新設

FI	タイトル	付与開始時期
H01L 27/07	・・・・構成部品が共通の活性領域をもつもの［５］	2017年4月
H01L 27/07,101	・・・・・バイポーラトランジスタを含む集積回路（Ｈ０１Ｌ２７／０７，１０２が優先）	2017年4月
H01L 27/07,102	・・・・・ＭＯＳを含む集積回路	2017年4月
H01L 27/082	・・・・バイポーラ構成部品のみを含むもの［５］	2017年4月
H01L 27/082@B	バイポーラトランジスタからなるもの	2017年4月
H01L 27/082@C	ＮＰＮ型とＰＮＰ型の組み合わせ	2017年4月
H01L 27/082@D	ダーリントン接続	2017年4月
H01L 27/082@J	・・インジェクタ	2017年4月
H01L 27/082@L	バイポーラトランジスタからなる論理回路	2017年4月
H01L 27/082@M	・ＩＩＬ	2017年4月
H01L 27/082@N	・・インバータ	2017年4月
H01L 27/082@T	特性が異なるバイポーラトランジスタからなるもの	2017年4月
H01L 27/082@V	縦型と横型の組み合わせ	2017年4月
H01L 27/082@W	・・ＩＩＬを含む回路	2017年4月
H01L 27/082@Z	その他	2017年4月
H01L 27/085	・・・・電界効果構成部品のみを含むもの［５］	2017年4月
H01L 27/088	・・・・・構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの［５］	2017年4月
H01L 27/088,311	・・・・・・Ｅ―ＤＭＯＳ；Ｅ―ＥＭＯＳ	2017年4月
H01L 27/088,311@A	全体に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/088,311@Z	その他	2017年4月
H01L 27/088,331	・・・・・・寄生効果防止，例．素子分離	2017年4月
H01L 27/088,331@A	絶縁分離	2017年4月
H01L 27/088,331@B	チャンネルストッパー；ガードリング	2017年4月
H01L 27/088,331@C	基板；埋込み層	2017年4月
H01L 27/088,331@D	ウェル	2017年4月
H01L 27/088,331@E	ＳＯＳ；ＳＯＩ	2017年4月
H01L 27/088,331@F	ダイオードまたは抵抗を用いたもの	2017年4月
H01L 27/088,331@G	バイアスを与えたもの	2017年4月
H01L 27/088,331@Z	その他のもの	2017年4月
H01L 27/088@A	ＭＯＳ構造全体に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/088@B	チャネル構造またはソースドレイン形成	2017年4月
H01L 27/088@C	ゲート電極またはゲート絶縁膜	2017年4月
H01L 27/088@D	コンタクト；電極；配線	2017年4月
H01L 27/088@E	積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ	2017年4月
H01L 27/088@F	ＭＯＳＩＣに対する保護回路	2017年4月
H01L 27/088@H	メモリ；論理回路	2017年4月
H01L 27/088@J	回路構成に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/088@Z	その他のもの	2017年4月
H01L 27/092	・・・・・・相補型ＭＩＳ電界効果トランジスタ［５］	2017年4月
H01L 27/092@A	ＣＭＯＳ全体に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/092@B	ウェル；基板；埋込み層	2017年4月
H01L 27/092@C	チャネル構造	2017年4月
H01L 27/092@D	ゲート電極またはゲート絶縁膜	2017年4月
H01L 27/092@E	ソースドレイン形成	2017年4月
H01L 27/092@F	コンタクト；電極；配線	2017年4月
H01L 27/092@G	積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ	2017年4月
H01L 27/092@H	ＣＭＯＳに対する保護回路	2017年4月
H01L 27/092@K	メモリ；論理回路	2017年4月
H01L 27/092@L	回路構成に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/092@N	製造工程の簡略化	2017年4月
H01L 27/092@Z	その他のもの	2017年4月
H01L 27/095	・・・・・構成部品がショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタであるもの［５］	2017年4月
H01L 27/098	・・・・・構成部品がＰＮ接合ゲート電界効果トランジスタであるもの［５］	2017年4月
H01L 27/102	・・・・バイポーラ構成部品を含むもの［５］	2017年4月
H01L 27/102,331	・・・・・ダイナミックランダムアクセスメモリ構造	2017年4月
H01L 27/102,391	・・・・・スタティックランダムアクセスメモリ構造	2017年4月
H01L 27/102,435	・・・・・リードオンリーメモリ構造，例．ＰＮジャンクションの破壊により書き込むもの	2017年4月
H01L 27/105	・・・・電界効果構成部品を含むもの［５］	2017年4月
H01L 27/105,441	・・・・・不揮発性ＲＡＭ	2017年4月
H01L 27/105,447	・・・・・半導体磁気メモリ［ＭＲＡＭ］	2017年4月
H01L 27/105,448	・・・・・抵抗変化メモリ，例．ＲｅＲＡＭまたはＣＢＲＡＭ	2017年4月
H01L 27/105,449	・・・・・相変化メモリ［ＰＣＲＡＭ］	2017年4月
H01L 27/108	・・・・・ダイナミックランダムアクセスメモリ構造［５］	2017年4月
H01L 27/108,321	・・・・・・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型以外のＤＲＡＭ	2017年4月
H01L 27/108,351	・・・・・・ＭＯＳ―他のトランジスタからなるＤＲＡＭ	2017年4月
H01L 27/108,601	・・・・・・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型ＤＲＡＭ	2017年4月
H01L 27/108,611	・・・・・・・キャパシタ構造に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,615	・・・・・・・・プレーナ型キャパシタ	2017年4月
H01L 27/108,621	・・・・・・・・スタック型キャパシタ	2017年4月
H01L 27/108,621@A	横方向にフィンを形成しているもの	2017年4月
H01L 27/108,621@B	縦方向の面を利用するもの	2017年4月
H01L 27/108,621@C	・ストレージ電極にくぼみ面を有するもの，例．クラウン型またはＣＵＰ型キャパシタ	2017年4月
H01L 27/108,621@Z	その他のスタック型キャパシタ，例．単純スタック型またはスタック型の各種変形	2017年4月
H01L 27/108,625	・・・・・・・・トレンチ型キャパシタ	2017年4月
H01L 27/108,625@A	基板をセルプレートとして用いるもの	2017年4月
H01L 27/108,625@B	基板をストレージノードとして用いるもの	2017年4月
H01L 27/108,625@C	トレンチ内にセルプレートとストレージノードを各々独立に設けるもの	2017年4月
H01L 27/108,625@Z	その他のトレンチ型キャパシタ	2017年4月
H01L 27/108,631	・・・・・・・・空乏層容量を利用したキャパシタ	2017年4月
H01L 27/108,651	・・・・・・・・キャパシタ絶縁膜に特徴のあるもの，例．絶縁膜材料に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,661	・・・・・・・・その他のキャパシタ	2017年4月
H01L 27/108,671	・・・・・・・トランジスタ構造に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,671@A	縦型トランジスタ	2017年4月
H01L 27/108,671@B	・溝型トランジスタ	2017年4月
H01L 27/108,671@C	ＳＯＩ上にトランジスタを形成したもの	2017年4月
H01L 27/108,671@Z	その他のトランジスタ	2017年4月
H01L 27/108,681	・・・・・・・その他，例．レイアウト，に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,681@A	ワード線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,681@B	ビット線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,681@C	接地線または電源線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,681@D	素子分離構造に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,681@E	チップ全体またはそれに近いレイアウトプランに特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,681@F	周辺回路部の構造またはレイアウトに特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,681@G	・センスアンプに特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/108,681@Z	その他	2017年4月
H01L 27/108,691	・・・・・・・誤動作防止に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/11	・・・・・スタティックランダムアクセスメモリ構造［５］	2017年4月
H01L 27/112	・・・・・リードオンリーメモリ構造［５］	2017年4月
H01L 27/115	・・・・・・電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ；そのための多段階製造工程［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11502	・・・・・・・強誘電体メモリキャパシタを有するもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11504	・・・・・・・・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11507	・・・・・・・・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11509	・・・・・・・・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11512	・・・・・・・・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11514	・・・・・・・・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11517	・・・・・・・フローティングゲートを有するもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11519	・・・・・・・・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11521	・・・・・・・・メモリコア領域に特徴のあるもの（三次元配置Ｈ０１Ｌ２７／１１５５１）［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11524	・・・・・・・・・セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11526	・・・・・・・・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11529	・・・・・・・・・メモリ領域にセル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11531	・・・・・・・・・周辺セルおよびメモリセルの同時製造［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11534	・・・・・・・・・・周辺トランジスタを一種類のみ含むもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11536	・・・・・・・・・・・コントロールゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11539	・・・・・・・・・・・ゲート間誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11541	・・・・・・・・・・・フローティングゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11543	・・・・・・・・・・・トンネル誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11546	・・・・・・・・・・異なる種類の周辺トランジスタを含むもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11548	・・・・・・・・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11551	・・・・・・・・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11553	・・・・・・・・・異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11556	・・・・・・・・・・垂直部分からなるチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11558	・・・・・・・・コントロールゲートがドープ領域であるもの，例．単層ポリメモリセル［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/1156	・・・・・・・・フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11563	・・・・・・・電荷トラッピングゲート絶縁体を有するもの，例．ＭＮＯＳまたはＮＲＯＭ［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11565	・・・・・・・・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11568	・・・・・・・・メモリコア領域に特徴のあるもの（三次元配置Ｈ０１Ｌ２７／１１５７８）［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/1157	・・・・・・・・・セル選択トランジスタ，例．ＮＡＮＤ［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11573	・・・・・・・・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11575	・・・・・・・・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11578	・・・・・・・・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/1158	・・・・・・・・・異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11582	・・・・・・・・・・垂直部分からなるチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11585	・・・・・・・強誘電体メモリ特性のために用いる層を含むゲート電極を有するもの，例．金属－強誘電体－半導体［ＭＦＳ］または金属－強誘電体－金属－絶縁体－半導体［ＭＦＭＩＳ］［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11587	・・・・・・・・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/1159	・・・・・・・・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11592	・・・・・・・・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11595	・・・・・・・・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/11597	・・・・・・・・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０１７．０１］	2017年4月
H01L 27/118	・・・・マスタースライス集積回路［５］	2017年4月
H01L 27/118,101	・・・・・バイポーラトランジスタを含む集積回路；ＦＥＴを含む集積回路（Ｈ０１Ｌ２７／１１８，１０２が優先）	2017年4月
H01L 27/118,102	・・・・・ＭＯＳを含む集積回路	2017年4月
H01L 27/142	・・エネルギー変換装置（装置と一体化または直接結合したバイパスダイオードを備える光起電［ＰＶ］モジュールまたは１つ１つのＰＶ素子のアレイＨ０１Ｌ３１／０４４３；同じ基板上に堆積された複数の薄膜太陽電池により構成されたＰＶモジュールＨ０１Ｌ３１／０４６）［５，２０１４．０１］	2017年4月
H01L 27/144	・・輻射線によって制御される装置［５］	2017年4月
H01L 27/144@J	・光通信用受光素子	2017年4月
H01L 27/144@K	特殊用途用固体撮像素子；特定用途用受光素子	2017年4月
H01L 27/144@Z	その他のもの	2017年4月
H01L 27/146	・・・固体撮像装置構造［５］	2017年4月
H01L 27/146@A	プレナ固体撮像素子，例．ＭＯＳ型，ＦＥＴ型，ＳＩＴ型またはＣＰＤ型	2017年4月
H01L 27/146@C	薄膜固体撮像素子	2017年4月
H01L 27/146@D	パッケージ；フィルタ；チップ；表面層	2017年4月
H01L 27/146@E	・・光導電層積層型	2017年4月
H01L 27/146@F	・ハイブリッド固体撮像素子	2017年4月
H01L 27/146@G	・電荷注入デバイス［ＣＩＤ］型	2017年4月
H01L 27/146@Z	その他のもの	2017年4月
H01L 27/148	・・・・電荷結合型固体撮像装置［５］	2017年4月
H01L 27/148@B	ＣＣＤ型，例．ＦＴ方式，ＩＬ方式，ＬＡ方式，ＣＳ方式，クロスゲート方式または一次元用	2017年4月
H01L 27/148@H	・時間遅延積分［ＴＤＩ］型	2017年4月
H01L 27/148@Z	その他のもの	2017年4月
H01L 27/28	・能動部分として有機材料を用い，または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの［８］	2017年4月
H01L 27/30	・・赤外線，可視光，短波長の電磁波，または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの；輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか，またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの［８］	2017年4月
H01L 27/32	・・光放出に特に適用される構成部品を有するもの，例．有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ［８］	2017年4月
H01L 33/02	・半導体素子本体に特徴のあるもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/04	・・量子効果を奏する構造または超格子を有するもの，例．トンネル接合［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/06	・・・発光領域内にあるもの，例．量子閉じ込め構造，トンネル障壁［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/08	・・複数の発光領域を有するもの，例．横方向に不連続な発光層，フォトルミネセント領域が半導体素子本体に集積化されているもの（Ｈ０１Ｌ２７／１５が優先）［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/10	・・反射構造を有するもの，例．半導体ブラッグ反射鏡［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/12	・・応力緩和構造を有するもの，例．バッファ層［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/14	・・電流制御構造を有するもの，例．高濃度ドープ半導体層，電流ブロック構造［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/16	・・特定の結晶構造や結晶方位を有するもの，例．多結晶，アモルファス，ポーラス［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/18	・・・発光領域内にあるもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/20	・・特定の形状を有するもの，例．湾曲または面取りされた基板［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/22	・・・粗面，凹凸面，例．エピタキシャル層の界面にあるもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/24	・・・発光領域にあるもの，例．非プレーナー接合［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/26	・・発光領域の材料［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/28	・・・ＩＩ族およびＶＩ族元素のみを有するもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/30	・・・ＩＩＩ族およびＶ族元素のみを有するもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/32	・・・・窒素を含むもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/34	・・・ＩＶ族元素のみを有するもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/36	・電極に特徴があるもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/38	・・特定の形状［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/40	・・材料［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/42	・・・透明材料［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/44	・コーティングに特徴があるもの，例．パシベーション層，反射防止コーティング［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/46	・・反射コーティング，例．誘電体ブラッグ反射鏡［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/48	・半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/50	・・波長変換要素［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/52	・・封止［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/54	・・・特定の形状を有するもの［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/56	・・・材料，例．エポキシ樹脂，シリコン樹脂［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/58	・・光の形状を形成する要素［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/60	・・・反射要素［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/62	・・半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品，例．リードフレーム，ワイヤボンドまたはハンダ［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 33/64	・・放熱または冷却要素［２０１０．０１］	2016年4月
H01L 29/86,301	・・・ショットキーダイオード	2014年4月
H01L 29/86,301@D	半導体本体がシリコン以外のもの	2014年4月
H01L 29/86,301@E	周辺効果の緩和	2014年4月
H01L 29/86,301@F	素子構造	2014年4月
H01L 29/86,301@M	ショットキー用電極の材料が限定されているもの	2014年4月
H01L 29/86,301@P	素子の製造方法	2014年4月
H01L 29/86,301@Z	その他のもの	2014年4月
H01L 31/04,100	・・有機光起電［ＰＶ］装置	2014年4月
H01L 31/04,110	・・・装置の構造に特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,112	・・・・少なくとも１つの電位障壁または表面障壁に特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,112@A	バルクへテロ接合	2014年4月
H01L 31/04,112@B	有機・無機半導体のヘテロ接合を有するもの	2014年4月
H01L 31/04,112@C	・酸化チタン等の半導体材料の増感作用を利用したもの	2014年4月
H01L 31/04,112@D	ＰＩＮ接合を有するもの	2014年4月
H01L 31/04,112@Z	その他	2014年4月
H01L 31/04,114	・・・・光閉じ込めのための構造	2014年4月
H01L 31/04,120	・・・・モジュール	2014年4月
H01L 31/04,122	・・・・タンデム	2014年4月
H01L 31/04,124	・・・・集積化	2014年4月
H01L 31/04,130	・・・・電極	2014年4月
H01L 31/04,132	・・・・基板	2014年4月
H01L 31/04,135	・・・・その他細部の構造に特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,140	・・・装置の材料に特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,150	・・・・有機半導体材料に特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,152	・・・・・有機半導体材料として使用する共役系高分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,152@A	主鎖を構成する環・連結基が炭素元素及び水素元素のみからなる共役系高分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,152@B	主鎖を構成する環・連結基が硫黄元素を含む共役系高分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,152@C	・ポリチオフェンに特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,152@D	・・繰り返し構造単位中に複数種あるもの	2014年4月
H01L 31/04,152@E	・・側鎖に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,152@G	主鎖を構成する環・連結基が窒素元素を含む共役系高分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,152@H	主鎖を構成する環・連結基が酸素元素を含む共役系高分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,152@J	主鎖を構成する環・連結基が炭素，水素，硫黄，窒素，酸素以外の元素を含む共役系高分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,152@Z	その他	2014年4月
H01L 31/04,154	・・・・・低分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,154@A	基本骨格を構成する元素が炭素のみである芳香族化合物に特徴のあるもの（Ｈ０１Ｌ３１／０４，１５４＠Ｆ優先）	2014年4月
H01L 31/04,154@B	基本骨格に硫黄元素が含まれる低分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,154@C	基本骨格に窒素元素が含まれる低分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,154@D	基本骨格に酸素元素が含まれる低分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,154@E	基本骨格に炭素，硫黄，窒素，酸素以外の元素が含まれる低分子化合物に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,154@F	フラーレンに特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,154@Z	その他	2014年4月
H01L 31/04,160	・・・・装置の特定の部位又は要素の材料に特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,162	・・・・・添加剤に特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,164	・・・・・光電変換層に使用される材料の組み合わせに特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,166	・・・・・電子輸送層用材料又は正孔阻止層用材料に特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,168	・・・・・正孔輸送層用材料又は電子阻止層用材料に特徴があるもの	2014年4月
H01L 31/04,170	・・・・・電極用材料	2014年4月
H01L 31/04,180	・・・製造方法または製造装置に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,182	・・・・塗布に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,182@A	溶剤に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,182@Z	その他	2014年4月
H01L 31/04,184	・・・・蒸着に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,186	・・・・熱処理に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,188	・・・・パターニングに特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,200	・・細部に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,220	・・・粒子線輻射により引き起こされる損傷を防止するための対策，例．宇宙応用のため	2014年4月
H01L 31/04,240	・・・被覆，例．反射防止膜，に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,260	・・・電極に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,262	・・・・集電電極の構造	2014年4月
H01L 31/04,264	・・・・導電ペースト	2014年4月
H01L 31/04,266	・・・・透明電極	2014年4月
H01L 31/04,280	・・・テクスチャ構造に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,282	・・・・薄膜太陽電池に適用したもの	2014年4月
H01L 31/04,284	・・・支持基板に特徴のあるもの（支持基板のテクスチャ構造Ｈ０１Ｌ３１／０４，２８０～３１／０４，２８２）	2014年4月
H01L 31/04,300	・・半導体本体に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,320	・・・材料に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,340	・・・半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,342	・・・・量子構造を含むもの	2014年4月
H01L 31/04,342@A	量子ドット	2014年4月
H01L 31/04,342@B	ナノロッド	2014年4月
H01L 31/04,342@Z	その他	2014年4月
H01L 31/04,344	・・・・球状	2014年4月
H01L 31/04,346	・・・結晶構造または結晶面の方向に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,400	・・製造方法または製造装置に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,420	・・・薄膜形成技術に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,422	・・・・塗布によるもの	2014年4月
H01L 31/04,424	・・・・連続処理によるもの，例．ロール・ツー・ロール	2014年4月
H01L 31/04,440	・・・ドーピング方法に特徴のあるもの	2014年4月
H01L 31/04,460	・・・基板の機械的加工，例．スライシング，貼り合わせ，剥離	2014年4月
H01L 31/04,500	・・ＰＶモジュールまたは１つ１つのＰＶ素子のアレイ（ＰＶモジュールの支持構造Ｈ０２Ｓ２０／００）	2014年4月
H01L 31/04,510	・・・機械的に積み重ねられたＰＶ素子	2014年4月
H01L 31/04,520	・・・バイパスダイオードを含むもの（接続箱の中のバイパスダイオードＨ０２Ｓ４０／３４）	2014年4月
H01L 31/04,522	・・・・装置と一体化または直接結合したバイパスダイオード，例．光起電素子と同じ基板内または上に一体化または形成されたバイパスダイオード，を備えるもの	2014年4月
H01L 31/04,530	・・・薄膜太陽電池，例．１つの薄膜ａ－Ｓｉ，ＣＩＳまたはＣｄＴｅ太陽電池，を含むもの	2014年4月
H01L 31/04,532	・・・・同じ基板上に堆積された複数の薄膜太陽電池により構成されたＰＶモジュール	2014年4月
H01L 31/04,532@A	モジュール内でＰＶ素子を接続するためのパターニング方法に特徴があるもの，例．導電層または活性層のレーザーによる切断	2014年4月
