーザ）（５／３６が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/40 |
・Ｈ０１Ｓ５／０２～Ｈ０１Ｓ５／３０に分類されない２個以上の半導体レーザの配列（Ｈ０１Ｓ５／５０が優先）［７］ |
・５／０２～５／３０に分類されない２個以上の半導体レーザの配列（５／５０が優先）［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/50 |
・Ｈ０１Ｓ５／０２～Ｈ０１Ｓ５／３０に分類されない増幅器の構造［７］ |
・５／０２～５／３０に分類されない増幅器の構造［７］ |
2013年11月 |
| H01S 5/026 |
・・モノリシックに集積された複数の構成，例．導波管，モニター用フォトデテクターまたは駆動素子（出力の安定化Ｈ０１Ｓ５／０６）［７］ |
・・モノリシックに集積された複数の構成，例．導波管，モニター用フォトディテクター，駆動素子（出力の安定化５／０６；ライトガイドを光学－電気素子に結合するものＧ０２Ｂ６／４２；共通の基板上または基板内に形成された複数個の半導体または他の固体部品を含む装置，光の放出に特に適したものＨ０１Ｌ２７／１５）［７］ |
2013年5月 |
| H01S 5/06 |
・レーザ出力パラメータの制御，例．活性媒質を制御することによるもの［７］ |
・レーザ出力パラメータの制御，例．活性媒質を制御することによるもの（光を使用する伝送システムＨ０４Ｂ１０／００）［７］ |
2013年5月 |
| H01S 5/36 |
・・有機材料からなるもの［８］ |
・・有機材料からなるもの（色素レーザー３／２１３）［８］ |
2013年5月 |
| H01S 5/50 |
・５／０２～５／３０に分類されない増幅器の構造［７］ |
・５／０２～５／３０に分類されない増幅器の構造（伝送方式における中継局Ｈ０４Ｂ１０／１７）［７］ |
2013年5月 |