H01L 31/04,532@B	モジュール内の隣接するＰＶ素子の電気的相互接続のための特定の構造，を備えるもの	2014年4月
H01L 31/04,532@C	モジュールを通して光を部分的に透過させるための特定の手段，例．窓用の部分的に透明な薄膜太陽モジュール，を備えるもの	2014年4月
H01L 31/04,532@Z	その他	2014年4月
H01L 31/04,540	・・・半導体基板内に形成された複数の垂直接合または複数のＶグルーブ接合を有するＰＶ素子のアレイ	2014年4月
H01L 31/04,550	・・・１つの半導体基板上に平面に，例．周期的に，形成されたＰＶ素子のアレイ；ＰＶ素子のマイクロアレイ	2014年4月
H01L 31/04,560	・・・モジュールの封緘	2014年4月
H01L 31/04,562	・・・・保護バックシート	2014年4月
H01L 31/04,570	・・・ＰＶモジュール内のＰＶ素子間の電気的相互接続手段，例．ＰＶ素子の直列接続（電極Ｈ０１Ｌ３１／０４，２６０；１つの共通基板上に形成された薄膜太陽電池の電気的相互接続Ｈ０１Ｌ３１／０４，５３２；モジュール内の隣接する薄膜太陽電池の電気的相互接続のための特定の構造Ｈ０１Ｌ３１／０４，５３２＠Ｂ；２以上のＰＶモジュール間の電気的接続に特に適合した電気的相互接続手段Ｈ０２Ｓ４０／３６）	2014年4月
H01L 31/04,600	・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した冷却手段，例．強制冷却のための一体化されたペルチェ素子またはＰＶ素子と直接結合したヒートシンク（ＰＶモジュールと結合した冷却手段Ｈ０２Ｓ４０／４２）	2014年4月
H01L 31/04,602	・・・ＰＶ素子と直接結合した熱エネルギーを利用する手段を含むもの，例．一体化されたゼーベック素子	2014年4月
H01L 31/04,610	・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化したエネルギー蓄積手段，例．ＰＶ素子と一体化したコンデンサー（ＰＶモジュールと結合したエネルギー蓄積手段Ｈ０２Ｓ４０／３８）	2014年4月
H01L 31/04,620	・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した光学素子，例．光反射手段または集光手段	2014年4月
H01L 31/04,622	・・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した光学素子により，例．ルミネッセント材料，蛍光性集光器またはアップコンバージョン装置を用いることにより，光が吸収され，かつ異なる波長で再放射されるもの	2014年4月
H01L 31/04,624	・・・背面反射器［ＢＳＲ］タイプである光反射手段	2014年4月
H01L 31/06,100	・・・電位障壁が点接触型であるもの（Ｈ０１Ｌ３１／０６，３５０が優先）	2014年4月
H01L 31/06,150	・・・電位障壁が金属―絶縁体―半導体型のみからなるもの	2014年4月
H01L 31/06,200	・・・電位障壁がこう配ギャップのみからなるもの	2014年4月
H01L 31/06,300	・・・電位障壁がＰＮホモ接合型のみからなるもの，例．バルクシリコンＰＮホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンＰＮホモ接合太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,310	・・・・多接合またはタンデムの太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,320	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，ＡＩＩＩＢＶ化合物のみを含む装置，例．ＧａＡｓまたはＩｎＰ太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,350	・・・電位障壁がショットキー型のみからなるもの	2014年4月
H01L 31/06,400	・・・電位障壁がＰＮヘテロ接合型のみからなるもの	2014年4月
H01L 31/06,410	・・・・多接合またはタンデムの太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,420	・・・・ＡＩＩＢＶＩ化合物半導体のみからなる，例．ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,430	・・・・ＡＩＩＩＢＶ化合物半導体のみからなる，例．ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,440	・・・・周期律表の第ＩＶ族の元素とのヘテロ接合からなる，例．ＩＴＯ／Ｓｉ，ＧａＡｓ／ＳｉまたはＣｄＴｅ／Ｓｉ太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,450	・・・・ＡＩＶＢＩＶヘテロ接合からなる，例．Ｓｉ／Ｇｅ，ＳｉＧｅ／ＳｉまたはＳｉ／ＳｉＣ太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,455	・・・・・結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる，例．薄い真性層を備えたヘテロ接合またはＨＩＴ（登録商標）の太陽電池とのヘテロ結合	2014年4月
H01L 31/06,460	・・・・ＡＩＢＩＩＩＣＶＩ化合物を含む，例．ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２　［ＣＩＳ］ヘテロ接合太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,500	・・・電位障壁がＰＩＮ型のみからなるもの，例．ＰＩＮアモルファスシリコン太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,510	・・・・多接合またはタンデムの太陽電池	2014年4月
H01L 31/06,520	・・・・単結晶または多結晶材料からなる装置	2014年4月
H01L 31/06,600	・・・グループＨ０１Ｌ３１／０６，１００からＨ０１Ｌ３１／０６，５００の２つ以上に分類される異なる種類の電位障壁を含むもの	2014年4月
H01L 25/08@C	チップの貫通電極による接続「図」	2013年11月
H01L 25/08@D	キャリア基板両面にバンプ接続「図」	2013年11月
H01L 25/08@E	チップ活性面とチップ裏面を対向させて積層し同一方向にワイヤ接続「図」「図」	2013年11月
H01L 25/08@F	チップ裏面同士を対向させて積層し反対方向にワイヤ接続「図」	2013年11月
H01L 25/08@G	バンプ接続チップ上にワイヤ接続チップを積層「図」	2013年11月
H01L 25/08@H	インターポーザを用いる積層構造「図」	2013年11月
H01L 25/08@J	基板を折り曲げる積層構造「図」	2013年11月
H01L 25/08@Y	Ｈ０１Ｌ２５／０８Ｂ～Ｈ０１Ｌ２５／０８Ｊに分類されないチップの積層構造	2013年11月
H01L 41/047	・・・電極［６］	2013年5月
H01L 41/053	・・・取付具，支持具，囲いまたはケーシング［６］	2013年5月
H01L 41/083	・・積み重ねまたは多層構造をもつもの［６］	2013年5月
H01L 41/087	・・同軸ケーブルとして形成されるもの［６］	2013年5月
H01L 41/09	・・電気的入力および機械的出力をもつもの［５］	2013年5月
H01L 41/107	・・電気的入力および電気的出力をもつもの［５］	2013年5月
H01L 41/113	・・機械的入力および電気的出力をもつもの［５］	2013年5月
H01L 41/187	・・・セラミック組成物［５］	2013年5月
H01L 41/193	・・・高分子組成物［５］	2013年5月
H01L 41/23	・・被覆またはケースの形成［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/25	・・圧電部品または電歪部品を含む装置の組み立て［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/253	・・圧電特性または電歪特性を修正する装置またはその部品の取扱い，例．分極の特徴，振動の特徴またはモード同調［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/257	・・・分極方法による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/27	・・多層圧電装置または電歪装置およびそれら部品の製造，例．圧電体と電極の積層による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/273	・・・圧電体または電歪体と電極を同時焼結による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/277	・・・バルク圧電体または電歪体と電極の積層による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/29	・・電極，リードまたは端子配置の形成［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/293	・・・積層型圧電装置または積層型電歪装置の接続電極［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/297	・・・積層型圧電装置または積層型電歪装置の内部電極［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/31	・・圧電部品または電歪部品，あるいはそれらの本体を，電気素子または他の基板の上に貼付け［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/311	・・・圧電部品または電歪部品を半導体素子または他の回路素子と共に共通基板の上に取付け［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/312	・・・圧電体または電歪体の積層または接着による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/313	・・・・金属溶融または接着による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/314	・・・圧電層または電磁層の堆積による，例．エアロゾルまたはスクリーン印刷［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/316	・・・・気相堆積による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/317	・・・・液相堆積による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/318	・・・・・ソルゲル堆積による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/319	・・・・下地膜を用いる方法，例．成長制御［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/33	・・圧電体または電歪体の成形または機械加工［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/331	・・・マスクを用いた塗布または堆積による，例．リフトオフ［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/332	・・・エッチングによる，例．リソグラフィ［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/333	・・・型成形または押出成形による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/335	・・・機械加工による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/337	・・・・研磨または研削による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/338	・・・・切断またはダイシングによる［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/339	・・・・パンチングによる［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/35	・・圧電材料または電歪材料の形成［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/37	・・・複合材料［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/39	・・・無機材料［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/41	・・・・溶融による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/43	・・・・焼成による［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/45	・・・有機材料［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 41/47	・磁歪装置またはその部品の組み立て，製造または処理に特別に適合した方法または装置［２０１３．０１］	2013年5月
H01L 21/302,100	・・・・・・プラズマエッチング	2002年7月
H01L 21/302,101@B	平行平板型［容量結合型、ＲＩＥ、２周波数型装置を含む］	2002年7月
H01L 21/302,101@C	誘導結合型［ＴＣＰ、ＩＣＰ、ヘリコン波型を含む］	2002年7月
H01L 21/302,101@D	マイクロ波励起型・ＵＨＦ波励起［ＥＣＲ、空洞共振型を含む：一般的にマイクロ波を用いるものを含む］	2002年7月
H01L 21/302,101@E	局所プラズマ［大気圧放電、ＰＡＣＥ、ケミカルヴェーパーマシニング［ＣＶＭ］を含む）	2002年7月
H01L 21/302,101@F	ウェハ積層型バッチ処理装置［バレル型、エッチングトンネルを含む］	2002年7月
H01L 21/302,101@G	装置間共通事項［基板冷却機構、加熱機構、静電チャック、配管、工程間の搬送、プロセスシミュレーション、他の半導体製造設備との組合せ等を含む］	2002年7月
H01L 21/302,101@H	・装置の清浄化処理［装置壁クリーニング、エイジング等を含む］	2002年7月
H01L 21/302,101@L	・電極の材質［ガラス状カーボンなど炭素からなる電極の材質を特定したものあるいは電極の形成方法に関する発明を含む］	2002年7月
H01L 21/302,101@M	・メンテナンス性の向上［装置を分解して清掃したり、消耗品を交換したりする際に必要とされる技術］	2002年7月
H01L 21/302,101@R	・バックサイドガス供給［被処理基板の裏面の載置台に密着する部分に熱伝導ガスを供給して熱的接触を改善する技術を含む］	2002年7月
H01L 21/302,101@Z	その他	2002年7月
H01L 21/302,101	・・・・・・・プラズマエッチング装置	2002年7月
H01L 21/302,102	・・・・・・・基板の清浄化処理［基板面のクリーニング等を含む：プラズマを用いたクリーニングはＨ０１Ｌ２１／３０２，１０６を優先］	2002年7月
H01L 21/302,103	・・・・・・・終点検知・モニタリング〔エッチングの終点検知，プラズマのモニタリングに関するもの（分光分析，質量検知，検知波形の処理方法）〕	2002年7月
H01L 21/302,104@C	導電性材料のエッチング［Ａｌ等を含む］	2002年7月
H01L 21/302,104@H	有機物のエッチング［レジストアッシング、灰化除去、プラズマを用いないレジストアッシングも例外的にこのＦＩに付与］	2002年7月
H01L 21/302,104@Z	その他	2002年7月
H01L 21/302,104	・・・・・・・被エッチング物	2002年7月
H01L 21/302,105@A	パターニング［シリル化等のパターニング自体に特徴があり、実施例に被エッチング物の明記がされていないもの又はプラズマを用いないチャージアップ防止も含む］	2002年7月
H01L 21/302,105@B	全面エッチング［エッチバック、平坦化自体に特徴があり、実施例に被エッチング物の明記がされていないもの］	2002年7月
H01L 21/302,105@Z	その他	2002年7月
H01L 21/302,105	・・・・・・・特殊加工	2002年7月
H01L 21/302,106	・・・・・・・プラズマ後処理［エッチング処理後のプラズマを用いた工程、プラズマを用いたチャージアップ防止等に特徴があるもの］	2002年7月
H01L 21/302,201@A	プラズマを用いない気相エッチング［高温状態のガスとの接触によるエッチング、蒸気によるエッチング：例］ＨＦガスとＨ２Ｏによるエッチング］	2002年7月
H01L 21/302,201@B	エネルギービームエッチング［ＦＩＢ、収束イオンビーム、アブレーションや電子ビームエッチングを含む：プラズマイオン源を用いたイオンシャワー、ＲＩＢＥはＨ０１Ｌ２１／３０２，１０１が優先］	2002年7月
H01L 21/302,201@Z	その他	2002年7月
H01L 21/302,201	・・・・・・プラズマを用いないエッチング	2002年7月
H01L 21/302,301@G	・下地層がアルミニウム	2002年7月
H01L 21/302,301@M	下地層が金属膜	2002年7月
H01L 21/302,301@N	下地層がシリコン窒化膜	2002年7月
H01L 21/302,301@S	下地層がシリコン酸化膜	2002年7月
H01L 21/302,301@Z	その他	2002年7月
H01L 21/302,301	・・・・・・下地層［被エッチング層とエッチングされないその下の層との選択性を高めることを目的として発明された構造、エッチングガスなど］	2002年7月
H01L 21/302,400	・・・・・・その他［原則的に使用しない：プラズマエッチングで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１Ｌ２１／３０２，１０１に付与、イオンビームなどで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１ｌ２１／３０２，２０１に付与］	2002年7月
H01L 29/28,100	デバイスの型	2005年12月
H01L 29/28,100@A	整流，増幅，発振，またはスイッチング	2005年12月
H01L 29/28,100@B	双安定	2005年12月
H01L 29/28,100@Z	その他	2005年12月
H01L 29/28,200	材料の選択に特徴	2005年12月
H01L 29/28,210	能動部分，導電部分	2005年12月
H01L 29/28,220	状態［２５０より優先］	2005年12月
H01L 29/28,220@A	ドーパント，複合材料に特徴	2005年12月
H01L 29/28,220@B	電荷移動錯体	2005年12月
H01L 29/28,220@C	単一分子	2005年12月
H01L 29/28,220@D	単分子膜	2005年12月
H01L 29/28,220@Z	その他	2005年12月
H01L 29/28,250	種類［２２０が優先］	2005年12月
H01L 29/28,250@E	フラーレン	2005年12月
H01L 29/28,250@F	配位化合物	2005年12月
H01L 29/28,250@G	ポリマー，オリゴマー，デンドリマー	2005年12月
H01L 29/28,250@H	低分子	2005年12月
H01L 29/28,250@Z	その他	2005年12月
H01L 29/28,280	その他の部分	2005年12月
H01L 29/28,300	製造方法，製造装置に特徴	2005年12月
H01L 29/28,310	能動部分の形成	2005年12月
H01L 29/28,310@A	ドーパント，複合材料用	2005年12月
H01L 29/28,310@C	単一分子用	2005年12月
H01L 29/28,310@D	単分子膜用	2005年12月
H01L 29/28,310@E	フラーレン用	2005年12月
H01L 29/28,310@J	上記Ａ～Ｅ以外の材料用	2005年12月
H01L 29/28,310@K	形状の変換	2005年12月
H01L 29/28,310@L	改質	2005年12月
H01L 29/28,310@Z	その他	2005年12月
H01L 29/28,370	導電部分の形成	2005年12月
H01L 29/28,390	その他	2005年12月
H01L 29/28,400	細部	2005年12月
H01L 29/28,500	集積化，集積回路に特徴［１００～４００より優先］	2005年12月
H01L 29/28,600	その他	2005年12月
H01L 29/44@L	電極の配置	2002年7月
H01L 29/44@P	電極の平面形状	2002年7月
H01L 29/44@S	電極の断面形状	2002年7月
H01L 29/44@Y	電極の特殊機能　例．フィールドプレート	2002年7月
H01L 29/50@M	ＭＩＳ・ＭＯＳトランジスタ用のもの	2002年7月
H01L 29/58@G	ＭＩＳ・ＭＯＳゲート用のもの	2002年7月
H01L 29/58@Z	その他のもの	2002年7月
H01L 33/00,100	・半導体素子本体に特徴のあるもの	2009年05月
H01L 33/00,110	・・量子効果を奏する構造または超格子を有するもの，例．トンネル接合	2009年05月
H01L 33/00,112	・・・発光領域内にあるもの，例．量子閉じ込め構造，トンネル障壁	2009年05月
H01L 33/00,120	・・複数の発光領域を有するもの，例．横方向に不連続な発光層，フォトルミネセント領域が半導体素子本体に集積化されているもの（Ｈ０１Ｌ２７／１５が優先）	2009年05月
H01L 33/00,130	・・反射構造を有するもの，例．半導体ブラッグ反射鏡	2009年05月
H01L 33/00,140	・・応力緩和構造を有するもの，例．バッファ層	2009年05月
H01L 33/00,150	・・電流制御構造を有するもの，例．高濃度ドープ半導体層，電流ブロック構造	2009年05月
H01L 33/00,160	・・特定の結晶構造や結晶方位を有するもの，例．多結晶，アモルファス，ポーラス	2009年05月
H01L 33/00,162	・・・発光領域内にあるもの［注．このサブグループに分類を付与した場合には，発光領域の化学組成を特定するために，Ｈ０１Ｌ３３／００，１８０－Ｈ０１Ｌ３３／００，１８８のいずれかにも分類を付与する。］	2009年05月
H01L 33/00,170	・・特定の形状を有するもの，例．湾曲または面取りされた基板	2009年05月
H01L 33/00,172	・・・粗面，凹凸面，例．エピタキシャル層の界面にあるもの	2009年05月
H01L 33/00,174	・・・発光領域にあるもの，例．非プレーナー接合	2009年05月
H01L 33/00,180	・・発光領域の材料	2009年05月
H01L 33/00,182	・・・ＩＩ族およびＶＩ族元素のみを有するもの	2009年05月
H01L 33/00,184	・・・ＩＩＩ族およびＶ族元素のみを有するもの	2009年05月
H01L 33/00,186	・・・・窒素を含むもの	2009年05月
H01L 33/00,188	・・・ＩＶ族元素のみを有するもの	2009年05月
H01L 33/00,200	・電極に特徴があるもの	2009年05月
H01L 33/00,210	・・特定の形状	2009年05月
H01L 33/00,220	・・材料	2009年05月
H01L 33/00,222	・・・透明材料	2009年05月
H01L 33/00,300	・コーティングに特徴があるもの，例．パシベーション層，反射防止コーティング	2009年05月
H01L 33/00,310	・・反射コーティング，例．誘電体ブラッグ反射鏡	2009年05月
H01L 33/00,400	・半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの［注．このグループは，半導体素子本体に接触する要素または，パッケージに集積化された要素を含む。］	2009年05月
H01L 33/00,410	・・波長変換要素	2009年05月
H01L 33/00,420	・・封止	2009年05月
H01L 33/00,422	・・・特定の形状を有するもの	2009年05月
H01L 33/00,424	・・・材料，例．エポキシ樹脂，シリコン樹脂	2009年05月
H01L 33/00,430	・・光の形状を形成する要素	2009年05月
H01L 33/00,432	・・・反射要素	2009年05月
H01L 33/00,440	・・半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品，例．リードフレーム，ワイヤボンド，ハンダ	2009年05月
H01L 33/00,450	・・放熱または冷却要素	2009年05月

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廃止

FI	タイトル	移行先	廃止時期
H01L 21/06	・・・不純物として以外に他の材料からなる半導体本体が結合されていない，セレンまたはテルルからなる半導体本体を有する装置	H10D 48/04	2025年1月
H01L 21/08	・・・・基体板の処理［２］	H10D 48/042	2025年1月
H01L 21/10	・・・・セレンまたはテルルの前処理，基体板への適用，または続いての結合処理［２］	H10D 48/043	2025年1月
H01L 21/103	・・・・・セレンまたはテルルの導電状態への変換	H10D 48/044	2025年1月
H01L 21/105	・・・・・導電性にした後のセレンまたはテルル層の表面処理	H10D 48/045	2025年1月
H01L 21/108	・・・・・絶縁分離層，すなわち，非ジェネティック障壁層の形成［２］	H10D 48/046	2025年1月
H01L 21/12	・・・・基体板と結合した後のセレンまたはテルルの露出面への電極の形成［２］	H10D 48/047	2025年1月
H01L 21/14	・・・・完全装置の処理，例．障壁形成のためのエレクトロフォーミングによるもの［２］	H10D 48/048	2025年1月
H01L 21/145	・・・・・エージング	H10D 48/049	2025年1月
H01L 21/16	・・・酸化第一銅またはヨウ化第一銅からなる半導体本体を有する装置［２］	H10D 48/07	2025年1月
H01L 21/28,301	・・・・・電極の材料が限定されているもの	H10D 64/60	2025年1月
H01L 21/28,301@A	シリコンを用いているもの	H10D 64/60	2025年1月
H01L 21/28,301@B	半導体本体がシリコン以外のもの	H10D 64/60	2025年1月
H01L 21/28,301@D	・シリコン電極上にシリサイドが形成されているもの	H10D 64/60	2025年1月
H01L 21/28,301@R	金属又は金属化合物を用いているもの	H10D 64/60	2025年1月
H01L 21/28,301@S	シリサイドを用いているもの	H10D 64/60	2025年1月
H01L 21/28,301@Z	その他のもの	H10D 64/60	2025年1月
H01L 21/28@A	前処理に関するもの	H10D 64/01@A	2025年1月
H01L 21/28@B	後処理に関するもの	H10D 64/01@B	2025年1月
H01L 21/28@C	試験・検査に関するもの	H10D 64/01@C	2025年1月
H01L 21/28@D	露光処理に特徴を有するもの	H10D 64/01@D	2025年1月
H01L 21/28@E	エッチング、リフトオフ、研磨によるもの	H10D 64/01@E	2025年1月
H01L 21/28@K	部分的変質法によるもの	H10D 64/01@K	2025年1月
H01L 21/28@L	電極取出用の孔開に関するもの	H10D 64/01@L	2025年1月
H01L 21/28@Z	その他のもの	H10D 64/01@Z	2025年1月
H01L 21/283@B	絶縁材料の形成に特徴	H10D 64/01@S	2025年1月
H01L 21/283@C	絶縁材料の種類に特徴	H10D 64/68	2025年1月
H01L 21/283@Z	その他のもの	H10D 64/01@S	2025年1月
H01L 21/82	・・・複数の個々の構成部品に基板を分割しないもの，例．集積回路	H10D 89/10	2025年1月
H01L 21/82@A	・プログラマブル・ロジック・アレイ〔ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ　ｌｏｇｉｃ　Ａｒｒａｙ〕	H10D 89/10@A	2025年1月
H01L 21/82@B	・ビルディング・ブロック，スタンダード・セル〔Ｂｕｉｌｄｉｎｇ　ｂｌｏｃｋ，ｓｔａｎｄａｒｄ　ｃｅｌｌ〕	H10D 89/10@B	2025年1月
H01L 21/82@C	・電子計算機を利用するもの〔Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　ａｉｄｅｄ　ｄｅｓｉｇｎ〕	H10D 89/10@C	2025年1月
H01L 21/82@D	素子設計〔Ｄｅｖｉｃｅ　ｄｅｓｉｇｎ〕	H10D 89/10@D	2025年1月
H01L 21/82@F	・・フューズ〔Ｒ，Ｔが優先〕〔Ｆｕｓｅｓ〕	H10D 89/10@F	2025年1月
H01L 21/82@L	・電線〔ｐｏｗｅｒ―ｓｕｐｐｌｙ　Ｌｉｎｅｓ〕	H10D 89/10@L	2025年1月
H01L 21/82@M	・マスタースライス，ゲート・アレイ〔Ｍａｓｔｅｒｓｌｉｃｅ，ｇａｔｅ　ａｒｒａｙ〕	H10D 89/10@M	2025年1月
H01L 21/82@P	・パッド，入出力セル〔Ｐａｄｓ，Ｉ／Ｏ　ｃｅｌｌｓ〕	H10D 89/10@P	2025年1月
H01L 21/82@R	・・冗長回路〔Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ　ｃｉｒｃｕｉｔ〕	H10D 89/10@R	2025年1月
H01L 21/82@S	・機能選択〔ｆｕｎｃｔｉｏｎ　Ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ〕	H10D 89/10@S	2025年1月
H01L 21/82@T	・・検査〔Ｔｅｓｔｉｎｇ〕	H10D 89/10@T	2025年1月
H01L 21/82@W	配線設計〔Ｗｉｒｉｎｇ　ｄｅｓｉｇｎ〕	H10D 89/10@W	2025年1月
H01L 21/82@Z	その他のもの〔ｏｔｈｅｒｓ〕	H10D 89/10@Z	2025年1月
H01L 27/00,301	・三次元回路素子	H10D 88/00	2025年1月
H01L 27/00,301@A	素子配置に特徴のある積層型	H10D 88/00@A	2025年1月
H01L 27/00,301@B	接着型	H10D 88/00@B	2025年1月
H01L 27/00,301@C	・接続構造	H10D 88/00@C	2025年1月
H01L 27/00,301@D	・単結晶絶縁体層介在型	H10D 88/00@D	2025年1月
H01L 27/00,301@E	・単結晶直接成長技術	H10D 88/00@E	2025年1月
H01L 27/00,301@F	・ＦＩＰＯＳ	H10D 88/00@F	2025年1月
H01L 27/00,301@H	・放熱構造；シールド構造	H10D 88/00@H	2025年1月
H01L 27/00,301@L	・まわり込み酸化	H10D 88/00@L	2025年1月
H01L 27/00,301@N	・半導体ｉ層介在型	H10D 88/00@N	2025年1月
H01L 27/00,301@P	・ポリアモルファス積層型	H10D 88/00@P	2025年1月
H01L 27/00,301@R	・再結晶化技術	H10D 88/00@R	2025年1月
H01L 27/00,301@S	・ＳＩＭＯＸ	H10D 88/00@S	2025年1月
H01L 27/00,301@W	両面型	H10D 88/00@W	2025年1月
H01L 27/00,301@Y	・その他の構造	H10D 88/00@Y	2025年1月
H01L 27/00,301@Z	その他	H10D 88/00@Z	2025年1月
H01L 27/01	・１つの共通絶縁基板上に形成された薄膜または厚膜受動素子のみからなるもの［３］	H10D 86/85	2025年1月
H01L 27/01,301	・・厚膜回路	H10D 86/85,101	2025年1月
H01L 27/01,311	・・薄膜回路	H10D 86/85,102	2025年1月
H01L 27/01,321	・・厚膜トリミング；薄膜トリミング	H10D 86/85,103	2025年1月
H01L 27/04	・・基板が半導体本体であるもの［２］	H10D 89/00,101	2025年1月
H01L 27/04@A	基板上の素子配置	H10D 89/00,101@A	2025年1月
H01L 27/04@B	基準電圧発生回路	H10D 89/00,101@B	2025年1月
H01L 27/04@C	容量素子	H10D 1/68	2025年1月
H01L 27/04@D	配線	H10D 89/00,101@D	2025年1月
H01L 27/04@E	端子の機能または配置	H10D 89/00,101@E	2025年1月
H01L 27/04@F	機能；動作	H10D 89/00,101@F	2025年1月
H01L 27/04@G	基板バイアス発生；昇圧	H10D 89/00,101@G	2025年1月
H01L 27/04@H	保護	H10D 89/60	2025年1月
H01L 27/04@L	誘導素子；インダクタンス発生回路	H10D 1/20	2025年1月
H01L 27/04@M	機能切換	H10D 89/00,101@M	2025年1月
H01L 27/04@P	薄膜抵抗	H10D 1/47,101	2025年1月
H01L 27/04@R	拡散抵抗	H10D 1/47,102	2025年1月
H01L 27/04@T	テスト回路；検査回路	H10D 89/00,101@T	2025年1月
H01L 27/04@U	機能ブロック組合せ，例．システムＬＳＩ	H10D 89/00,101@U	2025年1月
H01L 27/04@V	可変インピーダンス；トリミング	H10D 89/00,101@V	2025年1月
H01L 27/04@Z	その他のもの	H10D 89/00,101@Z	2025年1月
H01L 27/06	・・・複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの［２］	H10D 84/00	2025年1月
H01L 27/06,101	・・・・バイポーラ素子を主体とする集積回路	H10D 84/60,201	2025年1月
H01L 27/06,101@B	バイポーラトランジスタからなるもの	H10D 84/60,201@Z	2025年1月
H01L 27/06,101@D	バイポーラトランジスタと誘導素子，容量，抵抗またはダイオードからなるもの	H10D 84/60,201@D	2025年1月
H01L 27/06,101@P	保護回路	H10D 84/60,201@P	2025年1月
H01L 27/06,101@S	バイポーラトランジスタとＳＩＴからなる論理回路	H10D 84/60,201@S	2025年1月
H01L 27/06,101@U	バイポーラトランジスタとユニポーラトランジスタからなるもの	H10D 84/60,201@U	2025年1月
H01L 27/06,101@Z	その他	H10D 84/60,201@Z	2025年1月
H01L 27/06,102	・・・・ＭＯＳ素子を主体とする集積回路	H10D 84/80,101	2025年1月
H01L 27/06,102@A	ＭＯＳと，受動素子またはダイオードを集積したもの	H10D 84/80,101@A	2025年1月
H01L 27/06,102@Z	その他	H10D 84/80,101@Z	2025年1月
H01L 27/06,311	・・・・・保護回路	H10D 84/80,102	2025年1月
H01L 27/06,311@A	抵抗を用いて保護したもの；コンタクト部に特徴のあるもの	H10D 84/80,102@A	2025年1月
H01L 27/06,311@B	ダイオードを用いて保護したもの	H10D 84/80,102@B	2025年1月
H01L 27/06,311@C	バイポーラを含むＭＯＳ構造を用いて保護したもの	H10D 84/80,102@C	2025年1月
H01L 27/06,311@Z	その他	H10D 84/80,102@Z	2025年1月
H01L 27/06,321	・・・・バイＭＯＳを主体とする集積回路	H10D 84/40	2025年1月
H01L 27/06,321@A	全体に特徴のあるもの	H10D 84/40@A	2025年1月
H01L 27/06,321@B	バイポーラトランジスタの構成に特徴のあるもの	H10D 84/40@B	2025年1月
H01L 27/06,321@C	素子分離	H10D 84/40@C	2025年1月
H01L 27/06,321@D	ラッチアップ防止	H10D 84/40@D	2025年1月
H01L 27/06,321@E	基板；ウェル；埋込み層	H10D 84/40@E	2025年1月
H01L 27/06,321@F	コンタクト；電極；配線	H10D 84/40@F	2025年1月
H01L 27/06,321@G	回路構成に特徴のあるもの	H10D 84/40@G	2025年1月
H01L 27/06,321@H	・バイＭＯＳ複合機能素子	H10D 84/40@H	2025年1月
H01L 27/06,321@J	・特定用途用，例．論理回路またはメモリ	H10D 84/40@J	2025年1月
H01L 27/06,321@Z	その他	H10D 84/40@Z	2025年1月
H01L 27/06,331	・・・・基板バイアス回路	H10D 84/00	2025年1月
H01L 27/06@F	ＭＯＳを除くＦＥＴを主体とする集積回路	H10D 84/87	2025年1月
H01L 27/06@T	サイリスタを主体とする集積回路	H10D 84/60,101	2025年1月
H01L 27/06@Z	その他	H10D 84/00	2025年1月
H01L 27/07	・・・・構成部品が共通の活性領域をもつもの［５］	H10D 84/00	2025年1月
H01L 27/07,101	・・・・・バイポーラトランジスタを含む集積回路（Ｈ０１Ｌ２７／０７，１０２が優先）	H10D 84/00	2025年1月
H01L 27/07,102	・・・・・ＭＯＳを含む集積回路	H10D 84/00	2025年1月
H01L 27/08	・・・１種類の半導体構成部品だけを含むもの［２］	H10D 84/00	2025年1月
H01L 27/082	・・・・バイポーラ構成部品のみを含むもの［５］	H10D 84/60,202	2025年1月
H01L 27/082@B	バイポーラトランジスタからなるもの	H10D 84/60,202@B	2025年1月
H01L 27/082@C	ＮＰＮ型とＰＮＰ型の組み合わせ	H10D 84/67	2025年1月
H01L 27/082@D	ダーリントン接続	H10D 84/60,202@D	2025年1月
H01L 27/082@J	・・インジェクタ	H10D 84/65@J	2025年1月
H01L 27/082@L	バイポーラトランジスタからなる論理回路	H10D 84/60,202@L	2025年1月
H01L 27/082@M	・ＩＩＬ	H10D 84/65	2025年1月
H01L 27/082@N	・・インバータ	H10D 84/65@N	2025年1月
H01L 27/082@T	特性が異なるバイポーラトランジスタからなるもの	H10D 84/60,202@T	2025年1月
H01L 27/082@V	縦型と横型の組み合わせ	H10D 84/63	2025年1月
H01L 27/082@W	・・ＩＩＬを含む回路	H10D 84/65@W	2025年1月
H01L 27/082@Z	その他	H10D 84/60,202@Z	2025年1月
H01L 27/085	・・・・電界効果構成部品のみを含むもの［５］	H10D 84/82	2025年1月
H01L 27/088	・・・・・構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの［５］	H10D 84/83	2025年1月
H01L 27/088,311	・・・・・・Ｅ―ＤＭＯＳ；Ｅ―ＥＭＯＳ	H10D 84/84	2025年1月
H01L 27/088,311@A	全体に特徴のあるもの	H10D 84/84@A	2025年1月
H01L 27/088,311@Z	その他	H10D 84/84@Z	2025年1月
H01L 27/088,331	・・・・・・寄生効果防止，例．素子分離	H10D 84/83,101	2025年1月
H01L 27/088,331@A	絶縁分離	H10D 84/83,101@A	2025年1月
H01L 27/088,331@B	チャンネルストッパー；ガードリング	H10D 84/83,101@B	2025年1月
H01L 27/088,331@C	基板；埋込み層	H10D 84/83,101@C	2025年1月
H01L 27/088,331@D	ウェル	H10D 84/83,101@D	2025年1月
H01L 27/088,331@E	ＳＯＳ；ＳＯＩ	H10D 84/83,101@E	2025年1月
H01L 27/088,331@F	ダイオードまたは抵抗を用いたもの	H10D 84/83,101@F	2025年1月
H01L 27/088,331@G	バイアスを与えたもの	H10D 84/83,101@G	2025年1月
H01L 27/088,331@Z	その他のもの	H10D 84/83,101@Z	2025年1月
H01L 27/088@A	ＭＯＳ構造全体に特徴のあるもの	H10D 84/83@A	2025年1月
H01L 27/088@B	チャネル構造またはソースドレイン形成	H10D 84/83@B	2025年1月
H01L 27/088@C	ゲート電極またはゲート絶縁膜	H10D 84/83@C	2025年1月
H01L 27/088@D	コンタクト；電極；配線	H10D 84/83@D	2025年1月
H01L 27/088@E	積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ	H10D 84/83@E	2025年1月
H01L 27/088@F	ＭＯＳＩＣに対する保護回路	H10D 84/83@F	2025年1月
H01L 27/088@H	メモリ；論理回路	H10D 84/83@H	2025年1月
H01L 27/088@J	回路構成に特徴のあるもの	H10D 84/83@J	2025年1月
H01L 27/088@Z	その他のもの	H10D 84/83@Z	2025年1月
H01L 27/092	・・・・・・相補型ＭＩＳ電界効果トランジスタ［５］	H10D 84/85	2025年1月
H01L 27/092@A	ＣＭＯＳ全体に特徴のあるもの	H10D 84/85@A	2025年1月
H01L 27/092@B	ウェル；基板；埋込み層	H10D 84/85@B	2025年1月
H01L 27/092@C	チャネル構造	H10D 84/85@C	2025年1月
H01L 27/092@D	ゲート電極またはゲート絶縁膜	H10D 84/85@D	2025年1月
H01L 27/092@E	ソースドレイン形成	H10D 84/85@E	2025年1月
H01L 27/092@F	コンタクト；電極；配線	H10D 84/85@F	2025年1月
H01L 27/092@G	積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ	H10D 84/85@G	2025年1月
H01L 27/092@H	ＣＭＯＳに対する保護回路	H10D 84/85@H	2025年1月
H01L 27/092@K	メモリ；論理回路	H10D 84/85@K	2025年1月
H01L 27/092@L	回路構成に特徴のあるもの	H10D 84/85@L	2025年1月
H01L 27/092@N	製造工程の簡略化	H10D 84/85@N	2025年1月
H01L 27/092@Z	その他のもの	H10D 84/85@Z	2025年1月
H01L 27/095	・・・・・構成部品がショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタであるもの［５］	H10D 84/86	2025年1月
H01L 27/098	・・・・・構成部品がＰＮ接合ゲート電界効果トランジスタであるもの［５］	H10D 84/87	2025年1月
H01L 27/10	・・・複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの［２］	H10B 99/00	2025年1月
H01L 27/102	・・・・バイポーラ構成部品を含むもの［２０２３．０１］	H10B 99/00	2025年1月
H01L 27/105	・・・・電界効果構成部品を含むもの［２０２３．０１］	H10B 99/00	2025年1月
H01L 27/118	・・・・マスタースライス集積回路［５］	H10D 84/90	2025年1月
H01L 27/118,101	・・・・・バイポーラトランジスタを含む集積回路；ＦＥＴを含む集積回路（Ｈ０１Ｌ２７／１１８，１０２が優先）	H10D 84/90,101	2025年1月
H01L 27/118,102	・・・・・ＭＯＳを含む集積回路	H10D 84/90,102	2025年1月
H01L 27/13	・・・薄膜または厚膜受動構成部品と組合せたもの［３］	H10D 86/80	2025年1月
H01L 27/14	・赤外線，可視光，短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの（構造的に１つまたはそれ以上の電気光源のみに関連する輻射線感応構成部品Ｈ０１Ｌ３１／１４；光電気素子と光ガイドとの結合Ｇ０２Ｂ６／４２）［２］	H10F 39/10	2025年1月
H01L 27/142	・・エネルギー変換装置（装置と一体化または直接結合したバイパスダイオードを備える光起電［ＰＶ］モジュールまたは１つ１つのＰＶ素子のアレイＨ０１Ｌ３１／０４４３；同じ基板上に堆積された複数の薄膜太陽電池により構成されたＰＶモジュールＨ０１Ｌ３１／０４６）［５，２０１４．０１］	H10F 19/50	2025年1月
H01L 27/144	・・輻射線によって制御される装置［５］	H10F 39/10	2025年1月
H01L 27/144@J	・光通信用受光素子	H10F 39/10@J	2025年1月
H01L 27/144@K	特殊用途用固体撮像素子；特定用途用受光素子	H10F 39/10@K	2025年1月
H01L 27/144@Z	その他のもの	H10F 39/10@Z	2025年1月
H01L 27/146	・・・固体撮像装置構造［５］	H10F 39/12	2025年1月
H01L 27/146@A	プレナ固体撮像素子，例．ＭＯＳ型，ＦＥＴ型，ＳＩＴ型またはＣＰＤ型	H10F 39/18@A	2025年1月
H01L 27/146@C	薄膜固体撮像素子	H10F 39/18@C	2025年1月
H01L 27/146@D	パッケージ；フィルタ；チップ；表面層	H10F 39/12@D	2025年1月
H01L 27/146@E	・・光導電層積層型	H10F 39/18@E	2025年1月
H01L 27/146@F	・ハイブリッド固体撮像素子	H10F 39/18@F	2025年1月
H01L 27/146@G	・電荷注入デバイス［ＣＩＤ］型	H10F 39/12@G	2025年1月
H01L 27/146@Z	その他のもの	H10F 39/12@Z	2025年1月
H01L 27/148	・・・・電荷結合型固体撮像装置［５］	H10F 39/15	2025年1月
H01L 27/148@B	ＣＣＤ型，例．ＦＴ方式，ＩＬ方式，ＬＡ方式，ＣＳ方式，クロスゲート方式または一次元用	H10F 39/15@B	2025年1月
H01L 27/148@H	・時間遅延積分［ＴＤＩ］型	H10F 39/15@H	2025年1月
H01L 27/148@Z	その他のもの	H10F 39/15@Z	2025年1月
H01L 27/15	・電位障壁を有し，光放出に特に適用される半導体構成部品を含むもの［２００６．０１］	H10H 29/10	2025年1月
H01L 27/15@A	他の素子との集積に特徴	H10H 29/10	2025年1月
H01L 27/15@B	・駆動素子または光変調素子との集積	H10H 29/10	2025年1月
H01L 27/15@C	・放出光の導波手段，例．光導波路または光スイッチング素子，との集積	H10H 29/10	2025年1月
H01L 27/15@D	・受光素子との集積	H10H 29/10	2025年1月
H01L 27/15@H	ハイブリッド装置；実装	H10H 29/10	2025年1月
H01L 27/15@S	光信号回路	H10H 29/10	2025年1月
H01L 27/15@T	３次元光集積回路	H10H 29/10	2025年1月
H01L 27/15@Z	その他のもの	H10H 29/10	2025年1月
H01L 29/00	整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，電位障壁を有するもの；電位障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（Ｈ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ１０／００，Ｈ１０Ｎが優先；半導体本体または電極以外の細部Ｈ０１Ｌ２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００［２００６．０１］	H10D 48/00	2025年1月
H01L 29/02	・半導体本体に特徴のあるもの	H10D 62/00	2025年1月
H01L 29/04	・・半導体本体の結晶構造，例．多結晶，立方晶系，特定な結晶面の方向，に特徴のあるもの（不完全結晶２９／３０）［２］	H10D 62/40	2025年1月
H01L 29/06	・・半導体本体の形状に特徴のあるもの；半導体領域の形，相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの［２］	H10D 62/10	2025年1月
H01L 29/06,301	・・・耐圧構造（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,101	2025年1月
H01L 29/06,301@D	半導体領域に特徴のあるもの［不純物濃度，形状，寸法，配置など；Ｒが優先］（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,101@D	2025年1月
H01L 29/06,301@F	フィールドプレートを用いるもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,101@F	2025年1月
H01L 29/06,301@G	・ガードリング，電界制限リングを用いるもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,101@G	2025年1月
H01L 29/06,301@M	傾斜面［メサ，ベベル］，溝を形成するもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,101@M	2025年1月
H01L 29/06,301@R	曲率［断面，平面］を制御するもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,101@R	2025年1月
H01L 29/06,301@S	半絶縁性膜，高抵抗膜を用いるもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,101@S	2025年1月
H01L 29/06,301@V	縦型素子用のもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,101@V	2025年1月
H01L 29/06,301@Z	その他のもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,101@Z	2025年1月
H01L 29/06,601	・・・特殊構造（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,201	2025年1月
H01L 29/06,601@B	立体型素子［例．球状半導体］（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,201@B	2025年1月
H01L 29/06,601@D	・量子ドット，量子島（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/81@D	2025年1月
H01L 29/06,601@L	・量子細線（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/81@L	2025年1月
H01L 29/06,601@N	ナノ構造体［原子，分子レベルの操作によるもの］（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,201@N	2025年1月
H01L 29/06,601@Q	量子構造（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/81	2025年1月
H01L 29/06,601@S	超格子構造（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/815	2025年1月
H01L 29/06,601@W	・量子井戸（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/81@W	2025年1月
H01L 29/06,601@Z	その他のもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 62/10,201@Z	2025年1月
H01L 29/08	・・・整流，増幅，またはスイッチされる電流を流す電極が接続されている半導体領域をもつものであって，その電極が３つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの［２］	H10D 62/13	2025年1月
H01L 29/10	・・・整流，増幅，またはスイッチされる電流を流さない電極が接続されている半導体領域をもつものであって，その電極が３つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの［２］	H10D 62/17	2025年1月
H01L 29/12	・・構成材料に特徴のあるもの	H10D 62/80	2025年1月
H01L 29/14	・・・無機材料	H10D 62/80	2025年1月
H01L 29/16	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，非結合型周期表の第ＩＶ族の元素のみを含むもの［２００６．０１］	H10D 62/83	2025年1月
H01L 29/161	・・・・・２９／１６に分類されている元素のうち２つ以上を含むもの	H10D 62/832	2025年1月
H01L 29/163	・・・・・・同じ半導体領域にあるもの	H10D 62/832	2025年1月
H01L 29/165	・・・・・・異った半導体領域にあるもの	H10D 62/822	2025年1月
H01L 29/167	・・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］	H10D 62/834	2025年1月
H01L 29/18	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にしてＳｅまたはＴｅのみを含むもの［２］	H10D 62/84	2025年1月
H01L 29/20	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ａ↓ＩＩＩＢ↓Ｖ化合物のみを含むもの［２］	H10D 62/85	2025年1月
H01L 29/201	・・・・・２つ以上の化合物を含むもの	H10D 62/852	2025年1月
H01L 29/203	・・・・・・同じ半導体領域にあるもの	H10D 62/852	2025年1月
H01L 29/205	・・・・・・異った半導体領域にあるもの	H10D 62/824	2025年1月
H01L 29/207	・・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］	H10D 62/854	2025年1月
H01L 29/22	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ａ↓ＩＩＢ↓ＶＩ化合物のみを含むもの［２］	H10D 62/86	2025年1月
H01L 29/221	・・・・・２つ以上の化合物を含むもの	H10D 62/862	2025年1月
H01L 29/223	・・・・・・同じ半導体領域にあるもの	H10D 62/862	2025年1月
H01L 29/225	・・・・・・異った半導体領域にあるもの	H10D 62/826	2025年1月
H01L 29/227	・・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］	H10D 62/864	2025年1月
H01L 29/24	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，２９／１６，２９／１８，２９／２０，２９／２２に分類されない半導体材料のみを含むもの［２］	H10D 62/80	2025年1月
H01L 29/26	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，２９／１６，２９／１８，２９／２０，２９／２２，２９／２４のグループの２つ以上に分類されている元素を含むもの［２］	H10D 62/80	2025年1月
H01L 29/263	・・・・・同じ半導体領域にあるもの	H10D 62/80	2025年1月
H01L 29/267	・・・・・異った半導体領域にあるもの	H10D 62/82	2025年1月
H01L 29/30	・・物理的不完全性に特徴のあるもの；研磨された表面又はあらされた表面を持つもの	H10D 62/50	2025年1月
H01L 29/32	・・・不完全性が半導体本体の内部にあるもの	H10D 62/53	2025年1月
H01L 29/34	・・・不完全性が表面にあるもの	H10D 62/57	2025年1月
H01L 29/36	・・不純物の濃度又は分布に特徴のあるもの	H10D 62/60	2025年1月
H01L 29/38	・・２９／０４，２９／０６，２９／１２，２９／３０，２９／３６のグループのうち２つ以上に分類されている特徴の結合に特徴のあるもの	H10D 62/00	2025年1月
H01L 29/40	・その電極に特徴のあるもの	H10D 64/00	2025年1月
H01L 29/42	・・整流，増幅，又はスイッチされる電流を流す電極で，その電極は，１つまたは２つの電極を持つ１つの半導体装置の部分であるもの	H10D 64/00	2025年1月
H01L 29/44	・・・それらの形，大きさまたは配置に特徴のあるもの	H10D 64/20	2025年1月
H01L 29/44@L	電極の配置	H10D 64/20	2025年1月
H01L 29/44@P	電極の平面形状	H10D 64/20	2025年1月
H01L 29/44@S	電極の断面形状	H10D 64/20	2025年1月
H01L 29/44@Y	電極の特殊機能，例．フィールドプレート	H10D 64/20@F	2025年1月
H01L 29/44@Z	その他のもの	H10D 64/20	2025年1月
H01L 29/46	・・・構成材料に特徴のあるもの	H10D 64/60	2025年1月
H01L 29/48	・・・表面障壁，例．ショットキー障壁用［２］	H10D 64/64	2025年1月
H01L 29/48@D	半導体本体がシリコン以外のもの	H10D 64/64	2025年1月
H01L 29/48@E	周辺効果の緩和	H10D 64/64	2025年1月
H01L 29/48@F	素子構造	H10D 64/64	2025年1月
H01L 29/48@M	ショットキー用電極の材料が限定されているもの	H10D 64/64	2025年1月
H01L 29/48@P	素子の製造方法	H10D 64/64	2025年1月
H01L 29/48@Z	その他のもの	H10D 64/64	2025年1月
H01L 29/50	・・整流，増幅又はスイッチされる電流を流す電極で，その電極は３つ以上の電極を持つ１つの半導体装置の部分であるもの	H10D 64/23	2025年1月
H01L 29/50@B	バイポーラトランジスタ用のもの	H10D 64/23@B	2025年1月
H01L 29/50@J	接合型・ＭＥＳ型用のもの	H10D 64/23@J	2025年1月
H01L 29/50@M	ＭＩＳ・ＭＯＳトランジスタ用のもの	H10D 64/23@M	2025年1月
H01L 29/50@Z	その他のもの	H10D 64/23@Z	2025年1月
H01L 29/52	・・・それらの形，大きさまたは配置に特徴のあるもの	H10D 64/23	2025年1月
H01L 29/54	・・・構成材料に特徴のあるもの	H10D 64/62	2025年1月
H01L 29/56	・・・表面障壁，例．ショットキー障壁用［２］	H10D 64/64	2025年1月
H01L 29/58	・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流す電極ではなく，その電極は３つ以上の電極を持つ１つの半導体装置の部分であるもの	H10D 64/27	2025年1月
H01L 29/58@G	ＭＩＳ・ＭＯＳゲート用のもの	H10D 64/27@G	2025年1月
H01L 29/58@Z	その他のもの	H10D 64/27@Z	2025年1月
H01L 29/60	・・・それらの形，大きさまたは配置に特徴のあるもの	H10D 64/27	2025年1月
H01L 29/62	・・・構成材料に特徴のあるもの	H10D 64/60	2025年1月
H01L 29/64	・・・表面障壁，例．ショットキー障壁用［２］	H10D 64/64	2025年1月
H01L 29/66	・それらの動作に特徴のあるもの	H10D 48/30	2025年1月
H01L 29/66@C	制御手段に特徴のあるもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 48/30@C	2025年1月
H01L 29/66@E	電子放出素子，電界放出素子［冷陰極］（Ｈ１３．５新設）	H10D 48/30@E	2025年1月
H01L 29/66@L	・光を用いるもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 48/30@L	2025年1月
H01L 29/66@M	・磁界を用いるもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 48/30@M	2025年1月
H01L 29/66@S	単一電子トンネリング［クーロン・ブロッケード効果］を利用するもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 48/30@S	2025年1月
H01L 29/66@T	トンネル効果を利用するもの［Ｓを除く］（Ｈ１３．５新設）	H10D 48/30@T	2025年1月
H01L 29/66@U	・集積化，回路構成に特徴のあるもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 48/30@U	2025年1月
H01L 29/66@Z	その他のもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 48/30@Z	2025年1月
H01L 29/68	・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流または電位を与えるだけで制御できるもの［２］	H10D 48/32	2025年1月
H01L 29/70	・・・バイポーラ装置	H10D 48/34	2025年1月
H01L 29/72	・・・・連続的に制御可能なもの	H10D 10/00	2025年1月
H01L 29/72@H	ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ（Ｈ１３．５新設）	H10D 10/80	2025年1月
H01L 29/72@P	プレーナー型バイポーラトランジスタ［縦型］（Ｈ１３．５新設）	H10D 10/40@P	2025年1月
H01L 29/72@S	セルフアライン型バイポーラトランジスタ［ＳＳＴ，ＳＥＢＴ等］（Ｈ１３．５新設）	H10D 10/40@S	2025年1月
H01L 29/72@Z	その他のもの（Ｈ１３．５新設）	H10D 10/00	2025年1月
H01L 29/74	・・・・連続的に制御可能でないもの，例．サイリスタ	H10D 18/00	2025年1月
H01L 29/74,301	・・・・・サイリスタの製造のための多段階工程	H10D 18/01@B	2025年1月
H01L 29/74,601	・・・・・ＦＥＴ〔Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ〕を用いたもの〔例．ＭＣＴ：ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）	H10D 18/40	2025年1月
H01L 29/74,601@A	ＭＯＳＦＥＴを用いたもの〔例．ＭＣＴ：ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）	H10D 18/40@A	2025年1月
H01L 29/74,601@B	導電度変調〔ＩＧＢＴモード〕を用いたもの〔例．ＥＳＴ：Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｓｗｉｔｃｈｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）	H10D 18/40@B	2025年1月
H01L 29/74,601@C	導電型の異なる複数ＦＥＴを用いたもの〔例．ＢＲＴ：Ｂａｓｅ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）	H10D 18/40@C	2025年1月
H01L 29/74,601@Z	その他のもの（Ｈ１１　新設）	H10D 18/40@Z	2025年1月
H01L 29/74@A	エミッタ短絡構造	H10D 18/00@A	2025年1月
H01L 29/74@B	表面構造〔パッシベーション，ガードリング，溝等〕	H10D 18/00@B	2025年1月
H01L 29/74@C	ＧＴＯ・Ｔｏｆｆ短縮	H10D 18/60	2025年1月
H01L 29/74@D	Ｔｏｎ特性・ゲート構造	H10D 18/00@D	2025年1月
H01L 29/74@E	感光・発光サイリスタ	H10D 18/00@E	2025年1月
H01L 29/74@F	ＰＮＰＮ一般	H10D 18/00@F	2025年1月
H01L 29/74@G	プレーナ・ＩＣ化	H10D 18/00@G	2025年1月
H01L 29/74@H	逆導通サイリスタ	H10D 18/00@H	2025年1月
H01L 29/74@J	サイリスタ電極構造	H10D 18/00@J	2025年1月
H01L 29/74@L	支持体	H10D 18/00@L	2025年1月
H01L 29/74@M	静電誘導サイリスタ	H10D 18/00@M	2025年1月
H01L 29/74@P	外部素子	H10D 18/00@P	2025年1月
H01L 29/74@Q	サイリスタの製造方法〔多段階工程を除く〕	H10D 18/01@A	2025年1月
H01L 29/74@R	感熱サイリスタ	H10D 18/00@R	2025年1月
H01L 29/74@S	感圧サイリスタ	H10D 18/00@S	2025年1月
H01L 29/74@T	感磁サイリスタ	H10D 18/00@T	2025年1月
H01L 29/74@U	サイリスタ一般	H10D 18/00@U	2025年1月
H01L 29/74@V	・傾斜面〔ベベル〕を有するもの（Ｈ１１　新設）	H10D 18/00@V	2025年1月
H01L 29/74@W	・平面パターン〔多島状エミッタ，くしの歯状電極等〕（Ｈ１１　新設）	H10D 18/00@W	2025年1月
H01L 29/74@X	・トレンチゲート，切込ゲート（Ｈ１１　新設）	H10D 18/00@X	2025年1月
H01L 29/74@Y	・両面ゲート（Ｈ１１　新設）	H10D 18/00@Y	2025年1月
H01L 29/74@Z	その他のもの	H10D 18/00@Z	2025年1月
H01L 29/743	・・・・・逆阻止サイリスタ	H10D 18/00@C	2025年1月
H01L 29/747	・・・・・双方向サイリスタ	H10D 18/80	2025年1月
H01L 29/747,301	・・・・・・双方向サイリスタの製造のための多段階工程	H10D 18/01@C	2025年1月
H01L 29/76	・・・ユニポーラ装置	H10D 48/36	2025年1月
H01L 29/76,301	・・・・電荷転送装置	H10D 44/00	2025年1月
H01L 29/76,301@A	・転送部	H10D 44/00@A	2025年1月
H01L 29/76,301@B	・・駆動回路	H10D 44/00@B	2025年1月
H01L 29/76,301@C	・入力部，出力部，再成部〔駆動を含む〕	H10D 44/00@C	2025年1月
H01L 29/76,301@D	構造	H10D 44/00@D	2025年1月
H01L 29/76,301@E	応用素子〔Ｆ～Ｊに含まれないもの〕	H10D 44/00@E	2025年1月
H01L 29/76,301@F	・シフトレジスタ，遅延線	H10D 44/00@F	2025年1月
H01L 29/76,301@G	・記憶装置	H10D 44/00@G	2025年1月
H01L 29/76,301@H	・フィルタ	H10D 44/00@H	2025年1月
H01L 29/76,301@J	・撮像素子	H10D 44/00@J	2025年1月
H01L 29/76,301@K	超音波駆動によるもの	H10D 44/00@K	2025年1月
H01L 29/76,301@L	バケット・ブリゲート素子	H10D 44/00@L	2025年1月
H01L 29/76,301@Z	その他のもの	H10D 44/00@Z	2025年1月
H01L 29/78	・・・・絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの	H10D 30/60	2025年1月
H01L 29/78,301	・・・・・絶縁ゲート型電界効果トランジスタ，例．ＭＯＳＦＥＴ	H10D 30/60	2025年1月
H01L 29/78,301@B	化合物半導体を用いるもの	H10D 30/60@B	2025年1月
H01L 29/78,301@C	ＭＯＳＩＣに用いられるもの	H10D 30/60@C	2025年1月
H01L 29/78,301@D	ＤＳＡ・ＭＯＳ	H10D 30/65	2025年1月
H01L 29/78,301@E	回路構成のみに特徴があるもの	H10D 30/60@E	2025年1月
H01L 29/78,301@F	単一のプロセスのみに特徴があるもの	H10D 30/01,101@F	2025年1月
H01L 29/78,301@G	ゲート電極構造のみに特徴があるもの	H10D 30/60@G	2025年1月
H01L 29/78,301@H	チャネル構造のみに特徴があるもの	H10D 30/60@H	2025年1月
H01L 29/78,301@J	とくに動作に特徴があるもの	H10D 30/60@J	2025年1月
H01L 29/78,301@K	保護装置	H10D 30/60@K	2025年1月
H01L 29/78,301@L	ＬＤＤ	H10D 30/60@L	2025年1月
H01L 29/78,301@M	メモリーに用いられるもの，例．１Ｔｒ．ｄＲＡＭセル	H10D 30/60@M	2025年1月
H01L 29/78,301@N	パッシベーション構造のみに特徴があるもの	H10D 30/60@N	2025年1月
H01L 29/78,301@P	ＭＯＳプロセス〔ソース・ドレイン領域形成、セルファラインおよび電極形成のうちのいずれか一つのみに特徴があるもの〕	H10D 30/01,101@P	2025年1月
H01L 29/78,301@Q	結晶方位の選択のみに特徴があるもの	H10D 30/60@Q	2025年1月
H01L 29/78,301@R	分離領域のみに特徴があるもの	H10D 30/60@R	2025年1月
H01L 29/78,301@S	ソース・ドレイン領域のみに特徴があるもの	H10D 30/60@S	2025年1月
H01L 29/78,301@T	試験・測定	H10D 30/01,101@T	2025年1月
H01L 29/78,301@U	ＩＳ・ＦＥＴ	H10D 30/60@U	2025年1月
H01L 29/78,301@V	溝ほりゲートを持つもの	H10D 30/60@V	2025年1月
H01L 29/78,301@W	パワー，ＭＯＳ〔並列化〕	H10D 30/60@W	2025年1月
H01L 29/78,301@X	その他の，ＭＯＳ構造	H10D 30/60@X	2025年1月
H01L 29/78,301@Y	その他の，ＭＯＳプロセス	H10D 30/01,101@Z	2025年1月
H01L 29/78,301@Z	その他〔構造およびプロセスの双方に特徴があるもの〕	H10D 30/60@Z	2025年1月
H01L 29/78,371	・・・・・・半導体不揮発性記憶装置	H10D 30/68	2025年1月
H01L 29/78,611	・・・・・・薄膜トランジスタ	H10D 30/67	2025年1月
H01L 29/78,612	・・・・・・・アクティブ・マトリックスに用いられるもの〔ＴＦＴ単体に特徴があるものを除く〕	H10D 86/60	2025年1月
H01L 29/78,612@A	素子または配線の欠陥の防止・修正	H10D 86/60@A	2025年1月
H01L 29/78,612@B	周辺回路と一体に形成されたもの	H10D 86/60@B	2025年1月
H01L 29/78,612@C	配線に特徴があるもの	H10D 86/60@C	2025年1月
H01L 29/78,612@D	パターニングに特徴があるもの	H10D 86/01,101	2025年1月
H01L 29/78,612@Z	その他のもの	H10D 86/60@Z	2025年1月
H01L 29/78,613	・・・・・・・ＭＯＳＩＣに用いられるもの	H10D 86/40,101	2025年1月
H01L 29/78,613@A	ＣＭＯＳ	H10D 86/40,101@A	2025年1月
H01L 29/78,613@B	メモリ	H10D 86/40,101@B	2025年1月
H01L 29/78,613@Z	その他のもの	H10D 86/40,101@Z	2025年1月
H01L 29/78,614	・・・・・・・回路構成に特徴があるもの，例．アクティブ・マトリックス回路自体	H10D 86/40,102	2025年1月
H01L 29/78,615	・・・・・・・ＳＯＳ	H10D 86/03	2025年1月
H01L 29/78,616	・・・・・・・ソース・ドレインに特徴があるもの	H10D 30/67,101	2025年1月
H01L 29/78,616@A	ＬＤＤ〔構造・製法に特徴があるもの〕	H10D 30/67,101@A	2025年1月
H01L 29/78,616@J	ソース・ドレインの形成方法に特徴があるもの	H10D 30/01,202@J	2025年1月
H01L 29/78,616@K	・ソース・ドレイン電極の形成方法に特徴があるもの	H10D 30/01,202@K	2025年1月
H01L 29/78,616@L	・ソース・ドレイン領域の形成方法に特徴があるもの	H10D 30/01,202@L	2025年1月
H01L 29/78,616@M	・・セルフアライン	H10D 30/01,202@M	2025年1月
H01L 29/78,616@N	・・・裏面からの露光によるもの	H10D 30/01,202@N	2025年1月
H01L 29/78,616@S	ソース・ドレイン領域、電極の構造に特徴があるもの	H10D 30/67,101@S	2025年1月
H01L 29/78,616@T	・形状に特徴があるもの	H10D 30/67,101@T	2025年1月
H01L 29/78,616@U	・複数層	H10D 30/67,101@U	2025年1月
H01L 29/78,616@V	・材料・不純物濃度等に特徴があるもの	H10D 30/67,101@V	2025年1月
H01L 29/78,616@Z	その他のもの	H10D 30/67,101@Z	2025年1月
H01L 29/78,617	・・・・・・・ゲートに特徴があるもの	H10D 30/67,102	2025年1月
H01L 29/78,617@A	オフセットゲート〔構造・製法に特徴があるもの〕	H10D 30/67,102@A	2025年1月
H01L 29/78,617@J	ゲート電極に特徴があるもの	H10D 30/67,102@J	2025年1月
H01L 29/78,617@K	・形状に特徴があるもの	H10D 30/67,102@K	2025年1月
H01L 29/78,617@L	・複数層	H10D 30/67,102@L	2025年1月
H01L 29/78,617@M	・材料・不純物濃度等に特徴があるもの	H10D 30/67,102@M	2025年1月
H01L 29/78,617@N	・ゲート電極を複数有するもの	H10D 30/67,102@N	2025年1月
H01L 29/78,617@S	ゲート絶縁膜に特徴があるもの	H10D 30/67,102@S	2025年1月
H01L 29/78,617@T	・材料に特徴があるもの	H10D 30/67,102@T	2025年1月
H01L 29/78,617@U	・複数層	H10D 30/67,102@U	2025年1月
H01L 29/78,617@V	・形成方法に特徴があるもの	H10D 30/01,203@V	2025年1月
H01L 29/78,617@W	・・陽極酸化法を用いるもの	H10D 30/01,203@W	2025年1月
H01L 29/78,617@Z	その他のもの	H10D 30/67,102@Z	2025年1月
H01L 29/78,618	・・・・・・・チャネル半導体層に特徴があるもの	H10D 30/67,103	2025年1月
H01L 29/78,618@A	堆積方法に特徴があるもの	H10D 30/01,204	2025年1月
H01L 29/78,618@B	材料に特徴があるもの	H10D 30/67,103@B	2025年1月
H01L 29/78,618@C	形状に特徴があるもの	H10D 30/67,103@C	2025年1月
H01L 29/78,618@D	・薄膜化	H10D 30/67,103@D	2025年1月
H01L 29/78,618@E	複数層	H10D 30/67,103@E	2025年1月
H01L 29/78,618@F	不純物・不純物濃度等に特徴があるもの	H10D 30/67,103@F	2025年1月
H01L 29/78,618@G	・キャリアにならない不純物を含むもの	H10D 30/67,103@G	2025年1月
H01L 29/78,618@Z	その他のもの	H10D 30/67,103@Z	2025年1月
H01L 29/78,619	・・・・・・・パッシベーションに特徴があるもの	H10D 30/67,104	2025年1月
H01L 29/78,619@A	絶縁膜（構造・製法・材料等）に特徴があるもの	H10D 30/67,104	2025年1月
H01L 29/78,619@B	遮光膜（構造・製法・材料等）に特徴があるもの	H10D 30/67,104	2025年1月
H01L 29/78,619@Z	その他のもの	H10D 30/67,104	2025年1月
H01L 29/78,620	・・・・・・・結晶方位の選択に特徴があるもの	H10D 30/67,201	2025年1月
H01L 29/78,621	・・・・・・・分離領域に特徴があるもの	H10D 30/67,202	2025年1月
H01L 29/78,622	・・・・・・・特に動作に特徴があるもの	H10D 30/67,203	2025年1月
H01L 29/78,623	・・・・・・・保護（装置・回路）	H10D 30/67,204	2025年1月
H01L 29/78,623@A	静電破壊防止，例．イオン注入時・ラビリング時	H10D 30/67,204@A	2025年1月
H01L 29/78,623@Z	その他のもの	H10D 30/67,204@Z	2025年1月
H01L 29/78,624	・・・・・・・試験・測定、シミュレーション	H10D 30/01,205	2025年1月
H01L 29/78,625	・・・・・・・ＩＳＦＥＴ	H10D 30/67,205	2025年1月
H01L 29/78,626	・・・・・・・その他の構造	H10D 30/67,206	2025年1月
H01L 29/78,626@A	縦型構造	H10D 30/67,206@A	2025年1月
H01L 29/78,626@B	キンク防止	H10D 30/67,206@B	2025年1月
H01L 29/78,626@C	基板（表面層を含む）に特徴があるもの	H10D 30/67,206@C	2025年1月
H01L 29/78,626@Z	その他のもの	H10D 30/67,206@Z	2025年1月
H01L 29/78,627	・・・・・・・その他のプロセス	H10D 30/01,206	2025年1月
H01L 29/78,627@A	平坦化	H10D 30/01,206@A	2025年1月
H01L 29/78,627@B	連続形成	H10D 30/01,206@B	2025年1月
H01L 29/78,627@C	パターニングに特徴があるもの	H10D 30/01,206@C	2025年1月
H01L 29/78,627@D	貼り合わせ	H10D 30/01,206@D	2025年1月
H01L 29/78,627@E	ダングリングボンドの終端化を行うもの，例．水素化	H10D 30/01,206@E	2025年1月
H01L 29/78,627@F	アニール	H10D 30/01,206@F	2025年1月
H01L 29/78,627@G	・再結晶化・単結晶化	H10D 30/01,206@G	2025年1月
H01L 29/78,627@Z	その他のもの	H10D 30/01,206@Z	2025年1月
H01L 29/78,651	・・・・・・縦型トランジスタ	H10D 30/66	2025年1月
H01L 29/78,652	・・・・・・・おもに構造に特徴があるもの	H10D 30/66,101	2025年1月
H01L 29/78,652@A	トランジスタセルに特徴があるもの	H10D 30/66,101@A	2025年1月
H01L 29/78,652@B	・ソース領域	H10D 30/66,101@B	2025年1月
H01L 29/78,652@C	・ベース領域［ボディ領域］	H10D 30/66,101@C	2025年1月
H01L 29/78,652@D	・・高濃度［低抵抗］部	H10D 30/66,101@D	2025年1月
H01L 29/78,652@E	・・チャンネル部	H10D 30/66,101@E	2025年1月
H01L 29/78,652@F	・セルを構成する不純物領域等の平面形状・配置パターンに特徴があるもの	H10D 30/66,101@F	2025年1月
H01L 29/78,652@G	ドレイン領域に特徴があるもの	H10D 30/66,101@H	2025年1月
H01L 29/78,652@H	・高抵抗ドリフト層［例．超接合型］	H10D 30/66,101@H	2025年1月
H01L 29/78,652@J	・・表面に不純物領域・不純物層を形成したもの	H10D 30/66,101@H	2025年1月
H01L 29/78,652@K	ＭＯＳゲート［電極・絶縁膜・シールド構造を含む］に特徴があるもの	H10D 30/66,102@G	2025年1月
H01L 29/78,652@L	電極に特徴があるもの	H10D 30/66,102	2025年1月
H01L 29/78,652@M	・ソース電極	H10D 30/66,102@S	2025年1月
H01L 29/78,652@N	チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴があるもの	H10D 30/66,103	2025年1月
H01L 29/78,652@P	・ガードリング・フィールドプレート	H10D 30/66,103@B	2025年1月
H01L 29/78,652@Q	・フィンガー・ボンディングパッド・実装関連	H10D 30/66,103@Q	2025年1月
H01L 29/78,652@R	・分離領域	H10D 30/66,103@R	2025年1月
H01L 29/78,652@S	・複数のトランジスタセルの平面形状・配置パターンに特徴があるもの	H10D 30/66,103@S	2025年1月
H01L 29/78,652@T	基板等の構成材料等に特徴があるもの［例．化合物半導体を用いたもの，面方位に特徴があるもの］	H10D 30/66,101@T	2025年1月
H01L 29/78,652@Z	その他	H10D 30/66,101@Z	2025年1月
H01L 29/78,653	・・・・・・・・ゲートがプレーナ型でないもの	H10D 30/66,201	2025年1月
H01L 29/78,653@A	ゲートを溝の内部に形成したもの［例．Ｖ溝（ＶＭＯＳ）形，トレンチゲート（ＵＭＯＳ）形］	H10D 30/66,201@A	2025年1月
H01L 29/78,653@B	・チャンネル層・ソース［ドレイン］層を溝の内部に形成したもの（２９／７８，３０１Ｖも参照）	H10D 30/66,201@B	2025年1月
H01L 29/78,653@C	ゲートを埋め込み形成したもの	H10D 30/66,201@C	2025年1月
H01L 29/78,653@D	ＳＯＩ・ＳＩＭＯＸ技術を利用したもの	H10D 30/66,201@D	2025年1月
H01L 29/78,653@Z	その他	H10D 30/66,201@Z	2025年1月
H01L 29/78,654	・・・・・・・・動作に特徴があるもの	H10D 30/66,202	2025年1月
H01L 29/78,654@A	ベース領域にバイアスを印加するもの	H10D 30/66,202@A	2025年1月
H01L 29/78,654@B	少数キャリア注入領域をもつもの	H10D 30/66,202@B	2025年1月
H01L 29/78,654@C	ＭＯＳ型ＳＩＴ	H10D 30/66,202@C	2025年1月
H01L 29/78,654@Z	その他	H10D 30/66,202@Z	2025年1月
H01L 29/78,655	・・・・・・・・・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）	H10D 12/00,101	2025年1月
H01L 29/78,655@A	トランジスタセル等に特徴があるもの	H10D 12/00,101@A	2025年1月
H01L 29/78,655@B	バッファ層に特徴があるもの	H10D 12/00,101@P	2025年1月
H01L 29/78,655@C	アノード領域に特徴があるもの	H10D 12/00,101@G	2025年1月
H01L 29/78,655@D	・アノード短絡型	H10D 12/00,101@R	2025年1月
H01L 29/78,655@E	キャリアの引き抜きのための領域を追加したもの	H10D 12/00,101@S	2025年1月
H01L 29/78,655@F	チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴があるもの	H10D 12/00,103	2025年1月
H01L 29/78,655@G	・複数のトランジスタセルの平面形状・配置パターンに特徴があるもの	H10D 12/00,103@S	2025年1月
H01L 29/78,655@Z	その他	H10D 12/00,101@Z	2025年1月
H01L 29/78,656	・・・・・・・他のトランジスタまたは他種のパワー素子と組み合わせたもの	H10D 84/80,202	2025年1月
H01L 29/78,656@A	縦型トランジスタとの組み合わせ［例．Ｈブリッジ］	H10D 84/80,202@A	2025年1月
H01L 29/78,656@B	横型トランジスタとの組み合わせ	H10D 84/80,202@B	2025年1月
H01L 29/78,656@C	・ＭＯＳ集積回路との組み合わせ［例．パワーＩＣ］（ＭＯＳＩＣ２７／０８）	H10D 84/80,202@C	2025年1月
H01L 29/78,656@D	・・おもに構造に特徴があるもの	H10D 84/80,202@D	2025年1月
H01L 29/78,656@E	・・・パワー部と制御部の分離領域	H10D 84/80,202@E	2025年1月
H01L 29/78,656@F	・・・パワー部と制御部の配置パターン	H10D 84/80,202@F	2025年1月
H01L 29/78,656@G	・・おもに製造方法に特徴があるもの	H10D 84/80,202@G	2025年1月
H01L 29/78,656@Z	その他	H10D 84/80,202@Z	2025年1月
H01L 29/78,657	・・・・・・・保護素子または回路を組み込んだもの	H10D 84/80,203	2025年1月
H01L 29/78,657@A	ダイオード	H10D 84/80,203@A	2025年1月
H01L 29/78,657@B	・ゲート保護ダイオード	H10D 84/80,203@B	2025年1月
H01L 29/78,657@C	・・ＳＯＩ構造のもの	H10D 84/80,203@C	2025年1月
H01L 29/78,657@D	・還流ダイオード［トランジスタセルから独立した領域をもつもの］	H10D 84/80,203@D	2025年1月
H01L 29/78,657@E	トランジスタ	H10D 84/80,203@E	2025年1月
H01L 29/78,657@F	・動作状態検出のためのトランジスタセル	H10D 84/80,203@F	2025年1月
H01L 29/78,657@G	回路構成に特徴があるもの	H10D 84/80,203@G	2025年1月
H01L 29/78,657@Z	その他	H10D 84/80,203@Z	2025年1月
H01L 29/78,658	・・・・・・・製造方法に特徴があるもの	H10D 30/01,301	2025年1月
H01L 29/78,658@A	不純物領域の形成工程	H10D 30/01,301@A	2025年1月
H01L 29/78,658@B	・セルフアライン拡散	H10D 30/01,301@B	2025年1月
H01L 29/78,658@C	・・ベースウエル中央部の位置の制御	H10D 30/01,301@C	2025年1月
H01L 29/78,658@D	・・ゲート電極端部の位置の制御［例．側壁酸化］	H10D 30/01,301@D	2025年1月
H01L 29/78,658@E	不純物層の成長工程	H10D 30/01,301@E	2025年1月
H01L 29/78,658@F	絶縁層・導電層の形成工程	H10D 30/01,301@F	2025年1月
H01L 29/78,658@G	エッチング	H10D 30/01,301@G	2025年1月
H01L 29/78,658@H	ライフタイム制御	H10D 30/01,301@H	2025年1月
H01L 29/78,658@J	パッシベーション	H10D 30/01,301@J	2025年1月
H01L 29/78,658@K	ウエハの貼り合わせ	H10D 30/01,301@K	2025年1月
H01L 29/78,658@L	検査・測定・シミュレーション技術	H10D 30/01,301@L	2025年1月
H01L 29/78,658@Z	その他	H10D 30/01,301@Z	2025年1月
H01L 29/80	・・・・ＰＮ接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの	H10D 30/80	2025年1月
H01L 29/80@A	素子の種類	H10D 30/80@A	2025年1月
H01L 29/80@B	・ＭＥＳ型ＦＥＴ	H10D 30/87@B	2025年1月
H01L 29/80@C	・ＰＮ接合ゲート型ＦＥＴ	H10D 30/83	2025年1月
H01L 29/80@E	・・集積化	H10D 30/87@E	2025年1月
H01L 29/80@F	・・電極形成に特徴を有するもの	H10D 30/87@F	2025年1月
H01L 29/80@G	・・実装	H10D 30/87@G	2025年1月
H01L 29/80@H	・・変調ドープしたヘテロ接合を利用するもの〔ＨＥＭＴ〕	H10D 30/47,201	2025年1月
H01L 29/80@K	・・・斜め蒸着の利用	H10D 30/87@K	2025年1月
H01L 29/80@L	・・・電極平面構造	H10D 30/87@L	2025年1月
H01L 29/80@M	・・・ゲート電極材料	H10D 30/87@M	2025年1月
H01L 29/80@P	保護機能を有するもの	H10D 30/80@P	2025年1月
H01L 29/80@Q	・・表面高抵抗層を有するもの	H10D 30/87@Q	2025年1月
H01L 29/80@R	・・整合回路・帰還回路等を一体化したもの	H10D 30/87@R	2025年1月
H01L 29/80@S	・横型ＳＩＴ	H10D 30/80@S	2025年1月
H01L 29/80@U	・・・裏面電極取出し	H10D 30/87@U	2025年1月
H01L 29/80@V	・縦型ＦＥＴ	H10D 30/80@V	2025年1月
H01L 29/80@W	Ｄｕａｌ　Ｇａｔｅ構造を有するもの	H10D 30/80@W	2025年1月
H01L 29/80@Z	その他のもの	H10D 30/80@Z	2025年1月
H01L 29/82	・・装置に印加される磁界の変化のみによって制御可能なもの	H10D 48/40	2025年1月
H01L 29/82@D	ＳＭＤ	H10D 48/40@D	2025年1月
H01L 29/82@T	ＳＭＴ	H10D 48/40@T	2025年1月
H01L 29/82@Z	その他のもの	H10D 48/40@Z	2025年1月
H01L 29/84	・・外からの機械的力，例．圧力，の変化のみによって制御可能なもの	H10D 48/50	2025年1月
H01L 29/84@A	機械的力―電気変換	H10D 48/50@A	2025年1月
H01L 29/84@B	・シリコンダイアフラム	H10D 48/50@B	2025年1月
H01L 29/84@C	・感圧ＦＥＴ	H10D 48/50@C	2025年1月
H01L 29/84@D	・感圧ダイオード	H10D 48/50@D	2025年1月
H01L 29/84@E	・くびれ型　感圧サイリスタ	H10D 48/50@E	2025年1月
H01L 29/84@F	・感圧トランジスタ	H10D 48/50@F	2025年1月
H01L 29/84@G	・加圧機構	H10D 48/50@G	2025年1月
H01L 29/84@H	・ＳｎＯ↓２：深い準位を有するもの	H10D 48/50@H	2025年1月
H01L 29/84@J	・超音波変換	H10D 48/50@J	2025年1月
H01L 29/84@Z	その他のもの	H10D 48/50@Z	2025年1月
H01L 29/86	・・非制御型；整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に電流または電圧の変化のみを与えることにより制御可能なもの	H10D 48/38	2025年1月
H01L 29/86,301	・・・ショットキーダイオード	H10D 8/60	2025年1月
H01L 29/86,301@D	半導体本体がシリコン以外のもの	H10D 8/60@D	2025年1月
H01L 29/86,301@E	周辺効果の緩和	H10D 8/60@E	2025年1月
H01L 29/86,301@F	素子構造	H10D 8/60@F	2025年1月
H01L 29/86,301@M	ショットキー用電極の材料が限定されているもの	H10D 8/60@M	2025年1月
H01L 29/86,301@P	素子の製造方法	H10D 8/01@S	2025年1月
H01L 29/86,301@Z	その他のもの	H10D 8/60@Z	2025年1月
H01L 29/86@A	非単結晶を用いているもの	H10D 48/38@A	2025年1月
H01L 29/86@F	絶縁層を用いているもの	H10D 48/38@F	2025年1月
H01L 29/86@S	超格子構造を用いているもの	H10D 48/38@S	2025年1月
H01L 29/86@Z	その他のもの	H10D 48/38@Z	2025年1月
H01L 29/88	・・・トンネル効果ダイオード［２］	H10D 8/70	2025年1月
H01L 29/88@F	絶縁層を用いているもの	H10D 8/70@F	2025年1月
H01L 29/88@S	超格子構造を用いているもの	H10D 8/70@S	2025年1月
H01L 29/88@Z	その他のもの	H10D 8/70@Z	2025年1月
H01L 29/90	・・・ブレークダウンダイオード，例．ツェナーダイオード，アバランシェダイオード	H10D 8/20	2025年1月
H01L 29/90@C	・温度補償をしたもの	H10D 8/25@C	2025年1月
H01L 29/90@D	ツェナーダイオード	H10D 8/25	2025年1月
H01L 29/90@P	パンチスルー型定電圧ダイオード	H10D 8/20@P	2025年1月
H01L 29/90@S	・双方向性のもの	H10D 8/25@S	2025年1月
H01L 29/90@T	走行時間効果素子	H10D 8/40	2025年1月
H01L 29/90@Z	その他のもの	H10D 8/20@Z	2025年1月
H01L 29/91	・・・整流ダイオード	H10D 8/50	2025年1月
H01L 29/91@A	製造工程に特徴のあるもの	H10D 8/01@A	2025年1月
H01L 29/91@B	・高耐圧化のためのもの	H10D 8/01@B	2025年1月
H01L 29/91@C	構造に特徴のあるもの	H10D 8/50@C	2025年1月
H01L 29/91@D	・高耐圧化のためのもの	H10D 8/50@D	2025年1月
H01L 29/91@E	半導体本体が非単結晶シリコンからなるもの	H10D 8/50@E	2025年1月
H01L 29/91@F	半導体本体がシリコン以外のもの	H10D 8/50@F	2025年1月
H01L 29/91@G	・半導体本体が有機物からなるもの	H10D 8/50@G	2025年1月
H01L 29/91@H	ヘテロ接合を用いたもの	H10D 8/50@H	2025年1月
H01L 29/91@J	ライフタイムキラーに関するもの	H10D 8/50@J	2025年1月
H01L 29/91@K	複数ダイオードの組合せに関するもの	H10D 8/50@K	2025年1月
H01L 29/91@L	集積化に関するもの	H10D 8/50@L	2025年1月
H01L 29/91@Z	その他のもの	H10D 8/50@Z	2025年1月
H01L 29/92	・・・電位障壁を有するコンデンサ［２００６．０１］	H10D 1/62	2025年1月
H01L 29/92@C	複合形コンデンサー	H10D 1/62@C	2025年1月
H01L 29/92@Z	その他のもの	H10D 1/62@Z	2025年1月
H01L 29/93	・・・・可変容量ダイオード，例．バラクタ	H10D 1/64	2025年1月
H01L 29/93@C	容量制御に他の電気的手段を付加したもの	H10D 1/64@C	2025年1月
H01L 29/93@H	超階段接合を利用したもの	H10D 1/64@H	2025年1月
H01L 29/93@S	ショットキーバリアを利用したもの	H10D 1/64@S	2025年1月
H01L 29/93@Z	その他のもの	H10D 1/64@Z	2025年1月
H01L 29/94	・・・・金属―絶縁体―半導体，例．ＭＯＳ［２］	H10D 1/66	2025年1月
H01L 29/94@C	容量制御に他の電気的手段を付加したもの	H10D 1/66@C	2025年1月
H01L 29/94@Z	その他のもの	H10D 1/66@Z	2025年1月
H01L 29/95	・・・・セラミック障壁層コンデンサー（セラミックコンデンサー一般Ｈ０１Ｇ）	H10D 1/62@Z	2025年1月
H01L 29/96	・・２９／６８，２９／８２，２９／８４，２９／８６のグループのうち少なくとも２つのグループに分類される方法によって制御可能なもの［２］	H10D 48/00	2025年1月
H01L 31/00	赤外線，可視光，短波長の電磁波，または粒子線輻射に感応する半導体装置で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの細部（Ｈ１０Ｋ３０／００が優先；１つ以上の電気光源を有する輻射線感応構成部品の組合せ以外で，１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品から成る装置Ｈ０１Ｌ２７／００）	H10F 99/00	2025年1月
H01L 31/00@A	放射線・粒子線検出半導体装置	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/00@B	他の光電変換装置	H10F 99/00	2025年1月
H01L 31/00@Z	その他	H10F 99/00	2025年1月
H01L 31/02	・細部	H10F 77/00	2025年1月
H01L 31/02@A	光電変換装置，共通事項	H10F 77/00	2025年1月
H01L 31/02@B	光電変換装置，容器，封止，取付	H10F 77/00	2025年1月
H01L 31/02@C	光電変換装置，光ファイバーとの結合	H10F 77/00	2025年1月
H01L 31/02@D	光電変換装置，光学素子との結合	H10F 77/00	2025年1月
H01L 31/02@E	冷却型光電変換装置	H10F 77/00	2025年1月
H01L 31/02@Z	その他	H10F 77/00	2025年1月
H01L 31/04	・変換装置として使用されるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,200	・・細部に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,220	・・・粒子線輻射により引き起こされる損傷を防止するための対策，例．宇宙応用のため	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,240	・・・被覆，例．反射防止膜，に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,260	・・・電極に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,262	・・・・集電電極の構造	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,264	・・・・導電ペースト	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,266	・・・・透明電極	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,280	・・・テクスチャ構造に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,282	・・・・薄膜太陽電池に適用したもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,284	・・・支持基板に特徴のあるもの（支持基板のテクスチャ構造Ｈ０１Ｌ３１／０４，２８０～３１／０４，２８２）	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,300	・・半導体本体に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,320	・・・材料に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,340	・・・半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,342	・・・・量子構造を含むもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,342@A	量子ドット	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,342@B	ナノロッド	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,342@Z	その他	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,344	・・・・球状	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,346	・・・結晶構造または結晶面の方向に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,400	・・製造方法または製造装置に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,420	・・・薄膜形成技術に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,422	・・・・塗布によるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,424	・・・・連続処理によるもの，例．ロール・ツー・ロール	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,440	・・・ドーピング方法に特徴のあるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,460	・・・基板の機械的加工，例．スライシング，貼り合わせ，剥離	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,500	・・ＰＶモジュールまたは１つ１つのＰＶ素子のアレイ（ＰＶモジュールの支持構造Ｈ０２Ｓ２０／００）	H10F 19/00@A	2025年1月
H01L 31/04,510	・・・機械的に積み重ねられたＰＶ素子	H10F 19/40	2025年1月
H01L 31/04,520	・・・バイパスダイオードを含むもの（接続箱の中のバイパスダイオードＨ０２Ｓ４０／３４）	H10F 19/70	2025年1月
H01L 31/04,522	・・・・装置と一体化または直接結合したバイパスダイオード，例．光起電素子と同じ基板内または上に一体化または形成されたバイパスダイオード，を備えるもの	H10F 19/75	2025年1月
H01L 31/04,530	・・・薄膜太陽電池，例．１つの薄膜ａ－Ｓｉ，ＣＩＳまたはＣｄＴｅ太陽電池，を含むもの	H10F 19/30	2025年1月
H01L 31/04,532	・・・・同じ基板上に堆積された複数の薄膜太陽電池により構成されたＰＶモジュール	H10F 19/31	2025年1月
H01L 31/04,532@A	モジュール内でＰＶ素子を接続するためのパターニング方法に特徴があるもの，例．導電層または活性層のレーザーによる切断	H10F 19/33	2025年1月
H01L 31/04,532@B	モジュール内の隣接するＰＶ素子の電気的相互接続のための特定の構造，を備えるもの	H10F 19/35	2025年1月
H01L 31/04,532@C	モジュールを通して光を部分的に透過させるための特定の手段，例．窓用の部分的に透明な薄膜太陽モジュール，を備えるもの	H10F 19/37	2025年1月
H01L 31/04,532@Z	その他	H10F 19/31	2025年1月
H01L 31/04,540	・・・半導体基板内に形成された複数の垂直接合または複数のＶグルーブ接合を有するＰＶ素子のアレイ	H10F 19/10	2025年1月
H01L 31/04,550	・・・１つの半導体基板上に平面に，例．周期的に，形成されたＰＶ素子のアレイ；ＰＶ素子のマイクロアレイ	H10F 19/20	2025年1月
H01L 31/04,560	・・・モジュールの封緘	H10F 19/80	2025年1月
H01L 31/04,562	・・・・保護バックシート	H10F 19/85	2025年1月
H01L 31/04,570	・・・ＰＶモジュール内のＰＶ素子間の電気的相互接続手段，例．ＰＶ素子の直列接続（電極Ｈ０１Ｌ３１／０４，２６０；１つの共通基板上に形成された薄膜太陽電池の電気的相互接続Ｈ０１Ｌ３１／０４，５３２；モジュール内の隣接する薄膜太陽電池の電気的相互接続のための特定の構造Ｈ０１Ｌ３１／０４，５３２＠Ｂ；２以上のＰＶモジュール間の電気的接続に特に適合した電気的相互接続手段Ｈ０２Ｓ４０／３６）	H10F 19/90	2025年1月
H01L 31/04,600	・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した冷却手段，例．強制冷却のための一体化されたペルチェ素子またはＰＶ素子と直接結合したヒートシンク（ＰＶモジュールと結合した冷却手段Ｈ０２Ｓ４０／４２）	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,602	・・・ＰＶ素子と直接結合した熱エネルギーを利用する手段を含むもの，例．一体化されたゼーベック素子	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,610	・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化したエネルギー蓄積手段，例．ＰＶ素子と一体化したコンデンサー（ＰＶモジュールと結合したエネルギー蓄積手段Ｈ０２Ｓ４０／３８）	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,620	・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した光学素子，例．光反射手段または集光手段	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,622	・・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した光学素子により，例．ルミネッセント材料，蛍光性集光器またはアップコンバージョン装置を用いることにより，光が吸収され，かつ異なる波長で再放射されるもの	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/04,624	・・・背面反射器［ＢＳＲ］タイプである光反射手段	H10F 10/00	2025年1月
H01L 31/06	・・電位障壁に特徴のあるもの［２０１２．０１］	H10F 10/10	2025年1月
H01L 31/06,100	・・・電位障壁が点接触型であるもの（Ｈ０１Ｌ３１／０６，３５０が優先）	H10F 10/11	2025年1月
H01L 31/06,150	・・・電位障壁が金属―絶縁体―半導体型のみからなるもの	H10F 10/12	2025年1月
H01L 31/06,200	・・・電位障壁がこう配ギャップのみからなるもの	H10F 10/13	2025年1月
H01L 31/06,300	・・・電位障壁がＰＮホモ接合型のみからなるもの，例．バルクシリコンＰＮホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンＰＮホモ接合太陽電池	H10F 10/14	2025年1月
H01L 31/06,310	・・・・多接合またはタンデムの太陽電池	H10F 10/142	2025年1月
H01L 31/06,320	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，ＡＩＩＩＢＶ化合物のみを含む装置，例．ＧａＡｓまたはＩｎＰ太陽電池	H10F 10/144	2025年1月
H01L 31/06,350	・・・電位障壁がショットキー型のみからなるもの	H10F 10/18	2025年1月
H01L 31/06,400	・・・電位障壁がＰＮヘテロ接合型のみからなるもの	H10F 10/16	2025年1月
H01L 31/06,410	・・・・多接合またはタンデムの太陽電池	H10F 10/161	2025年1月
H01L 31/06,420	・・・・ＡＩＩＢＶＩ化合物半導体のみからなる，例．ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池	H10F 10/162	2025年1月
H01L 31/06,430	・・・・ＡＩＩＩＢＶ化合物半導体のみからなる，例．ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ太陽電池	H10F 10/163	2025年1月
H01L 31/06,440	・・・・周期律表の第ＩＶ族の元素とのヘテロ接合からなる，例．ＩＴＯ／Ｓｉ，ＧａＡｓ／ＳｉまたはＣｄＴｅ／Ｓｉ太陽電池	H10F 10/164	2025年1月
H01L 31/06,450	・・・・ＡＩＶＢＩＶヘテロ接合からなる，例．Ｓｉ／Ｇｅ，ＳｉＧｅ／ＳｉまたはＳｉ／ＳｉＣ太陽電池	H10F 10/165	2025年1月
H01L 31/06,455	・・・・・結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる，例．薄い真性層を備えたヘテロ接合またはＨＩＴ（登録商標）の太陽電池とのヘテロ結合	H10F 10/166	2025年1月
H01L 31/06,460	・・・・ＡＩＢＩＩＩＣＶＩ化合物を含む，例．ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２　［ＣＩＳ］ヘテロ接合太陽電池	H10F 10/167	2025年1月
H01L 31/06,500	・・・電位障壁がＰＩＮ型のみからなるもの，例．ＰＩＮアモルファスシリコン太陽電池	H10F 10/17	2025年1月
H01L 31/06,510	・・・・多接合またはタンデムの太陽電池	H10F 10/172	2025年1月
H01L 31/06,520	・・・・単結晶または多結晶材料からなる装置	H10F 10/174	2025年1月
H01L 31/06,600	・・・グループＨ０１Ｌ３１／０６，１００からＨ０１Ｌ３１／０６，５００の２つ以上に分類される異なる種類の電位障壁を含むもの	H10F 10/19	2025年1月
H01L 31/08	・輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの，例．光―抵抗器（フォト―レジスター）	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@F	光導電材料〔Ｓｉ，Ｇｅ〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@G	・光導電材料の製法〔Ｓｉ，Ｇｅ〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@H	・光導電装置〔Ｓｉ，ＧｅでＰＮ接合のないもの〕〔アモルファスＳｉを用いた光導電装置〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@J	・光導電材料の製造装置〔Ｓｉ，Ｇｅ〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@K	化合物光導電材料とその製法〔ＧａＡｓ，ＣｄＳなど〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@L	・化合物光導電装置〔ＧａＡｓ，ＣｄＳなど〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@M	光合物光導電材料，製法，装置〔酸化物半導体〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@N	化合物光導電材料，製法，装置〔ＨｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ），ＩｎＳｂなど赤外線検知用〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@P	化合物光導電材料製造装置	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@Q	電子写真用光導電体	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@R	撮像管用ターゲット〔Ｓｉ，Ｇｅ〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@S	撮像管用ターゲット〔化合物半導体〕	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/08@Z	その他	H10F 30/00	2025年1月
H01L 31/10	・・電位障壁に特徴のあるもの，例．フォトトランジスタ［２００６．０１］	H10F 30/20	2025年1月
H01L 31/10@A	フォトダイオード，フォトトランジスタ	H10F 30/20	2025年1月
H01L 31/10@B	・アバランシェ型	H10F 30/225	2025年1月
H01L 31/10@C	・ショットキ接合を用いるもの	H10F 30/227	2025年1月
H01L 31/10@D	・多色受光	H10F 30/20	2025年1月
H01L 31/10@E	電界効果型	H10F 30/28	2025年1月
H01L 31/10@F	フォトサイリスタ	H10F 30/26	2025年1月
H01L 31/10@G	周辺回路	H10F 30/20	2025年1月
H01L 31/10@H	電極に特徴のあるもの	H10F 30/20	2025年1月
H01L 31/10@Z	その他のもの	H10F 30/20	2025年1月
H01L 31/12	・１つ以上の電気光源，例．エレクトロルミネッセンス光源，と構造的に結合されたもの，例．１つの共通基板内または基板上に形成されたもの，およびその電気光源と電気的または光学的に結合されたもの（エレクトロルミネッセンス素子および光電池を用いた増幅器Ｈ０３Ｆ１７／００；エレクトロルミネッセンス光源それ自体Ｈ０５Ｂ３３／００）	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@A	フォトカップラ，フォトアイソレータ	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@B	・モノリシック型〔受発光素子を一体化した素子で，基板同一〕	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@C	・積層型「図」	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@D	・透過型「図」	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@E	・反射型「図」	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@F	・周辺回路〔付属電気回路，制御用〕	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@G	・応用装置〔光ファイバを用いたもの〕	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@H	発光デバイスのモニタ〔発光の検出チェック〕	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@J	発光・受光兼用デバイス〔一素子で両用のもの〕	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/12@Z	その他のもの	H10F 55/00	2025年1月
H01L 31/14	・・輻射線に感応する半導体装置によって制御される光源，例．像変換器，像増幅器，像蓄積装置	H10F 55/10	2025年1月
H01L 31/14@A	光－光変換デバイス	H10F 55/10,500	2025年1月
H01L 31/14@B	像変換デバイス	H10F 55/10,500	2025年1月
H01L 31/14@Z	その他のもの	H10F 55/10	2025年1月
H01L 31/16	・・光源によって制御される輻射線に感応する半導体装置	H10F 55/20	2025年1月
H01L 31/16@A	フォトポテンシオメータ	H10F 55/20	2025年1月
H01L 31/16@B	光による位置の検出〔カメラの測距〕	H10F 55/20	2025年1月
H01L 31/16@Z	その他のもの	H10F 55/20	2025年1月
H01L 31/18	・これらの装置またはその部品の製造または処理に特有な方法または装置（それらに特有でないもの２１／００）	H10F 99/00	2025年1月
H01L 33/00	光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ１０Ｋ５０／００が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２０１０．０１］	H10H 20/00	2025年1月
H01L 33/00@H	完成品の取付	H10H 20/00@H	2025年1月
H01L 33/00@J	駆動回路	H10H 20/00@J	2025年1月
H01L 33/00@K	試験，測定	H10H 20/00@K	2025年1月
H01L 33/00@L	応用装置〔発光装置を用いた完成品〕	H10H 20/00@L	2025年1月
H01L 33/00@Z	その他のもの	H10H 20/00@Z	2025年1月
H01L 33/02	・半導体素子本体に特徴のあるもの［２０１０．０１］	H10H 20/81	2025年1月
H01L 33/04	・・量子効果を奏する構造または超格子を有するもの，例．トンネル接合［２０１０．０１］	H10H 20/811	2025年1月
H01L 33/06	・・・発光領域内にあるもの，例．量子閉じ込め構造，トンネル障壁［２０１０．０１］	H10H 20/812	2025年1月
H01L 33/08	・・複数の発光領域を有するもの，例．横方向に不連続な発光層，フォトルミネセント領域が半導体素子本体に集積化されているもの（Ｈ０１Ｌ２７／１５が優先）［２０１０．０１］	H10H 20/813	2025年1月
H01L 33/10	・・反射構造を有するもの，例．半導体ブラッグ反射鏡［２０１０．０１］	H10H 20/814	2025年1月
H01L 33/12	・・応力緩和構造を有するもの，例．バッファ層［２０１０．０１］	H10H 20/815	2025年1月
H01L 33/14	・・電流制御構造を有するもの，例．高濃度ドープ半導体層，電流ブロック構造［２０１０．０１］	H10H 20/816	2025年1月
H01L 33/16	・・特定の結晶構造や結晶方位を有するもの，例．多結晶，アモルファス，ポーラス［２０１０．０１］	H10H 20/817	2025年1月
H01L 33/18	・・・発光領域内にあるもの［２０１０．０１］	H10H 20/818	2025年1月
H01L 33/20	・・特定の形状を有するもの，例．湾曲または面取りされた基板［２０１０．０１］	H10H 20/819	2025年1月
H01L 33/22	・・・粗面，凹凸面，例．エピタキシャル層の界面にあるもの［２０１０．０１］	H10H 20/82	2025年1月
H01L 33/24	・・・発光領域にあるもの，例．非プレーナー接合［２０１０．０１］	H10H 20/821	2025年1月
H01L 33/26	・・発光領域の材料［２０１０．０１］	H10H 20/822	2025年1月
H01L 33/28	・・・ＩＩ族およびＶＩ族元素のみを有するもの［２０１０．０１］	H10H 20/823	2025年1月
H01L 33/30	・・・ＩＩＩ族およびＶ族元素のみを有するもの［２０１０．０１］	H10H 20/824	2025年1月
H01L 33/32	・・・・窒素を含むもの［２０１０．０１］	H10H 20/825	2025年1月
H01L 33/34	・・・ＩＶ族元素のみを有するもの［２０１０．０１］	H10H 20/826	2025年1月
H01L 33/36	・電極に特徴があるもの［２０１０．０１］	H10H 20/83	2025年1月
H01L 33/38	・・特定の形状［２０１０．０１］	H10H 20/831	2025年1月
H01L 33/40	・・材料［２０１０．０１］	H10H 20/832	2025年1月
H01L 33/42	・・・透明材料［２０１０．０１］	H10H 20/833	2025年1月
H01L 33/44	・コーティングに特徴があるもの，例．パシベーション層，反射防止コーティング［２０１０．０１］	H10H 20/84	2025年1月
H01L 33/46	・・反射コーティング，例．誘電体ブラッグ反射鏡［２０１０．０１］	H10H 20/841	2025年1月
H01L 33/48	・半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの［２０１０．０１］	H10H 20/85	2025年1月
H01L 33/50	・・波長変換要素［２０１０．０１］	H10H 20/851	2025年1月
H01L 33/52	・・封止［２０１０．０１］	H10H 20/852	2025年1月
H01L 33/54	・・・特定の形状を有するもの［２０１０．０１］	H10H 20/853	2025年1月
H01L 33/56	・・・材料，例．エポキシ樹脂，シリコン樹脂［２０１０．０１］	H10H 20/854	2025年1月
H01L 33/58	・・光の形状を形成する要素［２０１０．０１］	H10H 20/855	2025年1月
H01L 33/60	・・・反射要素［２０１０．０１］	H10H 20/856	2025年1月
H01L 33/62	・・半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品，例．リードフレーム，ワイヤボンドまたはハンダ［２０１０．０１］	H10H 20/857	2025年1月
H01L 33/64	・・放熱または冷却要素［２０１０．０１］	H10H 20/858	2025年1月
H01L 27/10,301	・・・・マトリクス半導体装置	H10B 99/00,301	2022年11月
H01L 27/10,311	・・・・バイポーラ，ＭＯＳ以外のダイナミックランダムアクセスメモリ構造	H10B 12/00,841	2022年11月
H01L 27/10,341	・・・・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ	H10B 12/00,861	2022年11月
H01L 27/10,371	・・・・バイポーラ，ＭＯＳ以外のスタティックランダムアクセスメモリ構造	H10B 10/00,371	2022年11月
H01L 27/10,401	・・・・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ	H10B 10/00,401	2022年11月
H01L 27/10,421	・・・・バイポーラ，ＭＯＳ以外の不揮発性メモリ	H10B 20/00,421	2022年11月
H01L 27/10,431	・・・・・読出し専用メモリ，例．ヒューズ型またはアンチヒューズ型のＲＯＭ	H10B 20/25	2022年11月
H01L 27/10,437	・・・・・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ	H10B 20/00,437	2022年11月
H01L 27/10,449	・・・・有機メモリ	H10B 99/00,449	2022年11月
H01L 27/10,451	・・・・他の半導体メモリ	H10B 99/00,451	2022年11月
H01L 27/10,461	・・・・半導体チップ内メモリ	H10B 99/00,461	2022年11月
H01L 27/10,471	・・・・回路配置等の構成	H10B 99/00,471	2022年11月
H01L 27/10,481	・・・・周辺回路	H10B 99/00,481	2022年11月
H01L 27/10,491	・・・・誤動作防止	H10B 99/00,491	2022年11月
H01L 27/10,495	・・・・メモリモジュール	H10B 99/00,495	2022年11月
H01L 27/102,331	・・・・・ダイナミックランダムアクセスメモリ構造	H10B 12/10	2022年11月
H01L 27/102,391	・・・・・スタティックランダムアクセスメモリ構造	H10B 10/10	2022年11月
H01L 27/102,435	・・・・・リードオンリーメモリ構造，例．ＰＮジャンクションの破壊により書き込むもの	H10B 20/10	2022年11月
H01L 27/105,441	・・・・・不揮発性ＲＡＭ	H10B 99/00,441	2022年11月
H01L 27/105,447	・・・・・半導体磁気メモリ［ＭＲＡＭ］	H10B 61/00	2022年11月
H01L 27/105,448	・・・・・抵抗変化メモリ，例．ＲｅＲＡＭまたはＣＢＲＡＭ	H10B 63/00	2022年11月
H01L 27/105,449	・・・・・相変化メモリ［ＰＣＲＡＭ］	H10B 63/10	2022年11月
H01L 27/108	・・・・・ダイナミックランダムアクセスメモリ構造［５］	H10B 12/00	2022年11月
H01L 27/108,321	・・・・・・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型以外のＤＲＡＭ	H10B 12/00,801	2022年11月
H01L 27/108,351	・・・・・・ＭＯＳ―他のトランジスタからなるＤＲＡＭ	H10B 12/00,821	2022年11月
H01L 27/108,601	・・・・・・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型ＤＲＡＭ	H10B 12/00,601	2022年11月
H01L 27/108,611	・・・・・・・キャパシタ構造に特徴のあるもの	H10B 12/00,611	2022年11月
H01L 27/108,615	・・・・・・・・プレーナ型キャパシタ	H10B 12/00,615	2022年11月
H01L 27/108,621	・・・・・・・・スタック型キャパシタ	H10B 12/00,621	2022年11月
H01L 27/108,621@A	横方向にフィンを形成しているもの	H10B 12/00,621@A	2022年11月
H01L 27/108,621@B	縦方向の面を利用するもの	H10B 12/00,621@B	2022年11月
H01L 27/108,621@C	・ストレージ電極にくぼみ面を有するもの，例．クラウン型またはＣＵＰ型キャパシタ	H10B 12/00,621@C	2022年11月
H01L 27/108,621@Z	その他のスタック型キャパシタ，例．単純スタック型またはスタック型の各種変形	H10B 12/00,621@Z	2022年11月
H01L 27/108,625	・・・・・・・・トレンチ型キャパシタ	H10B 12/00,625	2022年11月
H01L 27/108,625@A	基板をセルプレートとして用いるもの	H10B 12/00,625@A	2022年11月
H01L 27/108,625@B	基板をストレージノードとして用いるもの	H10B 12/00,625@B	2022年11月
H01L 27/108,625@C	トレンチ内にセルプレートとストレージノードを各々独立に設けるもの	H10B 12/00,625@C	2022年11月
H01L 27/108,625@Z	その他のトレンチ型キャパシタ	H10B 12/00,625@Z	2022年11月
H01L 27/108,631	・・・・・・・・空乏層容量を利用したキャパシタ	H10B 12/00,631	2022年11月
H01L 27/108,651	・・・・・・・・キャパシタ絶縁膜に特徴のあるもの，例．絶縁膜材料に特徴のあるもの	H10B 12/00,651	2022年11月
H01L 27/108,661	・・・・・・・・その他のキャパシタ	H10B 12/00,661	2022年11月
H01L 27/108,671	・・・・・・・トランジスタ構造に特徴のあるもの	H10B 12/00,671	2022年11月
H01L 27/108,671@A	縦型トランジスタ	H10B 12/00,671@A	2022年11月
H01L 27/108,671@B	・溝型トランジスタ	H10B 12/00,671@B	2022年11月
H01L 27/108,671@C	ＳＯＩ上にトランジスタを形成したもの	H10B 12/00,671@C	2022年11月
H01L 27/108,671@Z	その他のトランジスタ	H10B 12/00,671@Z	2022年11月
H01L 27/108,681	・・・・・・・その他，例．レイアウト，に特徴のあるもの	H10B 12/00,681	2022年11月
H01L 27/108,681@A	ワード線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの	H10B 12/00,681@A	2022年11月
H01L 27/108,681@B	ビット線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの	H10B 12/00,681@B	2022年11月
H01L 27/108,681@C	接地線または電源線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの	H10B 12/00,681@C	2022年11月
H01L 27/108,681@D	素子分離構造に特徴のあるもの	H10B 12/00,681@D	2022年11月
H01L 27/108,681@E	チップ全体またはそれに近いレイアウトプランに特徴のあるもの	H10B 12/00,681@E	2022年11月
H01L 27/108,681@F	周辺回路部の構造またはレイアウトに特徴のあるもの	H10B 12/00,681@F	2022年11月
H01L 27/108,681@G	・センスアンプに特徴のあるもの	H10B 12/00,681@G	2022年11月
H01L 27/108,681@Z	その他	H10B 12/00,681@Z	2022年11月
H01L 27/108,691	・・・・・・・誤動作防止に特徴のあるもの	H10B 12/00,691	2022年11月
H01L 27/11	・・・・・スタティックランダムアクセスメモリ構造［５］	H10B 10/00	2022年11月
H01L 27/112	・・・・・リードオンリーメモリ構造［５］	H10B 20/00	2022年11月
H01L 27/115	・・・・・・電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ；そのための多段階製造工程［２０１７．０１］	H10B 69/00	2022年11月
H01L 27/11502	・・・・・・・強誘電体メモリキャパシタを有するもの［２０１７．０１］	H10B 53/00	2022年11月
H01L 27/11504	・・・・・・・・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 53/10	2022年11月
H01L 27/11507	・・・・・・・・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 53/30	2022年11月
H01L 27/11509	・・・・・・・・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 53/40	2022年11月
H01L 27/11512	・・・・・・・・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 53/50	2022年11月
H01L 27/11514	・・・・・・・・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 53/20	2022年11月
H01L 27/11517	・・・・・・・フローティングゲートを有するもの［２０１７．０１］	H10B 41/00	2022年11月
H01L 27/11519	・・・・・・・・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 41/10	2022年11月
H01L 27/11521	・・・・・・・・メモリコア領域に特徴のあるもの（三次元配置Ｈ０１Ｌ２７／１１５５１）［２０１７．０１］	H10B 41/30	2022年11月
H01L 27/11524	・・・・・・・・・セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０１７．０１］	H10B 41/35	2022年11月
H01L 27/11526	・・・・・・・・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 41/40	2022年11月
H01L 27/11529	・・・・・・・・・メモリ領域にセル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０１７．０１］	H10B 41/41	2022年11月
H01L 27/11531	・・・・・・・・・周辺セルおよびメモリセルの同時製造［２０１７．０１］	H10B 41/42	2022年11月
H01L 27/11534	・・・・・・・・・・周辺トランジスタを一種類のみ含むもの［２０１７．０１］	H10B 41/43	2022年11月
H01L 27/11536	・・・・・・・・・・・コントロールゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０１７．０１］	H10B 41/44	2022年11月
H01L 27/11539	・・・・・・・・・・・ゲート間誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０１７．０１］	H10B 41/46	2022年11月
H01L 27/11541	・・・・・・・・・・・フローティングゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０１７．０１］	H10B 41/47	2022年11月
H01L 27/11543	・・・・・・・・・・・トンネル誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０１７．０１］	H10B 41/48	2022年11月
H01L 27/11546	・・・・・・・・・・異なる種類の周辺トランジスタを含むもの［２０１７．０１］	H10B 41/49	2022年11月
H01L 27/11548	・・・・・・・・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 41/50	2022年11月
H01L 27/11551	・・・・・・・・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 41/20	2022年11月
H01L 27/11553	・・・・・・・・・異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０１７．０１］	H10B 41/23	2022年11月
H01L 27/11556	・・・・・・・・・・垂直部分からなるチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０１７．０１］	H10B 41/27	2022年11月
H01L 27/11558	・・・・・・・・コントロールゲートがドープ領域であるもの，例．単層ポリメモリセル［２０１７．０１］	H10B 41/60	2022年11月
H01L 27/1156	・・・・・・・・フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの［２０１７．０１］	H10B 41/70	2022年11月
H01L 27/11563	・・・・・・・電荷トラッピングゲート絶縁体を有するもの，例．ＭＮＯＳまたはＮＲＯＭ［２０１７．０１］	H10B 43/00	2022年11月
H01L 27/11565	・・・・・・・・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 43/10	2022年11月
H01L 27/11568	・・・・・・・・メモリコア領域に特徴のあるもの（三次元配置Ｈ０１Ｌ２７／１１５７８）［２０１７．０１］	H10B 43/30	2022年11月
H01L 27/1157	・・・・・・・・・セル選択トランジスタ，例．ＮＡＮＤ［２０１７．０１］	H10B 43/35	2022年11月
H01L 27/11573	・・・・・・・・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 43/40	2022年11月
H01L 27/11575	・・・・・・・・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 43/50	2022年11月
H01L 27/11578	・・・・・・・・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 43/20	2022年11月
H01L 27/1158	・・・・・・・・・異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０１７．０１］	H10B 43/23	2022年11月
H01L 27/11582	・・・・・・・・・・垂直部分からなるチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０１７．０１］	H10B 43/27	2022年11月
H01L 27/11585	・・・・・・・強誘電体メモリ特性のために用いる層を含むゲート電極を有するもの，例．金属－強誘電体－半導体［ＭＦＳ］または金属－強誘電体－金属－絶縁体－半導体［ＭＦＭＩＳ］［２０１７．０１］	H10B 51/00	2022年11月
H01L 27/11587	・・・・・・・・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 51/10	2022年11月
H01L 27/1159	・・・・・・・・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 51/30	2022年11月
H01L 27/11592	・・・・・・・・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 51/40	2022年11月
H01L 27/11595	・・・・・・・・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 51/50	2022年11月
H01L 27/11597	・・・・・・・・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０１７．０１］	H10B 51/20	2022年11月
H01L 27/16	・異種材料の接合を有する熱電構成部品またはそれを有しない熱電構成部品を含むもの；熱磁気構成部品を含むもの（ペルチェ効果を半導体または他の固体装置の冷却のみに利用するものＨ０１Ｌ２３／３８）［２］	H10N 19/00	2022年11月
H01L 27/18	・超電導を示す構成部品を含むもの［２］	H10N 69/00	2022年11月
H01L 27/20	・圧電構成部品を含むもの；電歪構成部品を含むもの；磁歪構成部品を含むもの［２，７］	H10N 39/00	2022年11月
H01L 27/22	・電流磁気効果，例．ホール効果，を利用した構成部品を含むもの；同様な磁界効果を利用するもの［２］	H10N 59/00	2022年11月
H01L 27/24	・整流，増幅，スイッチングをする固体構成部品で，電位障壁または表面障壁を有しないものを含む。［２］	H10N 79/00	2022年11月
H01L 27/26	・バルク負性抵抗効果構成部品を含むもの［２］	H10N 89/00	2022年11月
H01L 27/28	・能動部分として有機材料を用い，または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの［８］	H10K 19/00	2022年11月
H01L 27/30	・・赤外線，可視光，短波長の電磁波，または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの；輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか，またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの［８］	H10K 39/32	2022年11月
H01L 27/32	・・光放出に特に適用される構成部品を有するもの，例．有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ［８］	H10K 59/00	2022年11月
H01L 29/28	・・・有機材料	H10K 10/00	2022年11月
H01L 29/28,100	・・・・デバイスの型	H10K 10/00	2022年11月
H01L 29/28,100@A	整流，増幅，発振，またはスイッチング	H10K 10/40	2022年11月
H01L 29/28,100@B	・双安定	H10K 10/50	2022年11月
H01L 29/28,100@Z	その他	H10K 10/00	2022年11月
H01L 29/28,200	・・・・材料の選択に特徴	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,210	・・・・・能動部分，導電部分	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,220	・・・・・・状態［２５０より優先］	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,220@A	ドーパント，複合材料に特徴	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,220@B	・電荷移動錯体	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,220@C	単一分子	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,220@D	単分子膜	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,220@Z	その他	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,250	・・・・・・種類［２２０が優先］	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,250@E	カーボン系（フラーレン，カーボンナノチューブ等）	H10K 85/20	2022年11月
H01L 29/28,250@F	配位化合物	H10K 85/30	2022年11月
H01L 29/28,250@G	ポリマー，オリゴマー，デンドリマー	H10K 85/10	2022年11月
H01L 29/28,250@H	低分子	H10K 85/60	2022年11月
H01L 29/28,250@Z	その他	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,280	・・・・・その他の部分	H10K 85/00	2022年11月
H01L 29/28,300	・・・・製造方法，製造装置に特徴	H10K 71/00	2022年11月
H01L 29/28,310	・・・・・能動部分の形成	H10K 71/10	2022年11月
H01L 29/28,310@A	ドーパント，複合材料用	H10K 71/10	2022年11月
H01L 29/28,310@C	単一分子用	H10K 71/10	2022年11月
H01L 29/28,310@D	単分子膜用	H10K 71/10	2022年11月
H01L 29/28,310@E	カーボン系（フラーレン，カーボンナノチューブ等）	H10K 71/10	2022年11月
H01L 29/28,310@J	上記Ａ～Ｅ以外の材料用	H10K 71/10	2022年11月
H01L 29/28,310@K	・形状の変換	H10K 71/20	2022年11月
H01L 29/28,310@L	・改質	H10K 71/00	2022年11月
H01L 29/28,310@Z	その他	H10K 71/00	2022年11月
H01L 29/28,370	・・・・・導電部分の形成	H10K 71/60	2022年11月
H01L 29/28,390	・・・・・その他	H10K 71/00	2022年11月
H01L 29/28,400	・・・・細部	H10K 10/80	2022年11月
H01L 29/28,600	・・・・その他	H10K 10/00	2022年11月
H01L 31/04,100	・・有機光起電［ＰＶ］装置	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,110	・・・装置の構造に特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,112	・・・・少なくとも１つの電位障壁または表面障壁に特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,112@A	バルクへテロ接合	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,112@B	有機・無機半導体のヘテロ接合を有するもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,112@C	・酸化チタン等の半導体材料の増感作用を利用したもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,112@D	ＰＩＮ接合を有するもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,112@Z	その他	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,114	・・・・光閉じ込めのための構造	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,120	・・・・モジュール	H10K 39/10	2022年11月
H01L 31/04,122	・・・・タンデム	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,124	・・・・集積化	H10K 39/10	2022年11月
H01L 31/04,130	・・・・電極	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,132	・・・・基板	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,135	・・・・その他細部の構造に特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,140	・・・装置の材料に特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,150	・・・・有機半導体材料に特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152	・・・・・有機半導体材料として使用する共役系高分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152@A	主鎖を構成する環・連結基が炭素元素及び水素元素のみからなる共役系高分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152@B	主鎖を構成する環・連結基が硫黄元素を含む共役系高分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152@C	・ポリチオフェンに特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152@D	・・繰り返し構造単位中に複数種あるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152@E	・・側鎖に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152@G	主鎖を構成する環・連結基が窒素元素を含む共役系高分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152@H	主鎖を構成する環・連結基が酸素元素を含む共役系高分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152@J	主鎖を構成する環・連結基が炭素，水素，硫黄，窒素，酸素以外の元素を含む共役系高分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,152@Z	その他	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,154	・・・・・低分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,154@A	基本骨格を構成する元素が炭素のみである芳香族化合物に特徴のあるもの（Ｈ０１Ｌ３１／０４，１５４＠Ｆ優先）	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,154@B	基本骨格に硫黄元素が含まれる低分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,154@C	基本骨格に窒素元素が含まれる低分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,154@D	基本骨格に酸素元素が含まれる低分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,154@E	基本骨格に炭素，硫黄，窒素，酸素以外の元素が含まれる低分子化合物に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,154@F	フラーレンに特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,154@Z	その他	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,160	・・・・装置の特定の部位又は要素の材料に特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,162	・・・・・添加剤に特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,164	・・・・・光電変換層に使用される材料の組み合わせに特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,166	・・・・・電子輸送層用材料又は正孔阻止層用材料に特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,168	・・・・・正孔輸送層用材料又は電子阻止層用材料に特徴があるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,170	・・・・・電極用材料	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,180	・・・製造方法または製造装置に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,182	・・・・塗布に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,182@A	溶剤に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,182@Z	その他	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,184	・・・・蒸着に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,186	・・・・熱処理に特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/04,188	・・・・パターニングに特徴のあるもの	H10K 30/50	2022年11月
H01L 31/08@T	有機物光導電体	H10K 30/60	2022年11月
H01L 35/00	異種材料の接合からなる熱電装置，すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２］	H10N 10/00	2022年11月
H01L 35/00@S	感温半導体素子・感温スイッチ	H10N 10/00@S	2022年11月
H01L 35/00@Z	その他のもの	H10N 10/00@Z	2022年11月
H01L 35/02	・細部［２］	H10N 10/80	2022年11月
H01L 35/04	・・接合の構造的な細部；リードの接続［２］	H10N 10/81	2022年11月
H01L 35/06	・・・分離できるもの，例．バネを利用しているもの［２］	H10N 10/813	2022年11月
H01L 35/08	・・・分離できないもの，例．セメント接合されたもの，焼結されたもの，ハンダ付けされたもの［２］	H10N 10/817	2022年11月
H01L 35/10	・・・リードの接続［２］	H10N 10/82	2022年11月
H01L 35/12	・接合の脚部材料の選択［２］	H10N 10/85	2022年11月
H01L 35/14	・・無機組成物を用いるもの［２］	H10N 10/851	2022年11月
H01L 35/16	・・・テルルまたはセレンまたはイオウからなるもの［２］	H10N 10/852	2022年11月
H01L 35/18	・・・ヒ素またはアンチモンまたはビスマスからなるもの（Ｈ０１Ｌ３５／１６が優先）［２］	H10N 10/853	2022年11月
H01L 35/20	・・・金属だけからなるもの（Ｈ０１Ｌ３５／１６，Ｈ０１Ｌ３５／１８が優先）［２］	H10N 10/854	2022年11月
H01L 35/22	・・・ホウ素，炭素，酸素または窒素を含む化合物からなるもの［２］	H10N 10/855	2022年11月
H01L 35/24	・・有機組成物を用いるもの［２］	H10N 10/856	2022年11月
H01L 35/26	・・材料内部で連続的または不連続的に変化する組成物を用いるもの［２］	H10N 10/857	2022年11月
H01L 35/28	・ペルチェ効果またはゼーベック効果だけで動作するもの［２］	H10N 10/10	2022年11月
H01L 35/28@C	回路に特徴があるペルチェ・ゼーベツク装置	H10N 10/10@C	2022年11月
H01L 35/28@Z	その他のもの	H10N 10/10@Z	2022年11月
H01L 35/30	・・接合部における熱交換手段に特徴のあるもの［２］	H10N 10/13	2022年11月
H01L 35/32	・・装置を形成するセルまたは熱電対の構造または配列に特徴のあるもの［２００６．０１］	H10N 10/17	2022年11月
H01L 35/32@A	熱電対の構造・配列〔サーモパイル〕	H10N 10/17@A	2022年11月
H01L 35/32@Z	その他のもの〔サーモモジュール，発電用〕	H10N 10/17@Z	2022年11月
H01L 35/34	・これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２］	H10N 10/01	2022年11月
H01L 37/00	異種材料の接合を持たない熱電装置；熱磁気装置，例．ネルンスト・エッチングハウゼン効果を利用するもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２］	H10N 15/00	2022年11月
H01L 37/02	・誘電率の温度変化を利用するもの，例．キューリー温度の上下で作動するもの［２］	H10N 15/10	2022年11月
H01L 37/04	・透磁率の温度変化を利用するもの，例．キューリー温度の上下で作動するもの［２］	H10N 15/20	2022年11月
H01L 39/00	超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００；セラミック形成技術またはセラミック組成物に特徴のある超電導体Ｃ０４Ｂ３５／００；超電導体またはハイパーコンダクティブの導体，ケーブル，または伝送線路Ｈ０１Ｂ１２／００；超電導コイルまたは巻線Ｈ０１Ｆ；超電導性を利用する増幅器Ｈ０３Ｆ１９／００）［２，４］	H10N 60/00	2022年11月
H01L 39/00@A	超電導性を利用した装置	H10N 60/00@A	2022年11月
H01L 39/00@C	超電導体の接続〔線材を除く〕	H10N 60/00@C	2022年11月
H01L 39/00@G	・磁気を利用した装置	H10N 60/00@G	2022年11月
H01L 39/00@M	・マイスナー効果を利用した装置	H10N 60/00@M	2022年11月
H01L 39/00@S	磁気シールド材	H10N 60/00@S	2022年11月
H01L 39/00@Z	その他のもの	H10N 60/00@Z	2022年11月
H01L 39/02	・細部［２］	H10N 60/80	2022年11月
H01L 39/02@A	超電導素子の実装〔例．マイクロピン〕	H10N 60/80@A	2022年11月
H01L 39/02@B	薄膜〔超電導素子用〕	H10N 60/80@B	2022年11月
H01L 39/02@D	超電導体の積層	H10N 60/80@D	2022年11月
H01L 39/02@W	回路基板〔超電導素子用〕	H10N 60/80@W	2022年11月
H01L 39/02@Z	その他のもの	H10N 60/80@Z	2022年11月
H01L 39/04	・・容器；マウント［２］	H10N 60/81	2022年11月
H01L 39/06	・・電流路に特徴のあるもの［２］	H10N 60/82	2022年11月
H01L 39/08	・・素子の形に特徴のあるもの［２］	H10N 60/83	2022年11月
H01L 39/10	・・切換手段に特徴のあるもの［２］	H10N 60/84	2022年11月
H01L 39/12	・・材料に特徴のあるもの［２］	H10N 60/85	2022年11月
H01L 39/12@A	合金・金属間化合物系	H10N 60/85@A	2022年11月
H01L 39/12@B	有機物系	H10N 60/85@B	2022年11月
H01L 39/12@C	セラミック系	H10N 60/85@C	2022年11月
H01L 39/12@Z	その他のもの	H10N 60/85@Z	2022年11月
H01L 39/14	・永久超電導装置［２］	H10N 60/20	2022年11月
H01L 39/14@A	永久電流用機械式スイッチ	H10N 60/20@A	2022年11月
H01L 39/14@Z	その他のもの	H10N 60/20@Z	2022年11月
H01L 39/16	・超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置［２］	H10N 60/30	2022年11月
H01L 39/18	・・クライオトロン［２］	H10N 60/35	2022年11月
H01L 39/20	・・・電力用クライオトロン［２］	H10N 60/355	2022年11月
H01L 39/22	・異種材料の接合からなる装置，例．ジョセフソン効果装置［２］	H10N 60/10	2022年11月
H01L 39/22@A	ジョセフソン素子	H10N 60/12@A	2022年11月
H01L 39/22@B	・メモリ素子	H10N 60/12@B	2022年11月
H01L 39/22@C	・ソリトン・デバイス	H10N 60/12@C	2022年11月
H01L 39/22@D	・磁気センサ，電磁場の発生・検出電圧標準用〔点接合型，弱結合型が多い〕	H10N 60/12@D	2022年11月
H01L 39/22@G	超電導トランジスタ・多端子素子	H10N 60/10@G	2022年11月
H01L 39/22@K	回路に特徴があるもの	H10N 60/10@K	2022年11月
H01L 39/22@Z	その他のもの	H10N 60/10@Z	2022年11月
H01L 39/24	・３９／００に分類されている装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２］	H10N 60/01	2022年11月
H01L 39/24@B	薄膜の製造方法	H10N 60/01@B	2022年11月
H01L 39/24@C	・ジョセフソン素子用	H10N 60/01@C	2022年11月
H01L 39/24@D	・積層	H10N 60/01@D	2022年11月
H01L 39/24@F	薄膜の加工方法	H10N 60/01@F	2022年11月
H01L 39/24@J	ジョセフソン素子の製造方法	H10N 60/01@J	2022年11月
H01L 39/24@K	ジョセフソン素子の製造装置	H10N 60/01@K	2022年11月
H01L 39/24@W	回路基板の製造方法	H10N 60/01@W	2022年11月
H01L 39/24@Z	その他のもの	H10N 60/01@Z	2022年11月
H01L 41/00	圧電装置一般；電歪装置一般；磁歪装置一般；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２，２０１３．０１］	H10N 30/00	2022年11月
H01L 41/02	・細部［２］	H10N 30/80	2022年11月
H01L 41/04	・・圧電または電歪素子のもの［２］	H10N 30/80	2022年11月
H01L 41/047	・・・電極［６］	H10N 30/87	2022年11月
H01L 41/053	・・・取付具，支持具，囲いまたはケーシング［６］	H10N 30/88	2022年11月
H01L 41/06	・・磁歪素子のもの［２］	H10N 35/80	2022年11月
H01L 41/08	・圧電または電歪素子［２］	H10N 30/00	2022年11月
H01L 41/08@A	圧電トランス〔電圧－圧力－圧力－電圧で変圧〕	H10N 30/40	2022年11月
H01L 41/08@B	発電装置	H10N 30/30	2022年11月
H01L 41/08@C	圧電駆動装置〔ユニモルフトランスデューサ，振動子，主分類は，Ｈ０４Ｒ１７〕	H10N 30/20	2022年11月
H01L 41/08@D	半導体と圧電体とからなる素子	H10N 30/00	2022年11月
H01L 41/08@E	・円筒型圧電素子ユニット	H10N 30/30	2022年11月
H01L 41/08@F	・・静圧型	H10N 30/30	2022年11月
H01L 41/08@G	・平板型圧電素子ユニット	H10N 30/30	2022年11月
H01L 41/08@H	有機，有機＋無機圧電材料を用いた素子	H10N 30/00	2022年11月
H01L 41/08@J	・全体の形状	H10N 30/20	2022年11月
H01L 41/08@K	・駆動方法，回路	H10N 30/20	2022年11月
H01L 41/08@L	・電極に特徴	H10N 30/20	2022年11月
H01L 41/08@M	・バイモルフ型駆動装置［バイメタル状に振るもの］	H10N 30/20	2022年11月
H01L 41/08@N	・・全体の形状	H10N 30/50	2022年11月
H01L 41/08@P	・・駆動方法，回路	H10N 30/50	2022年11月
H01L 41/08@Q	・・電極に特徴	H10N 30/50	2022年11月
H01L 41/08@R	・・ケースに入れる	H10N 30/50	2022年11月
H01L 41/08@S	・積層構造に特徴	H10N 30/50	2022年11月
H01L 41/08@T	・・駆動方法，回路	H10N 30/20	2022年11月
H01L 41/08@U	用途	H10N 30/20	2022年11月
H01L 41/08@V	・・電極に特徴	H10N 30/20	2022年11月
H01L 41/08@Z	その他のもの〔加速度圧電センサ〕	H10N 30/00	2022年11月
H01L 41/083	・・積み重ねまたは多層構造をもつもの［６］	H10N 30/50	2022年11月
H01L 41/087	・・同軸ケーブルとして形成されるもの［６］	H10N 30/60	2022年11月
H01L 41/09	・・電気的入力および機械的出力をもつもの［５］	H10N 30/20	2022年11月
H01L 41/107	・・電気的入力および電気的出力をもつもの［５］	H10N 30/40	2022年11月
H01L 41/113	・・機械的入力および電気的出力をもつもの［５］	H10N 30/30	2022年11月
H01L 41/12	・磁歪素子［２］	H10N 35/00	2022年11月
H01L 41/16	・材料の選択［２］	H10N 30/85	2022年11月
H01L 41/18	・・圧電または電歪素子用［２］	H10N 30/85	2022年11月
H01L 41/18,101	・・・無機物の選択	H10N 30/85	2022年11月
H01L 41/18,101@A	単結晶	H10N 30/85	2022年11月
H01L 41/18,101@B	磁器	H10N 30/853	2022年11月
H01L 41/18,101@C	・Ｐｂ，Ｔｉを含むもの	H10N 30/853	2022年11月
H01L 41/18,101@D	・Ｐｂ，Ｔｉ，Ｚｒを含むもの	H10N 30/853	2022年11月
H01L 41/18,101@E	・・Ｐｂ〔Ａ１／２Ｂ１／２〕Ｏ↓３－ＰｂＴｉＯ↓３－ＰｂＺｒＯ↓３	H10N 30/853	2022年11月
H01L 41/18,101@F	・・Ｐｂ〔Ａ１／３Ｂ２／３）Ｏ↓３－ＰｂＴｉＯ↓３－ＰｂＺｒＯ↓３	H10N 30/853	2022年11月
H01L 41/18,101@G	・・Ｐｂ〔Ａ１／４Ｂ３／４〕Ｏ↓３－ＰｂＴｉＯ↓３－ＰｂＺｒＯ↓３	H10N 30/853	2022年11月
H01L 41/18,101@H	・・Ｐｂ〔ＡｘＢｙ…〕－ＰｂＴｉＯ↓３－ＰｂＺｒＯ↓３	H10N 30/853	2022年11月
H01L 41/18,101@J	・４成分素以上	H10N 30/853	2022年11月
H01L 41/18,101@Z	その他のもの	H10N 30/85	2022年11月
H01L 41/18,102	・・・有機物の選択	H10N 30/85	2022年11月
H01L 41/187	・・・セラミック組成物［５］	H10N 30/853	2022年11月
H01L 41/193	・・・高分子組成物［５］	H10N 30/857	2022年11月
H01L 41/20	・・磁歪素子用［２］	H10N 35/85	2022年11月
H01L 41/22	・圧電または電歪装置またはその部品の組み立て，製造または処理に特に適用される方法または装置［２，２０１３．０１］	H10N 30/01	2022年11月
H01L 41/23	・・被覆またはケースの形成［２０１３．０１］	H10N 30/02	2022年11月
H01L 41/25	・・圧電部品または電歪部品を含む装置の組み立て［２０１３．０１］	H10N 30/03	2022年11月
H01L 41/253	・・圧電特性または電歪特性を修正する装置またはその部品の取扱い，例．分極の特徴，振動の特徴またはモード同調［２０１３．０１］	H10N 30/04	2022年11月
H01L 41/257	・・・分極方法による［２０１３．０１］	H10N 30/045	2022年11月
H01L 41/27	・・多層圧電装置または電歪装置およびそれら部品の製造，例．圧電体と電極の積層による［２０１３．０１］	H10N 30/05	2022年11月
H01L 41/273	・・・圧電体または電歪体と電極を同時焼結による［２０１３．０１］	H10N 30/053	2022年11月
H01L 41/277	・・・バルク圧電体または電歪体と電極の積層による［２０１３．０１］	H10N 30/057	2022年11月
H01L 41/29	・・電極，リードまたは端子配置の形成［２０１３．０１］	H10N 30/06	2022年11月
H01L 41/293	・・・積層型圧電装置または積層型電歪装置の接続電極［２０１３．０１］	H10N 30/063	2022年11月
H01L 41/297	・・・積層型圧電装置または積層型電歪装置の内部電極［２０１３．０１］	H10N 30/067	2022年11月
H01L 41/31	・・圧電部品または電歪部品，あるいはそれらの本体を，電気素子または他の基板の上に貼付け［２０１３．０１］	H10N 30/07	2022年11月
H01L 41/311	・・・圧電部品または電歪部品を半導体素子または他の回路素子と共に共通基板の上に取付け［２０１３．０１］	H10N 30/071	2022年11月
H01L 41/312	・・・圧電体または電歪体の積層または接着による［２０１３．０１］	H10N 30/072	2022年11月
H01L 41/313	・・・・金属溶融または接着による［２０１３．０１］	H10N 30/073	2022年11月
H01L 41/314	・・・圧電層または電磁層の堆積による，例．エアロゾルまたはスクリーン印刷［２０１３．０１］	H10N 30/074	2022年11月
H01L 41/316	・・・・気相堆積による［２０１３．０１］	H10N 30/076	2022年11月
H01L 41/317	・・・・液相堆積による［２０１３．０１］	H10N 30/077	2022年11月
H01L 41/318	・・・・・ソルゲル堆積による［２０１３．０１］	H10N 30/078	2022年11月
H01L 41/319	・・・・下地膜を用いる方法，例．成長制御［２０１３．０１］	H10N 30/079	2022年11月
H01L 41/33	・・圧電体または電歪体の成形または機械加工［２０１３．０１］	H10N 30/08	2022年11月
H01L 41/331	・・・マスクを用いた塗布または堆積による，例．リフトオフ［２０１３．０１］	H10N 30/081	2022年11月
H01L 41/332	・・・エッチングによる，例．リソグラフィ［２０１３．０１］	H10N 30/082	2022年11月
H01L 41/333	・・・型成形または押出成形による［２０１３．０１］	H10N 30/084	2022年11月
H01L 41/335	・・・機械加工による［２０１３．０１］	H10N 30/085	2022年11月
H01L 41/337	・・・・研磨または研削による［２０１３．０１］	H10N 30/086	2022年11月
H01L 41/338	・・・・切断またはダイシングによる［２０１３．０１］	H10N 30/088	2022年11月
H01L 41/339	・・・・パンチングによる［２０１３．０１］	H10N 30/089	2022年11月
H01L 41/35	・・圧電材料または電歪材料の形成［２０１３．０１］	H10N 30/09	2022年11月
H01L 41/37	・・・複合材料［２０１３．０１］	H10N 30/092	2022年11月
H01L 41/39	・・・無機材料［２０１３．０１］	H10N 30/093	2022年11月
H01L 41/41	・・・・溶融による［２０１３．０１］	H10N 30/095	2022年11月
H01L 41/43	・・・・焼成による［２０１３．０１］	H10N 30/097	2022年11月
H01L 41/45	・・・有機材料［２０１３．０１］	H10N 30/098	2022年11月
H01L 41/47	・磁歪装置またはその部品の組み立て，製造または処理に特別に適合した方法または装置［２０１３．０１］	H10N 35/01	2022年11月
H01L 43/00	電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２］	H10N 50/00	2022年11月
H01L 43/02	・細部［２］	H10N 50/80	2022年11月
H01L 43/02@P	可動部材に特徴があるもの〔例．ポテンショメータ〕	H10N 50/80@P	2022年11月
H01L 43/02@Z	その他のもの	H10N 50/80@Z	2022年11月
H01L 43/04	・・ホール効果装置のもの［２］	H10N 52/80	2022年11月
H01L 43/06	・ホール効果装置［２］	H10N 52/00	2022年11月
H01L 43/06@A	回路に特徴があるもの	H10N 52/00@A	2022年11月
H01L 43/06@B	バイアス磁界	H10N 52/00@B	2022年11月
H01L 43/06@C	固体インダクタ	H10N 52/00@C	2022年11月
H01L 43/06@D	電極	H10N 52/80@D	2022年11月
H01L 43/06@H	保護層	H10N 52/80@H	2022年11月
H01L 43/06@M	強磁性体	H10N 52/00@M	2022年11月
H01L 43/06@P	感磁部パターン	H10N 52/00@P	2022年11月
H01L 43/06@S	半導体	H10N 52/00@S	2022年11月
H01L 43/06@U	用途	H10N 52/00@U	2022年11月
H01L 43/06@Z	その他のもの	H10N 52/00@Z	2022年11月
H01L 43/08	・磁界制御抵抗［２］	H10N 50/10	2022年11月
H01L 43/08@A	回路に特徴があるもの	H10N 50/10@A	2022年11月
H01L 43/08@B	バイアス磁界	H10N 50/10@B	2022年11月
H01L 43/08@D	電極	H10N 50/80@D	2022年11月
H01L 43/08@H	保護層	H10N 50/80@H	2022年11月
H01L 43/08@M	強磁性体	H10N 50/10@M	2022年11月
H01L 43/08@P	感磁部パターン	H10N 50/10@P	2022年11月
H01L 43/08@S	半導体磁気抵抗素子	H10N 50/10@S	2022年11月
H01L 43/08@U	用途	H10N 50/10@U	2022年11月
H01L 43/08@Z	その他のもの	H10N 50/10@Z	2022年11月
H01L 43/10	・材料の選択［２］	H10N 52/85	2022年11月
H01L 43/12	・これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２］	H10N 50/01	2022年11月
H01L 43/14	・・ホール効果装置用［２］	H10N 52/01	2022年11月
H01L 45/00	電位障壁または表面障壁をもたず，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される固体装置，例．誘電体三極素子；オブシンスキー効果装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００；超電導性またはハイパーコンダクティビィティを利用する装置Ｈ０１Ｌ３９／００；圧電装置Ｈ０１Ｌ４１／００；バルク負性抵抗効果装置Ｈ０１Ｌ４７／００）［２］	H10N 70/00	2022年11月
H01L 45/00@A	非晶質半導体に関するもの	H10N 70/00@A	2022年11月
H01L 45/00@B	・酸化物ガラスに関するもの	H10N 70/00@B	2022年11月
H01L 45/00@C	バルク・薄膜型に関するもの	H10N 70/00@C	2022年11月
H01L 45/00@Z	その他のもの	H10N 70/00@Z	2022年11月
H01L 45/02	・固体進行波装置［２］	H10N 70/10	2022年11月
H01L 47/00	バルク負性抵抗効果装置，例．ガン効果装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２］	H10N 80/00	2022年11月
H01L 47/02	・ガン効果装置［２］	H10N 80/10	2022年11月
H01L 49/00	Ｈ０１Ｌ２７／００～Ｈ０１Ｌ４７／００およびＨ０１Ｌ５１／００に分類されず，他のサブクラスにも分類されない固体装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２，８］	H10N 99/00	2022年11月
H01L 49/00@A	サーマルプリンタに関するもの	H10N 99/00	2022年11月
H01L 49/00@Z	その他のもの	H10N 99/00	2022年11月
H01L 49/02	・薄膜または厚膜装置［２］	H10N 97/00	2022年11月
H01L 27/06,102@B	・ソース・ドレインまたはチャンネルのみに特徴のあるもの	H01L 27/06,102@Z	2017年4月
H01L 27/06,102@C	・ゲート［ゲート電極，ゲート絶縁膜］	H01L 27/06,102@Z	2017年4月
H01L 27/06,102@D	・素子分離，基板に特徴のあるもの	H01L 27/06,102@Z	2017年4月
H01L 27/06,102@E	・コンタクト，電極，配線	H01L 27/06,102@Z	2017年4月
H01L 27/06,102@F	回路構成に特徴のあるもの	H01L 27/06,102@Z	2017年4月
H01L 27/06,102@G	・特殊用途用	H01L 27/06,102@Z	2017年4月
H01L 27/06,102@H	・時計用	H01L 27/06,102@Z	2017年4月
H01L 27/06,102@J	メモリ	H01L 27/06,102@Z	2017年4月
H01L 27/08,101	・・・・バイポーラ集積回路	H01L 27/082	2017年4月
H01L 27/08,101@B	Ｂｉｐ　ＩＣｓ	H01L 27/082@B	2017年4月
H01L 27/08,101@C	ＮＰＮ＋ＰＮＰ	H01L 27/082@C	2017年4月
H01L 27/08,101@D	Ｄａｒｌｉｎｇｔｏｎ　ｃｉｒｃｕｉｔｓ	H01L 27/082@D	2017年4月
H01L 27/08,101@J	・Ｉｎｊｅｃｔｏｒｓ	H01L 27/082@J	2017年4月
H01L 27/08,101@L	Ｂｉｐ　Ｌｏｇｉｃ	H01L 27/082@L	2017年4月
H01L 27/08,101@M	ＩＩＬ	H01L 27/082@M	2017年4月
H01L 27/08,101@N	・Ｉｎｖｅｒｔｅｒｓ	H01L 27/082@N	2017年4月
H01L 27/08,101@T	Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｈａｖｉｎｇ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ	H01L 27/082@T	2017年4月
H01L 27/08,101@V	Ｖｅｒｔｉｃａｌ＋Ｌａｔｅｒａｌ	H01L 27/082@V	2017年4月
H01L 27/08,101@W	・ｗｉｔｈ　ｏｔｈｅｒ　ｃｉｒｃｕｉｔｓ	H01L 27/082@W	2017年4月
H01L 27/08,101@Z	その他	H01L 27/082@Z	2017年4月
H01L 27/08,102	・・・・ＭＯＳ集積回路	H01L 27/088	2017年4月
H01L 27/08,102@A	ＭＯＳ構造全体に特徴のあるもの	H01L 27/088@A	2017年4月
H01L 27/08,102@B	チャネル構造またはソース・ドレイン形成［ＬＤＤ構造も含む］	H01L 27/088@B	2017年4月
H01L 27/08,102@C	ゲート［ゲート電極，ゲート絶縁膜］	H01L 27/088@C	2017年4月
H01L 27/08,102@D	コンタクト，電極，配線	H01L 27/088@D	2017年4月
H01L 27/08,102@E	積層型ＭＯＳ，縦型［垂直チャネル型］ＭＯＳ	H01L 27/088@E	2017年4月
H01L 27/08,102@F	ＭＯＳＩＣに対する保護回路	H01L 27/088@F	2017年4月
H01L 27/08,102@G	マスタースライス，ゲートアレイ	H01L 27/118,102	2017年4月
H01L 27/08,102@H	メモリ，論理回路	H01L 27/088@H	2017年4月
H01L 27/08,102@J	回路構成に特徴のあるもの	H01L 27/088@J	2017年4月
H01L 27/08,102@Z	その他のもの	H01L 27/088@Z	2017年4月
H01L 27/08,311	・・・・・Ｅ―Ｄ・ＭＯＳ，Ｅ―Ｅ・ＭＯＳ	H01L 27/088,311	2017年4月
H01L 27/08,311@A	全体に特徴のあるもの	H01L 27/088,311@A	2017年4月
H01L 27/08,311@B	ウエル形成・基板に特徴のあるもの〔ＳＯＳ，ＳＯＩ等〕	H01L 27/088,311@Z	2017年4月
H01L 27/08,311@C	ゲート［ゲート電極，ゲート絶縁膜］	H01L 27/088,311@Z	2017年4月
H01L 27/08,311@D	回路構成に特徴のあるもの	H01L 27/088,311@Z	2017年4月
H01L 27/08,311@Z	その他	H01L 27/088,311@Z	2017年4月
H01L 27/08,321	・・・・・ＣＭＯＳ集積回路	H01L 27/092	2017年4月
H01L 27/08,321@A	ＣＭＯＳ全体に特徴のあるもの	H01L 27/092@A	2017年4月
H01L 27/08,321@B	ウェル，基板，埋込み層	H01L 27/092@B	2017年4月
H01L 27/08,321@C	チャネル構造	H01L 27/092@C	2017年4月
H01L 27/08,321@D	ゲート［ゲート電極，ゲート絶縁膜］	H01L 27/092@D	2017年4月
H01L 27/08,321@E	ソース・ドレイン形成［ＬＤＤ構造も含む］	H01L 27/092@E	2017年4月
H01L 27/08,321@F	コンタクト，電極，配線	H01L 27/092@F	2017年4月
H01L 27/08,321@G	積層型ＣＭＯＳ，縦型［垂直チャネル型］ＣＭＯＳ	H01L 27/092@G	2017年4月
H01L 27/08,321@H	ＣＭＯＳに対する保護回路	H01L 27/092@H	2017年4月
H01L 27/08,321@J	マスタースライス，ゲートアレイ	H01L 27/118,102	2017年4月
H01L 27/08,321@K	メモリ，論理回路	H01L 27/092@K	2017年4月
H01L 27/08,321@L	回路構成に特徴のあるもの	H01L 27/092@L	2017年4月
H01L 27/08,321@M	・特定用途用，ＣＭＯＳ回路	H01L 27/092@L	2017年4月
H01L 27/08,321@N	製造工程の簡略化	H01L 27/092@N	2017年4月
H01L 27/08,321@Z	その他のもの	H01L 27/092@Z	2017年4月
H01L 27/08,331	・・・・・寄生効果防止（素子分離）	H01L 27/088,331	2017年4月
H01L 27/08,331@A	絶縁分離	H01L 27/088,331@A	2017年4月
H01L 27/08,331@B	チャンネルストッパー，ガードリング	H01L 27/088,331@B	2017年4月
H01L 27/08,331@C	基板，埋込み層	H01L 27/088,331@C	2017年4月
H01L 27/08,331@D	ウェル	H01L 27/088,331@D	2017年4月
H01L 27/08,331@E	ＳＯＳ，ＳＯＩ	H01L 27/088,331@E	2017年4月
H01L 27/08,331@F	ダイオード，抵抗を用いたもの	H01L 27/088,331@F	2017年4月
H01L 27/08,331@G	バイアスを与えたもの	H01L 27/088,331@G	2017年4月
H01L 27/08,331@Z	その他のもの	H01L 27/088,331@Z	2017年4月
H01L 27/10,321	・・・・・ＭＯＳメモリ	H01L 27/108,321	2017年4月
H01L 27/10,331	・・・・・バイポーラメモリ	H01L 27/102,331	2017年4月
H01L 27/10,351	・・・・・ＭＯＳ―他のトランジスタメモリ	H01L 27/108,351	2017年4月
H01L 27/10,381	・・・・・ＭＯＳメモリ	H01L 27/11	2017年4月
H01L 27/10,391	・・・・・バイポーラメモリ	H01L 27/102,391	2017年4月
H01L 27/10,433	・・・・・・ＭＯＳメモリ〔メモリセル中の能動素子が全て，ＭＯＳＴｒ．であるもの〕	H01L 27/112	2017年4月
H01L 27/10,434	・・・・・・・電気的にプログラム可能な読出し専用メモリ〔ＥＰＲＯＭ（紫外線消去型のものなど）、ＥＥＰＲＯＭについて付与〕〔セル中の、ＭＯＳＴｒ、（１個）を特徴とするものはＨ０１Ｌ２９／７８，３７１が優先〕	H01L 27/115	2017年4月
H01L 27/10,435	・・・・・・バイポーラメモリ〔ＰＮジャンクションの破壊により書き込むものも含む〕	H01L 27/102,435	2017年4月
H01L 27/10,441	・・・・・不揮発性ＲＡＭ	H01L 27/105,441	2017年4月
H01L 27/10,444	・・・・・強誘電体メモリ	H01L 27/115	2017年4月
H01L 27/10,444@A	トランジスタのチャネルとゲート電極の間に強誘電体素子を設置するもの（ｅｘ．ＭＦＳ，ＭＦＭＩＳ）	H01L 27/115	2017年4月
H01L 27/10,444@B	トランジスタのソース・ドレイン領域に強誘電体素子を接続するもの（ｅｘ．Ｔｒ．＋Ｃａｐ．型）	H01L 27/115	2017年4月
H01L 27/10,444@C	強誘電体薄膜又は強誘電体キャパシタ、だけの記載のもの	H01L 27/115	2017年4月
H01L 27/10,444@Z	その他（強誘電体メモリ周りの回路など）	H01L 27/115	2017年4月
H01L 27/10,447	・・・・・半導体磁気メモリ（ＭＲＡＭ）	H01L 27/105,447	2017年4月
H01L 27/10,448	・・・・・抵抗変化メモリ（読出し専用メモリを除く）	H01L 27/105,448	2017年4月
H01L 27/10,601	・・・・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型ＤＲＡＭ	H01L 27/108,601	2017年4月
H01L 27/10,611	・・・・・キャパシタ構造に特徴のあるもの	H01L 27/108,611	2017年4月
H01L 27/10,615	・・・・・・プレーナ型キャパシタ	H01L 27/108,615	2017年4月
H01L 27/10,621	・・・・・・スタック型キャパシタ	H01L 27/108,621	2017年4月
H01L 27/10,621@A	横方向にフィンを形成しているもの	H01L 27/108,621@A	2017年4月
H01L 27/10,621@B	縦方向の面を利用するもの	H01L 27/108,621@B	2017年4月
H01L 27/10,621@C	・ストレージ電極にくぼみ面を有するもの（ｅｘ．クラウン型、ＣＵＰ型キャパシタ）	H01L 27/108,621@C	2017年4月
H01L 27/10,621@Z	その他のスタック型キャパシタ（単純スタック型及び各種変形を含む）	H01L 27/108,621@Z	2017年4月
H01L 27/10,625	・・・・・・トレンチ型キャパシタ	H01L 27/108,625	2017年4月
H01L 27/10,625@A	基板をセルプレートとして用いるもの	H01L 27/108,625@A	2017年4月
H01L 27/10,625@B	基板をストレージノードとして用いるもの	H01L 27/108,625@B	2017年4月
H01L 27/10,625@C	トレンチ内にセルプレートとストレージノードを各々独立に設けるもの	H01L 27/108,625@C	2017年4月
H01L 27/10,625@Z	その他のトレンチ型キャパシタ	H01L 27/108,625@Z	2017年4月
H01L 27/10,631	・・・・・・空乏層容量を利用したキャパシタ	H01L 27/108,631	2017年4月
H01L 27/10,651	・・・・・・キャパシタ絶縁膜（主に材料）に特徴のあるもの	H01L 27/108,651	2017年4月
H01L 27/10,661	・・・・・・その他のキャパシタ	H01L 27/108,661	2017年4月
H01L 27/10,671	・・・・・トランジスタ構造に特徴のあるもの	H01L 27/108,671	2017年4月
H01L 27/10,671@A	縦型トランジスタ	H01L 27/108,671@A	2017年4月
H01L 27/10,671@B	・溝型トランジスタ	H01L 27/108,671@B	2017年4月
H01L 27/10,671@C	ＳＯＩ上にトランジスタを形成したもの	H01L 27/108,671@C	2017年4月
H01L 27/10,671@Z	その他のトランジスタ	H01L 27/108,671@Z	2017年4月
H01L 27/10,681	・・・・・その他（レイアウト等）に特徴のあるもの	H01L 27/108,681	2017年4月
H01L 27/10,681@A	ワード線のレイアウト・構造・材料等に特徴のあるもの	H01L 27/108,681@A	2017年4月
H01L 27/10,681@B	ビット線のレイアウト・構造・材料等に特徴のあるもの	H01L 27/108,681@B	2017年4月
H01L 27/10,681@C	接地線・電源線のレイアウト・構造・材料等に特徴のあるもの	H01L 27/108,681@C	2017年4月
H01L 27/10,681@D	素子分離構造に特徴のあるもの	H01L 27/108,681@D	2017年4月
H01L 27/10,681@E	チップ全体又はそれに近いレイアウトプランに特徴のあるもの	H01L 27/108,681@E	2017年4月
H01L 27/10,681@F	周辺回路部の構造・レイアウト等に特徴のあるもの	H01L 27/108,681@F	2017年4月
H01L 27/10,681@G	・センスアンプに特徴のあるもの	H01L 27/108,681@G	2017年4月
H01L 27/10,681@Z	その他	H01L 27/108,681@Z	2017年4月
H01L 27/10,691	・・・・・誤動作防止に特徴のあるもの	H01L 27/108,691	2017年4月
H01L 27/14@A	プレナ固体撮像素子〔ＭＯＳ型，ＦＥＴ型，ＳＩＴ型，ＣＰＤ型等〕〔下位分類に含まれないもの：主として、ＸＹアドレスにより情報を読み出すもの〕	H01L 27/146@A	2017年4月
H01L 27/14@B	・ＣＣＤ型〔ＦＴ方式，ＩＬ方式，ＬＡ方式，ＣＳ方式，クロスゲート方式，一次元用等〕	H01L 27/148@B	2017年4月
H01L 27/14@C	薄膜固体撮像素子	H01L 27/146@C	2017年4月
H01L 27/14@D	パッケージ，フィルタ，チップ，表面層	H01L 27/146@D	2017年4月
H01L 27/14@E	・・光導電層積層型	H01L 27/146@E	2017年4月
H01L 27/14@F	・ハイブリッド固体撮像素子	H01L 27/146@F	2017年4月
H01L 27/14@G	・ＣＩＤ型〔電荷注入デバイス〕	H01L 27/146@G	2017年4月
H01L 27/14@H	・・ＴＤＩ型〔時間遅延積分型〕	H01L 27/148@H	2017年4月
H01L 27/14@J	・光通信用受光素子	H01L 27/144@J	2017年4月
H01L 27/14@K	特殊用途用固体撮像素子，特定用途用受光素子	H01L 27/144@K	2017年4月
H01L 27/14@Z	その他のもの〔試験，測定，評価等〕	H01L 27/144@Z	2017年4月
H01L 29/28,500	・・・・集積化，集積回路に特徴［１００～４００より優先］	H01L 27/28	2017年4月
H01L 33/00,100	・半導体素子本体に特徴のあるもの	H01L 33/02	2016年4月
H01L 33/00,110	・・量子効果を奏する構造または超格子を有するもの，例．トンネル接合	H01L 33/04	2016年4月
H01L 33/00,112	・・・発光領域内にあるもの，例．量子閉じ込め構造，トンネル障壁	H01L 33/06	2016年4月
H01L 33/00,120	・・複数の発光領域を有するもの，例．横方向に不連続な発光層，フォトルミネセント領域が半導体素子本体に集積化されているもの（Ｈ０１Ｌ２７／１５が優先）	H01L 33/08	2016年4月
H01L 33/00,130	・・反射構造を有するもの，例．半導体ブラッグ反射鏡	H01L 33/10	2016年4月
H01L 33/00,140	・・応力緩和構造を有するもの，例．バッファ層	H01L 33/12	2016年4月
H01L 33/00,150	・・電流制御構造を有するもの，例．高濃度ドープ半導体層，電流ブロック構造	H01L 33/14	2016年4月
H01L 33/00,160	・・特定の結晶構造や結晶方位を有するもの，例．多結晶，アモルファス，ポーラス	H01L 33/16	2016年4月
H01L 33/00,162	・・・発光領域内にあるもの［注．このサブグループに分類を付与した場合には，発光領域の化学組成を特定するために，Ｈ０１Ｌ３３／００，１８０－Ｈ０１Ｌ３３／００，１８８のいずれかにも分類を付与する。］	H01L 33/18	2016年4月
H01L 33/00,170	・・特定の形状を有するもの，例．湾曲または面取りされた基板	H01L 33/20	2016年4月
H01L 33/00,172	・・・粗面，凹凸面，例．エピタキシャル層の界面にあるもの	H01L 33/22	2016年4月
H01L 33/00,174	・・・発光領域にあるもの，例．非プレーナー接合	H01L 33/24	2016年4月
H01L 33/00,180	・・発光領域の材料	H01L 33/26	2016年4月
H01L 33/00,182	・・・ＩＩ族およびＶＩ族元素のみを有するもの	H01L 33/28	2016年4月
H01L 33/00,184	・・・ＩＩＩ族およびＶ族元素のみを有するもの	H01L 33/30	2016年4月
H01L 33/00,186	・・・・窒素を含むもの	H01L 33/32	2016年4月
H01L 33/00,188	・・・ＩＶ族元素のみを有するもの	H01L 33/34	2016年4月
H01L 33/00,200	・電極に特徴があるもの	H01L 33/36	2016年4月
H01L 33/00,210	・・特定の形状	H01L 33/38	2016年4月
H01L 33/00,220	・・材料	H01L 33/40	2016年4月
H01L 33/00,222	・・・透明材料	H01L 33/42	2016年4月
H01L 33/00,300	・コーティングに特徴があるもの，例．パシベーション層，反射防止コーティング	H01L 33/44	2016年4月
H01L 33/00,310	・・反射コーティング，例．誘電体ブラッグ反射鏡	H01L 33/46	2016年4月
H01L 33/00,400	・半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの［注．このグループは，半導体素子本体に接触する要素または，パッケージに集積化された要素を含む。］	H01L 33/48	2016年4月
H01L 33/00,410	・・波長変換要素	H01L 33/50	2016年4月
H01L 33/00,420	・・封止	H01L 33/52	2016年4月
H01L 33/00,422	・・・特定の形状を有するもの	H01L 33/54	2016年4月
H01L 33/00,424	・・・材料，例．エポキシ樹脂，シリコン樹脂	H01L 33/56	2016年4月
H01L 33/00,430	・・光の形状を形成する要素	H01L 33/58	2016年4月
H01L 33/00,432	・・・反射要素	H01L 33/60	2016年4月
H01L 33/00,440	・・半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品，例．リードフレーム，ワイヤボンド，ハンダ	H01L 33/62	2016年4月
H01L 33/00,450	・・放熱または冷却要素	H01L 33/64	2016年4月
H01L 31/04@A	単・多結晶光起電力装置〔ＩＶ族（Ｓｉ，Ｇｅ）が多い。〕	H01L 31/06	2014年4月
H01L 31/04@B	アモルファス太陽電池	H01L 31/06	2014年4月
H01L 31/04@C	・集積型単・多結晶光起電力装置〔モジュールはここに分類〕	H01L 31/04,570	2014年4月
H01L 31/04@D	有機半導体光起電力装置	H01L 31/04,100	2014年4月
H01L 31/04@E	化合物半導体光起電力装置	H01L 31/06	2014年4月
H01L 31/04@F	反射防止膜・表面保護膜・裏面反射膜	H01L 31/04	2014年4月
H01L 31/04@G	レンズ・反射鏡・フィルター	H01L 31/04,620	2014年4月
H01L 31/04@H	・単・多結晶光起電力装置の電極，基板	H01L 31/04	2014年4月
H01L 31/04@K	太陽電池電源回路・試験装置	H01L 31/04	2014年4月
H01L 31/04@L	・単・多結晶光起電力装置の接合構造〔ショットキ，ＭＩＳ　　など〕	H01L 31/06	2014年4月
H01L 31/04@M	・アモルファス太陽電池の電極・基板	H01L 31/04	2014年4月
H01L 31/04@N	・アモルファス太陽電池の接合構造〔ショットキ，ＭＩＳ　　など〕	H01L 31/06	2014年4月
H01L 31/04@P	太陽電池時計	H01L 31/04,500	2014年4月
H01L 31/04@Q	太陽電池の応用	H01L 31/04,500	2014年4月
H01L 31/04@R	太陽電池による発電装置・パドル	H01L 31/04,500	2014年4月
H01L 31/04@S	・集積型アモルファス太陽電池〔モジュールはここに分類。〕	H01L 31/04,530	2014年4月
H01L 31/04@T	・膜の連続処理装置〔ほとんどがアモルファスだが、もしあれば単・多結晶のものもこれを付与〕	H01L 31/04,424	2014年4月
H01L 31/04@V	アモルファス膜（Ｓｉ，Ｇｅ）の製法	H01L 31/04	2014年4月
H01L 31/04@W	・積層型アモルファス太陽電池〔タンデム型はここに分類〕	H01L 31/06	2014年4月
H01L 31/04@X	単・多結晶膜（Ｓｉ，Ｇｅ）の製法	H01L 31/04	2014年4月
H01L 31/04@Y	・積層型単・多結晶光起電力装置〔タンデム型はここに分類。〕	H01L 31/06	2014年4月
H01L 31/04@Z	その他〔電解質利用太陽電池，ｅｔｃ〕	H01L 31/04	2014年4月
H01L 41/22@A	無機圧電材料の製造方法	H01L 41/22	2013年5月
H01L 41/22@B	無機圧電材料の分極方法	H01L 41/22	2013年5月
H01L 41/22@C	有機，有機＋無機圧電材料の製造，分極方法	H01L 41/22	2013年5月
H01L 41/22@Z	その他のもの	H01L 41/22	2013年5月
H01L 21/208@B	・・板状での引上げ	H01L 21/208@Z	2002年7月
H01L 21/208@M	・帯域溶融法	H01L 21/208@Z	2002年7月
H01L 21/208@P	・引上げ法	H01L 21/208@Z	2002年7月
H01L 21/208@T	単結晶のインゴットの製造	H01L 21/208@Z	2002年7月
H01L 21/28,301@C	・コンタクト孔周辺のみに用いているもの	H01L 21/28,301@A	2002年7月
H01L 21/28,301@E	・選択酸化法を用いているもの	H01L 21/28,301@A	2002年7月
H01L 21/28,301@F	・半導体本体が４‐４化合物であるもの	H01L 21/28,301@B	2002年7月
H01L 21/28,301@G	・・金を用いているもの	H01L 21/28,301@B	2002年7月
H01L 21/28,301@H	・半導体本体が３‐５化合物であるもの	H01L 21/28,301@B	2002年7月
H01L 21/28,301@L	アルミニウムを用いているもの	H01L 21/28,301@R	2002年7月
H01L 21/28,301@M	・シリコン含有アルミニウムを用いているもの	H01L 21/28,301@R	2002年7月
H01L 21/28,301@T	・高融点シリサイドを用いているもの	H01L 21/28,301@S	2002年7月
H01L 21/28@F	・ドライエッチング法によるもの	H01L 21/28@E	2002年7月
H01L 21/28@G	・リフトオフ法によるもの	H01L 21/28@E	2002年7月
H01L 21/28@H	物理的な除去法によるもの	H01L 21/28@E	2002年7月
H01L 21/28@J	部分的酸化法によるもの	H01L 21/28@K	2002年7月
H01L 21/28@M	・孔開される絶縁層の材料が限定されているもの	H01L 21/28@L	2002年7月
H01L 21/28@U	・テーパ状孔の形成に関するもの	H01L 21/28@L	2002年7月
H01L 21/28@V	・・テーパ状孔の形成に関するもの	H01L 21/28@L	2002年7月
H01L 21/283@A	導電ペースト法によるもの	H01L 21/288@Z	2002年7月
H01L 21/283@D	・選択的絶縁膜の形成に関するもの	H01L 21/283@B	2002年7月
H01L 21/283@E	・・半導体本体がシリコン以外のもの	H01L 21/283@C	2002年7月
H01L 21/283@G	・・ガラス層が存在するもの	H01L 21/283@C	2002年7月
H01L 21/283@L	・・電極の下におけるもの	H01L 21/283@B	2002年7月
H01L 21/283@N	・・窒化シリコン層が存在するもの	H01L 21/283@C	2002年7月
H01L 21/283@P	・・有機物層が存在するもの	H01L 21/283@C	2002年7月
H01L 21/283@S	・・シリコン層が存在するもの	H01L 21/283@C	2002年7月
H01L 21/283@W	・・電極の上におけるもの	H01L 21/283@B	2002年7月
H01L 21/285,301@L	アルミニウムを用いているもの	H01L 21/285,301	2002年7月
H01L 21/285,301@M	・シリコン含有アルミニウムを用いているもの	H01L 21/285,301	2002年7月
H01L 21/285,301@R	高融点金属を用いているもの	H01L 21/285,301	2002年7月
H01L 21/285,301@S	シリサイドを用いているもの	H01L 21/285,301	2002年7月
H01L 21/285,301@T	・高融点金属シリサイドを用いているもの	H01L 21/285,301	2002年7月
H01L 21/285,301@Z	その他	H01L 21/285,301	2002年7月
H01L 21/285@B	・ビームを用いたもの	H01L 21/285@P	2002年7月
H01L 21/285@M	マスク蒸着法	H01L 21/285@P	2002年7月
H01L 21/288@N	・ニッケルを用いているもの	H01L 21/288@M	2002年7月
H01L 21/302@A	プラズマ・イオンエッチング〔装置の操作方法（ガスの切替，圧力調整，シュミレーション等），Ｂ～Ｐに含まれないもの〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@B	・ドライエッチング装置〔Ｃ，Ｄに含まれない装置（バレル，ＥＣＲ，ＣＤＥ型等），すべての装置に共通的な事項（搬送，排気，真空系等）〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@C	・・平行平板型ドライエッチング装置〔平行平板（容量型）電極を有する装置（ＲＩＥ，反応性イオンエッチング），スパッタ作用を利用する装置〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@D	・・イオンビーム型ドライエッチング装置〔イオンをビーム状に集束させて用いる装置	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@E	・終点検知・モニタリング〔エッチングの終点検知，プラズマのモニタリングに関するもの（分光分析，質量検知，検知波形の処理法法）〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@F	・エッチングガスに特徴のあるもの〔ガスの組成〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@G	・Ａｌ・Ａｌ化合物の処理〔Ａｌ，ＡｌＳｉ，Ａｌ↓２Ｏ↓３等（ＧａＡｌＡｓは含まない）をエッチングすることに関するもの（装置，処理法法，ガス全て含む）〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@H	・フォトレジストの処理〔有機，高分子材料の処理（フォトレジストのアッシング，ポリイミドのパターン化，レジストの耐性向上，多層レジストを用いたパターン作成方法等）〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@J	・微細加工のための特殊な方法〔（セルフアライン，反転パターンの利用，サイドウォールの利用，斜め方向からの処理，ダミーパターンの利用等）〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@K	・・リフトオフ〔リフトオフを利用したパターン形成法（平坦化を目的としたリフトオフは，Ｌ）〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@L	・平坦化，段差上部の処理〔段差部のパターン形成（トリレベル方式），表面の平坦化（リフトオフ，エッチバック），Ｍに含まれない平坦化，テーパ化〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@M	・・コンタクトホールのテーパ化〔平坦化，テーパ化がコンタクトホール部の角部の丸め方に関係しているもの〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@N	・前処理・後処理〔装置の洗淨，エッチング前の基板へのイオン注入，電子ビーム照射等，エッチング後の損傷の回復，基板面の清浄化，粗面化等〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@P	化学的気相エッチング〔プラズマ状態でなく通常のガス状態（加熱，冷却等を含む）で処理するもの〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 21/302@Z	その他のもの〔Ａ～Ｐに含まれないもの，光（レーザ・電子ビーム等）を照射しながらエッチングする方法及び装置〕	H01L 21/302,400	2002年7月
H01L 29/40@A	薄膜素子の電極	H01L 29/40	2002年7月
H01L 29/40@Z	その他のもの	H01L 29/40	2002年7月
H01L 29/44@A	針状のもの	H01L 29/44@S	2002年7月
H01L 29/44@B	基板表面の領域以外への電極	H01L 29/44@L	2002年7月
H01L 29/44@C	基板表面の凹部に電極を形成したもの	H01L 29/44@L	2002年7月
H01L 29/44@D	孔の形状・配置	H01L 29/44@L	2002年7月
H01L 29/44@E	フィールドプレート構造	H01L 29/44@Y	2002年7月
H01L 29/44@F	電極の平面形状	H01L 29/44@P	2002年7月
H01L 29/44@G	エミッタメサの電極	H01L 29/44@Z	2002年7月
H01L 29/46@A	シリコンを用いているもの	H01L 21/28,301@A	2002年7月
H01L 29/46@B	半導体本体がシリコン以外のもの	H01L 21/28,301@B	2002年7月
H01L 29/46@C	・コンタクト孔周辺のみに用いているもの	H01L 21/28,301@A	2002年7月
H01L 29/46@D	・シリコン電極上にシリサイドが形成されているもの	H01L 21/28,301@D	2002年7月
H01L 29/46@F	・半導体本体が４‐４化合物であるもの	H01L 21/28,301@B	2002年7月
H01L 29/46@G	・・金を用いているもの	H01L 21/28,301@B	2002年7月
H01L 29/46@H	・半導体本体が３‐５化合物であるもの	H01L 21/28,301@B	2002年7月
H01L 29/46@L	アルミニウムを用いているもの	H01L 21/28,301@R	2002年7月
H01L 29/46@M	・シリコン含有アルミニウムを用いているもの	H01L 21/28,301@R	2002年7月
H01L 29/46@R	高融点金属を用いているもの	H01L 21/28,301@R	2002年7月
H01L 29/46@S	シリサイドを用いているもの	H01L 21/28,301@S	2002年7月
H01L 29/46@T	・高融点金属シリサイドを用いているもの	H01L 21/28,301@S	2002年7月
H01L 29/46@Z	その他のもの	H01L 21/28,301@Z	2002年7月
H01L 29/48@G	・逆導電型のガードリングを用いているもの	H01L 29/48@E	2002年7月
H01L 29/48@H	・半導体本体が３‐５化合物であるもの	H01L 29/48@D	2002年7月
H01L 29/48@N	半導体本体が非単結晶からなるもの	H01L 29/48@D	2002年7月
H01L 29/48@S	・シリコンを含む金属を用いているもの	H01L 29/48@M	2002年7月
H01L 29/50@S	集積回路用のもの	H01L 29/50@Z	2002年7月
H01L 29/50@T	サイリスタ用のもの	H01L 29/50@Z	2002年7月
H01L 29/50@U	ユニポーラトランジスタ用のもの	H01L 29/50@M	2002年7月
H01L 29/62@G	ＭＩＳゲート用のもの	H01L 29/58@G	2002年7月
H01L 29/62@Z	その他のもの	H01L 29/58@Z	2002年7月
H01L 33/00@A	本体に特徴のあるもの〔ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，４族（Ｓｉ，Ｇｅ）等〕	H01L 33/00,100	2009年05月
H01L 33/00@B	・ＧａＰ系〔ＧａＡｓＰ系，ＩｎＧａＰ系も含む〕	H01L 33/00,184	2009年05月
H01L 33/00@C	・ＧａＮ系〔ＡｌＧａＮ系も含む〕	H01L 33/00,186	2009年05月
H01L 33/00@D	・２－６族系〔ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＴｅ等〕	H01L 33/00,182	2009年05月
H01L 33/00@E	・電極に特徴のあるもの〔電極の形状・材料に特徴〕	H01L 33/00,200	2009年05月
H01L 33/00@F	・多色発光デバイス	H01L 33/00,100	2009年05月
H01L 33/00@M	光学的素子〔ファイバー，レンズ等〕との結合	H01L 33/00,400	2009年05月
H01L 33/00@N	マウント，パッケージ，実装	H01L 33/00,400	2009年05月
H01L101:00	Ａ↓ＩＩＩ－Ｂ↓Ｖ族化合物半導体集積回路［５］	H01L 27/00	2005年12月

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更新

FI	変更後	変更前	更新時期
H01L 21/46	・・・・Ｈ０１Ｌ２１／３６～Ｈ０１Ｌ２１／４２８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理（半導体本体上への電極の製造Ｈ０１Ｌ２１／４４，Ｈ１０Ｄ６４／０１）［２］	・・・・２１／３６～２１／４２８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理（半導体本体上への電極の製造２１／４４）	2025年1月
H01L 21/48	・・・装置の組立に先立つ，部品，例．容器，の製造または処理であって，サブグループＨ０１Ｌ２１／１８－Ｈ０１Ｌ２１／３２６またはＨ１０Ｄ４８／０４～Ｈ１０Ｄ４８／０７の一つに分類されない方法を用いるもの［２］	・・・装置の組立に先立つ，部品，例．容器，の製造または処理であって，サブグループ２１／０６～２１／３２６の一つに分類されない方法を用いるもの（容器，封緘，充填，マウントそれ自体２３／００）	2025年1月
H01L 21/50	・・・サブグループＨ０１Ｌ２１／１８－Ｈ０１Ｌ２１／３２６またはＨ１０Ｄ４８／０４～Ｈ１０Ｄ４８／０７の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立［２］	・・・サブグループ２１／０６～２１／３２６の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立	2025年1月
H01L 21/64	・半導体装置以外の固体装置またはその部品の製造または処理であって，グループＨ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００またはサブクラスＨ１０Ｆ，Ｈ１０Ｈ，Ｈ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎに分類されている一つの型の装置に特に適していないもの［２００６．０１］	・半導体装置以外の固体装置またはその部品の製造または処理であって，グループＨ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００またはサブクラスＨ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎに分類されている一つの型の装置に特に適していないもの［２００６．０１］	2025年1月
H01L 25/00	複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ１０Ｄ８９／００；光起電モジュールまたは光起電素子のアレイＨ１０Ｆ１９／００）［２００６．０１］	複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体，例．ソーラ・パネル（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；ソーラ・セルまたはソーラ・パネルを用いる発電装置Ｈ０２Ｎ６／００；他のサブクラスに分類される完全回路組立体の細部，例．テレビジョン受信機の細部，は関連するサブクラス，例．Ｈ０４Ｎ，を参照；電気部品の組立体の細部一般Ｈ０５Ｋ）［２］	2025年1月
H01L 25/16	・装置がサブクラスＨ１０Ｂ，Ｈ１０Ｄ，Ｈ１０Ｆ，Ｈ１０Ｈ，Ｈ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎの，２つ以上の異なるメイングループに分類される型からなるもの，例．ハイブリッド回路の形成［２０２３．０１］	・装置がグループＨ０１Ｌ２７／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，またはサブクラスＨ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎの，２つ以上の異なるメイングループに分類される型からなるもの，例．ハイブリッド回路の形成［２０２３．０１］	2025年1月
H01L 21/04	・・電位障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置［２００６．０１］	・・少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置	2023年10月
H01L 21/18	・・・不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置［２００６．０１］	・・・不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない，周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓ＩＩＩＢ↓Ｖ化合物からなる半導体本体を有する装置［２］	2023年10月
H01L 21/62	・・電位障壁を有しない装置［２００６．０１］	・・電位障壁または表面障壁をもたない装置	2023年10月
H01L 23/28	・封緘，例．封緘層，被覆（Ｈ０１Ｌ２３／５５２が優先）［２００６．０１］	・封緘	2023年10月
H01L 27/02	・整流，発振，増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり，電位障壁を有するもの；電位障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの［２００６．０１］	・整流，発振，増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの［２］	2023年10月
H01L 27/15	・電位障壁を有し，光放出に特に適用される半導体構成部品を含むもの［２００６．０１］	・少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有し，光放出に特に適用される半導体構成部品を含むもの［２］	2023年10月
H01L 29/00	整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，電位障壁を有するもの；電位障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（Ｈ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ１０／００，Ｈ１０Ｎが優先；半導体本体または電極以外の細部Ｈ０１Ｌ２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００［２００６．０１］	整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（Ｈ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ１０／００，Ｈ１０Ｎが優先；半導体本体または電極以外の細部Ｈ０１Ｌ２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００［２００６．０１］	2023年10月
H01L 29/16	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，非結合型周期表の第ＩＶ族の元素のみを含むもの［２００６．０１］	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，非結合型周期律表の第ＩＶ族元素のみを含むもの［２］	2023年10月
H01L 29/92	・・・電位障壁を有するコンデンサ［２００６．０１］	・・・電位障壁または表面障壁を有するコンデンサー	2023年10月
H01L 31/06	・・電位障壁に特徴のあるもの［２０１２．０１］	・・少くとも１つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの	2023年10月
H01L 31/10	・・電位障壁に特徴のあるもの，例．フォトトランジスタ［２００６．０１］	・・少くとも１つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの，例．フォトトランジスタ	2023年10月
H01L 33/00	光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ１０Ｋ５０／００が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２０１０．０１］	光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ１０Ｋ５０／００が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２０１０．０１］	2023年10月
H01L 21/64	・半導体装置以外の固体装置またはその部品の製造または処理であって，グループＨ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００またはサブクラスＨ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎに分類されている一つの型の装置に特に適していないもの［２００６．０１］	・半導体装置以外の固体装置またはその部品の製造または処理であって，グループ３１／００～４９／００に分類されている一つの装置に特有でないもの	2022年11月
H01L 25/02	・装置の全てがグループＨ０１Ｌ２７／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，またはサブクラスＨ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎの，同一のメイングループに分類される型からなるもの，例．整流器の組立体	・装置が全て２７／００から４９／００の同一のメイングループに分類される型式のものからなるもの，例．整流器またはソーラ・セルの組立体	2022年11月
H01L 25/16	・装置がグループＨ０１Ｌ２７／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，またはサブクラスＨ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎの，２つ以上の異なるメイングループに分類される型からなるもの，例．ハイブリッド回路の形成［２０２３．０１］	・装置が２７／００～４９／００の２つ以上の異なるメイングループに分類されているものからなるもの	2022年11月
H01L 27/00	１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置（その細部Ｈ０１Ｌ２３／００，Ｈ０１Ｌ２９／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎ；複数の個々の固体装置からなる組立体Ｈ０１Ｌ２５／００）［２００６．０１］	１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置（その細部Ｈ０１Ｌ２３／００，Ｈ０１Ｌ２９／００～Ｈ０１Ｌ５１／００；複数の個々の固体装置からなる組立体Ｈ０１Ｌ２５／００）［２，８］	2022年11月
H01L 29/00	整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（Ｈ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ１０／００，Ｈ１０Ｎが優先；半導体本体または電極以外の細部Ｈ０１Ｌ２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００［２００６．０１］	整流，増幅，発振またはスイッチングに適用される半導体装置，または少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（３１／００～４７／００が優先；それらの装置またはその部品の製造または処理に適用される方法または装置２１／００；半導体本体または電極以外の細部２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；抵抗一般Ｈ０１Ｃ；コンデンサー一般Ｈ０１Ｇ）［２］	2022年11月
H01L 31/00	赤外線，可視光，短波長の電磁波，または粒子線輻射に感応する半導体装置で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの細部（Ｈ１０Ｋ３０／００が優先；１つ以上の電気光源を有する輻射線感応構成部品の組合せ以外で，１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品から成る装置Ｈ０１Ｌ２７／００）	赤外線，可視光，短波長電磁波または粒子線輻射に感応する半導体装置で，これらの輻射線のエネルギーを電気エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気エネルギーを制御するかのどちらかに応用されるもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特有な方法または装置；それらの装置の細部（１つ以上の電気光源を有する輻射線感応部品の組合せ以外で，１つの共通基板内または基板上に形成された複数の固体構成部品から成る装置２７／００；エネルギー収集装置の屋根をおゝう態様Ｅ０４Ｄ１３／１８；太陽熱を用いる熱の生成Ｆ２４Ｊ２／００；半導体検出器によるＸ線，ガンマ線，粒子線または宇宙線の測定Ｇ０１Ｔ１／２４，抵抗値検出器によるものＧ０１Ｔ１／２６，半導体検出器による中性子線の測定Ｇ０１Ｔ３／０８，光学－電気素子によるライトガイドの結合Ｇ０２Ｂ６／４２，放射線源からのエネルギーの取得Ｇ２１Ｈ）	2022年11月
H01L 33/00	光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ１０Ｋ５０／００が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２０１０．０１］	光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ０１Ｌ５１／５０が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２，８，２０１０．０１］	2022年11月
H01L 27/00	１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置（その細部Ｈ０１Ｌ２３／００，Ｈ０１Ｌ２９／００～Ｈ０１Ｌ５１／００；複数の個々の固体装置からなる組立体Ｈ０１Ｌ２５／００）［２，８］	１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置（それらの装置またはその部品の製造または処理に適用される方法または装置２１／７０，３１／００～４９／００；その細部２３／００，２９／００～４９／００；複数の個々の固体装置からなる組立体２５／００；電気部品の組立体一般Ｈ０５Ｋ）［２］	2017年4月
H01L 27/00,301@A	素子配置に特徴のある積層型	積層型〔素子配置に特徴のあるもの〕	2017年4月
H01L 27/00,301@H	・放熱構造；シールド構造	・放熱・シールド構造	2017年4月
H01L 27/00,301@P	・ポリアモルファス積層型	・ポリ・アモルファス積層型	2017年4月
H01L 27/01	・１つの共通絶縁基板上に形成された薄膜または厚膜受動素子のみからなるもの［３］	・１つの共通絶縁基板上に形成された薄膜または厚膜受動素子のみからなるもの	2017年4月
H01L 27/01,321	・・厚膜トリミング；薄膜トリミング	・・厚膜・薄膜トリミング	2017年4月
H01L 27/02	・整流，発振，増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの［２］	・整流，増幅，発振またはスイッチングに使用される半導体構成部品を含むものまたは少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの［２］	2017年4月
H01L 27/04@A	基板上の素子配置	基板上の素子配置・レイアウト	2017年4月
H01L 27/04@D	配線	配線〔電源，基板アース〕	2017年4月
H01L 27/04@E	端子の機能または配置	端子，電極の機能・配置	2017年4月
H01L 27/04@F	機能；動作	機能・動作	2017年4月
H01L 27/04@G	基板バイアス発生；昇圧	基板バイアス発生，昇圧	2017年4月
H01L 27/04@L	誘導素子；インダクタンス発生回路	誘導素子，インダクタンス発生回路	2017年4月
H01L 27/04@T	テスト回路；検査回路	テスト・検査回路	2017年4月
H01L 27/04@U	機能ブロック組合せ，例．システムＬＳＩ	機能ブロック組合せ〔システムＬＳＩ〕	2017年4月
H01L 27/04@V	可変インピーダンス；トリミング	可変インピーダンス，トリミング	2017年4月
H01L 27/06	・・・複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの［２］	・・・複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの	2017年4月
H01L 27/06,101@B	バイポーラトランジスタからなるもの	Ｂｉｐ　ＩＣｓ	2017年4月
H01L 27/06,101@D	バイポーラトランジスタと誘導素子，容量，抵抗またはダイオードからなるもの	Ｂｉｐ＋〔Ｌ，Ｃ，Ｒ　ｏｒ　Ｄ〕	2017年4月
H01L 27/06,101@P	保護回路	Ｃｉｒｃｕｉｔｓ　ｆｏｒ　ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ	2017年4月
H01L 27/06,101@S	バイポーラトランジスタとＳＩＴからなる論理回路	ＳＩＴＬ	2017年4月
H01L 27/06,101@U	バイポーラトランジスタとユニポーラトランジスタからなるもの	Ｂｉｐ＋Ｕｎｉｐ	2017年4月
H01L 27/06,102@A	ＭＯＳと，受動素子またはダイオードを集積したもの	全体に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/06,311@A	抵抗を用いて保護したもの；コンタクト部に特徴のあるもの	抵抗を用いて保護したもの，コンタクト部に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/06,311@C	バイポーラを含むＭＯＳ構造を用いて保護したもの	ＭＯＳ構造［バイポーラを含む］を用いて保護したもの	2017年4月
H01L 27/06,321	・・・・バイＭＯＳを主体とする集積回路	・・・・バイ・ＭＯＳを主体とする集積回路	2017年4月
H01L 27/06,321@B	バイポーラトランジスタの構成に特徴のあるもの	バイポーラ・トランジスタの構成に特徴のあるもの	2017年4月
H01L 27/06,321@E	基板；ウェル；埋込み層	基板，ウェル，埋込み層	2017年4月
H01L 27/06,321@F	コンタクト；電極；配線	コンタクト，電極，配線	2017年4月
H01L 27/06,321@H	・バイＭＯＳ複合機能素子	・バイ・ＭＯＳ複合機能素子	2017年4月
H01L 27/06,321@J	・特定用途用，例．論理回路またはメモリ	・特定用途用〔論理回路，ゲートアレイ，メモリ等〕	2017年4月
H01L 27/06@F	ＭＯＳを除くＦＥＴを主体とする集積回路	ＦＥＴ〔ＭＯＳを除く〕を主体とする集積回路	2017年4月
H01L 27/06@T	サイリスタを主体とする集積回路	Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒを主体とする集積回路	2017年4月
H01L 27/08	・・・１種類の半導体構成部品だけを含むもの［２］	・・・１種類の半導体構成部品だけを含むもの	2017年4月
H01L 27/10	・・・複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの［２］	・・・複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの	2017年4月
H01L 27/10,311	・・・・バイポーラ，ＭＯＳ以外のダイナミックランダムアクセスメモリ構造	・・・・ダイナミックメモリ〔１ＭＯＳトランジスタ－１キャパシタ型ＤＲＡＭを除く〕	2017年4月
H01L 27/10,341	・・・・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ	・・・・・接合型・ＳＩＴトランジスタメモリ	2017年4月
H01L 27/10,371	・・・・バイポーラ，ＭＯＳ以外のスタティックランダムアクセスメモリ構造	・・・・スタティックメモリ	2017年4月
H01L 27/10,401	・・・・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ	・・・・・接合型・ＳＩＴトランジスタメモリ	2017年4月
H01L 27/10,421	・・・・バイポーラ，ＭＯＳ以外の不揮発性メモリ	・・・・不揮発性メモリ〔識別記号，４３１～４４８のいずれにも分類できない不揮発生メモリ〕	2017年4月
H01L 27/10,431	・・・・・読出し専用メモリ，例．ヒューズ型またはアンチヒューズ型のＲＯＭ	・・・・・読出し専用メモリ〔例．ヒューズ型又はアンチヒューズ型の，ＲＯＭ〕	2017年4月
H01L 27/10,437	・・・・・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ	・・・・・・接合型・ＳＩＴトランジスタメモリ	2017年4月
H01L 27/12@C	接続；配線	接続・配線	2017年4月
H01L 27/12@E	エピタキシャル型；インプラ絶縁膜形成	エピタキシャル型・インプラ絶縁膜形成	2017年4月
H01L 27/12@F	素子分離；領域分離	素子分離・領域分離	2017年4月
H01L 27/12@G	半絶縁型，例．ＧａＡｓ	半絶縁型（ＧａＡｓなど）	2017年4月
H01L 27/12@P	多結晶能動層；アモルファス層	多結晶能動層・アモルファス層	2017年4月
H01L 27/12@Q	超格子	超格子・他	2017年4月
H01L 27/12@S	ＳＯＳ	ＳＯＳ，サファイア基板	2017年4月
H01L 27/12@T	テスト；検査	テスト・検査	2017年4月
H01L 27/14	・赤外線，可視光，短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの（構造的に１つまたはそれ以上の電気光源のみに関連する輻射線感応構成部品Ｈ０１Ｌ３１／１４；光電気素子と光ガイドとの結合Ｇ０２Ｂ６／４２）［２］	・赤外線，可視光，短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換したりこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するのに適用されるもの（構造的に１つまたはそれ以上の電気光源のみに関連する輻射線感応構成部品３１／１４；光電気素子と光ガイドとの結合Ｇ０２Ｂ６／４２）［２］	2017年4月
H01L 27/15	・少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有し，光放出に特に適用される半導体構成部品を含むもの［２］	・少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有し光放出に適用される半導体構成部品を含むもの［２］	2017年4月
H01L 27/15@B	・駆動素子または光変調素子との集積	・駆動素子・光変調素子との集積	2017年4月
H01L 27/15@C	・放出光の導波手段，例．光導波路または光スイッチング素子，との集積	・放出光の導波手段（光導波路、光スイッチング素子等）との集積	2017年4月
H01L 27/15@H	ハイブリッド装置；実装	ハイブリッド装置、実装	2017年4月
H01L 27/15@Z	その他のもの	その他のもの（モノリシックＬＥＤアレイ等）	2017年4月
H01L 27/16	・異種材料の接合を有する熱電構成部品またはそれを有しない熱電構成部品を含むもの；熱磁気構成部品を含むもの（ペルチェ効果を半導体または他の固体装置の冷却のみに利用するものＨ０１Ｌ２３／３８）［２］	・異種材料の接合を有する熱電構成部品またはそれを有しない熱電構成部品を含むもの；熱磁気構成部品を含むもの（ペルチェ効果を半導体または他の固体装置の冷却のみに利用するもの２３／３８）［２］	2017年4月
H01L 27/18	・超電導を示す構成部品を含むもの［２］	・超電導を示す構成部品を含むもの	2017年4月
H01L 27/20	・圧電構成部品を含むもの；電歪構成部品を含むもの；磁歪構成部品を含むもの［２，７］	・圧電構成部品を含むもの；電歪構成部品を含むもの；磁歪構成部品を含むもの；電気―機械トランスデューサとして適用される半導体構成部品を含むもの（電気通信に適用される電気―機械変換器Ｈ０４Ｒ）［２］	2017年4月
H01L 27/22	・電流磁気効果，例．ホール効果，を利用した構成部品を含むもの；同様な磁界効果を利用するもの［２］	・電流磁気効果，例．ホール効果，を利用した構成部品を含むもの；同様な磁界効果を利用するもの	2017年4月
H01L 27/24	・整流，増幅，スイッチングをする固体構成部品で，電位障壁または表面障壁を有しないものを含む。［２］	・整流，増幅，スイッチングをする固体構成部品で，電位障壁または表面障壁を有しないものを含む。	2017年4月
H01L 27/26	・バルク負性抵抗効果構成部品を含むもの［２］	・バルク負性抵抗効果構成部品を含むもの	2017年4月
H01L 31/08@F	光導電材料〔Ｓｉ，Ｇｅ〕	光導電材料〔Ｓｉ，　　Ｇｅ〕	2014年4月
H01L 31/08@G	・光導電材料の製法〔Ｓｉ，Ｇｅ〕	・光導電材料の製法〔Ｓｉ，　　Ｇｅ〕	2014年4月
H01L 31/08@H	・光導電装置〔Ｓｉ，ＧｅでＰＮ接合のないもの〕〔アモルファスＳｉを用いた光導電装置〕	・光導電装置〔Ｓｉ，　　ＧｅでＰＮ接合のないもの〕〔アモルファスＳｉを用いた光導電装置〕	2014年4月
H01L 31/08@J	・光導電材料の製造装置〔Ｓｉ，Ｇｅ〕	・光導電材料の製造装置〔Ｓｉ，　　Ｇｅ〕	2014年4月
H01L 31/08@K	化合物光導電材料とその製法〔ＧａＡｓ，ＣｄＳなど〕	化合物光導電材料とその製法〔ＧａＡｓ，　　ＣｄＳなど〕	2014年4月
H01L 31/08@L	・化合物光導電装置〔ＧａＡｓ，ＣｄＳなど〕	・化合物光導電装置〔ＧａＡｓ，　　ＣｄＳなど〕	2014年4月
H01L 31/08@N	化合物光導電材料，製法，装置〔ＨｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ），ＩｎＳｂなど赤外線検知用〕	化合物光導電材料，製法，装置〔ＨｇＣｄＴｅ　　（ＭＣＴ），　　ＩｎＳｂ　　など赤外線検知用〕	2014年4月
H01L 31/08@R	撮像管用ターゲット〔Ｓｉ，Ｇｅ〕	撮像管用ターゲット〔Ｓｉ，　　Ｇｅ〕	2014年4月
H01L 25/00@A	複数の半導体素子を搭載した基板の組合せ，例．マイクロモジュール「図」「図」	複数の半導体素子を搭載した基板の組合せ〔マイクロモジユ－ル〕「図」「図」	2013年11月
H01L 25/00@B	１つの半導体と他の固体装置からなる組立体，例．Ｌ，Ｃ，Ｒと半導体との組み合せ「図」	１つの半導体と他の固体装置からなる組立体〔Ｌ，Ｃ，Ｒと半導体の組み合せ等〕「図」	2013年11月
H01L 25/00@Z	その他のもの，例．Ｌ，Ｃ，Ｒの組立体	その他のもの〔電子時計や，Ｌ・Ｃ・Ｒの組立体など〕	2013年11月
H01L 25/04@A	ダイオード組立体「図」例．ブリッジ整流器またはダイオードアレイ	ダイオ－ド組立体「図」〔ブリツジ整流器やダイオ－ドアレイなど〕	2013年11月
H01L 25/04@B	・車両用のもの「図」例．発電器に取付けて用いられる馬蹄形の整流器	・車両用のもの「図」〔発電器などに取付けて用いられる馬蹄形の整流器に関する。〕	2013年11月
H01L 25/04@C	電力用モジュール「図」例．インバータで用いられるもの	電力用モジユ－ル「図」〔インバ－タなどで用いられるモジユ－ル〕	2013年11月
H01L 25/08@A	積層整流器「図」「図」例．ダイオードチップを積み重ねたもの	積層整流器「図」「図」〔ダイオ－ドチツプを積み重ねたもの〕	2013年11月
H01L 25/08@B	チップ活性面同士をバンプ接続「図」	チツプ・オン・チツプ「図」「図」〔チツプとチツプを直接積重ねたもの。チツプ間にリ－ドがあつたり，直接くつついていない場合は，２５／０８Ｚ〕	2013年11月
H01L 25/08@Z	その他のもの	その他のもの「図」	2013年11月
H01L 25/10@A	ダイオード組立体「図」例．ブリッジ整流器またはダイオードアレイ	ダイオ－ド組立体「図」〔２５／０４Ａを参照〕	2013年11月
H01L 25/10@B	・車両用のもの「図」例．発電器に取付けて用いられる馬蹄形の整流器	・車両用のもの「図」〔２５／０４Ｂを参照〕	2013年11月
H01L 25/10@D	スタッド形素子を含むもの「図」	スタツド形素子を含むもの「図」	2013年11月
H01L 25/14@A	平形半導体素子の加圧スタック「図」	平形半導体素子の加圧スタツク「図」	2013年11月
H01L 25/14@B	・異なった素子を含むもの「図」「図」	・異つた素子を含むもの「図」「図」	2013年11月
H01L 25/14@C	複数加圧スタックの組立体「図」	複数加圧スタツクの組立体「図」	2013年11月
H01L 25/14@D	ダイオード組立体「図」	ダイオ－ド組立体「図」	2013年11月
H01L 25/16@Z	その他のもの	その他	2013年11月
H01L 33/00	光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ０１Ｌ５１／５０が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２，８，２０１０．０１］	光，例，赤外光，の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（５１／５０が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の構成部品からなる装置２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２，８］	2013年11月
H01L 35/00	異種材料の接合からなる熱電装置，すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２］	異種材料の接合からなる熱電装置，すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００）［２］	2013年11月
H01L 35/18	・・・ヒ素またはアンチモンまたはビスマスからなるもの（Ｈ０１Ｌ３５／１６が優先）［２］	・・・ヒ素またはアンチモンまたはビスマスからなるもの（３５／１６が優先）［２］	2013年11月
H01L 35/20	・・・金属だけからなるもの（Ｈ０１Ｌ３５／１６，Ｈ０１Ｌ３５／１８が優先）［２］	・・・金属だけからなるもの（３５／１６，３５／１８が優先）［２］	2013年11月
H01L 37/00	異種材料の接合を持たない熱電装置；熱磁気装置，例．ネルンスト・エッチングハウゼン効果を利用するもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２］	異種材料の接合を持たない熱電装置；熱磁気装置，例．ネルンスト・エッチングハウゼン効果を利用するもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００）［２］	2013年11月
H01L 39/00	超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００；セラミック形成技術またはセラミック組成物に特徴のある超電導体Ｃ０４Ｂ３５／００；超電導体またはハイパーコンダクティブの導体，ケーブル，または伝送線路Ｈ０１Ｂ１２／００；超電導コイルまたは巻線Ｈ０１Ｆ；超電導性を利用する増幅器Ｈ０３Ｆ１９／００）［２，４］	超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；セラミック形成技術またはセラミック組成物に特徴のある超電導体Ｃ０４Ｂ３５／００；超電導体またはハイパーコンダクティブの導体，ケーブル，または伝送線路Ｈ０１Ｂ１２／００；超電導コイルまたは巻線Ｈ０１Ｆ；超電導性を利用する増幅器Ｈ０３Ｆ１９／００）［２，４］	2013年11月
H01L 43/00	電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２］	電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００）［２］	2013年11月
H01L 45/00	電位障壁または表面障壁をもたず，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される固体装置，例．誘電体三極素子；オブシンスキー効果装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００；超電導性またはハイパーコンダクティビィティを利用する装置Ｈ０１Ｌ３９／００；圧電装置Ｈ０１Ｌ４１／００；バルク負性抵抗効果装置Ｈ０１Ｌ４７／００）［２］	電位障壁または表面障壁をもたず，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される固体装置，例．誘電体三極素子；オブシンスキー効果装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；超電導性またはハイパーコンダクティビィティを利用する装置３９／００；圧電装置４１／００；バルク負性抵抗効果装置４７／００）［２］	2013年11月
H01L 47/00	バルク負性抵抗効果装置，例．ガン効果装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２］	バルク負性抵抗効果装置，例．ガン効果装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００）［２］	2013年11月
H01L 49/00	Ｈ０１Ｌ２７／００～Ｈ０１Ｌ４７／００およびＨ０１Ｌ５１／００に分類されず，他のサブクラスにも分類されない固体装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２，８］	２７／００～４７／００および５１／００に分類されず，他のサブクラスにも分類されない固体装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２，８］	2013年11月
H01L 21/302,400	・・・・・・その他［原則的に使用しない：プラズマエッチングで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１Ｌ２１／３０２，１０１に付与、イオンビームなどで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１Ｌ２１／３０２，２０１に付与］	・・・・・・その他［原則的に使用しない：プラズマエッチングで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１Ｌ２１／３０２，１０１に付与、イオンビームなどで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１ｌ２１／３０２，２０１に付与］	2013年5月
H01L 41/00	圧電装置一般；電歪装置一般；磁歪装置一般；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２，２０１３．０１］	圧電装置；電歪装置；磁歪装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特有な方法または装置；それらの装置の細部（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；測定用感知素子としての変換器の使用Ｇ０１，Ｇ０４；電気―機械共振器Ｈ０３Ｈ；電気通信用の磁歪変換器Ｈ０４Ｒ１５／００；電気通信用の圧電または電歪変換器Ｈ０４Ｒ１７／００）［２］	2013年5月
H01L 41/02	・細部［２］	・細部	2013年5月
H01L 41/04	・・圧電または電歪素子のもの［２］	・・圧電または電歪装置のもの［２］	2013年5月
H01L 41/06	・・磁歪素子のもの［２］	・・磁歪装置のもの［２］	2013年5月
H01L 41/08	・圧電または電歪素子［２］	・圧電または電歪装置［２］	2013年5月
H01L 41/12	・磁歪素子［２］	・磁歪装置［２］	2013年5月
H01L 41/16	・材料の選択［２］	・材料の選択	2013年5月
H01L 41/18	・・圧電または電歪素子用［２］	・・圧電または電歪装置用［２］	2013年5月
H01L 41/20	・・磁歪素子用［２］	・・磁歪装置用［２］	2013年5月
H01L 41/22	・圧電または電歪装置またはその部品の組み立て，製造または処理に特に適用される方法または装置［２，２０１３．０１］	・これらの装置またはその部品の製造または処理に特有な方法または装置（それらに特有でないもの２１／００）	2013年5月
H01L 43/06@S	半導体	・半導体	2012年05月
H01L 43/06@M	強磁性体	・強磁性体	2012年05月
H01L 43/06@P	感磁部パターン	・感磁部パターン	2012年05月
H01L 43/06@B	バイアス磁界	・バイアス磁界	2012年05月
H01L 43/06@D	電極	・電極	2012年05月
H01L 43/06@H	保護層	・保護層	2012年05月
H01L 43/06@U	用途	・用途	2012年05月
H01L 43/08@M	強磁性体	・強磁性体	2012年05月
H01L 43/08@P	感磁部パターン	・感磁部パターン	2012年05月
H01L 43/08@B	バイアス磁界	・バイアス磁界	2012年05月
H01L 43/08@D	電極	・電極	2012年05月
H01L 43/08@H	保護層	・保護層	2012年05月
H01L 43/08@U	用途	・用途	2012年05月
H01L 21/223@B	バブラーに特徴のある拡散装置〔液体から気化〕	バブラーに特徴のある拡散装置〔液体から気化，ＣＶＤ２１／２０５参照〕	2011年05月
H01L 21/223@W	ウエハの配置に特徴のあるもの〔斜め配置，背中合せ配置等〕	ウエハの配置に特徴のあるもの〔斜め配置，背中合せ配置等，Ｈ０１Ｌ２１／２２Ｇ治具参〕	2011年05月
H01L 21/223@Y	固体状拡散源の構造・材料に特徴のあるもの〔ウエハと同一形状の拡散源板，積層構造〕	固体状拡散源の構造・材料に特徴のあるもの〔ウエハと同一形状の拡散源板〕〔積層構造，材質〕	2011年05月
H01L 21/225@M	・金属，金属化合物〔シリサイド等，電極〕	・金属，金属化合物〔シリサイド等，電極，Ｈ０１Ｌ２１／２８参照〕	2011年05月
H01L 21/225@Q	・ドープドオキサイド	・ドープドオキサイド〔ＳｉＯ↓２にドープする〕	2011年05月
H01L 21/88@C	・・配線材料のエッチングによるもの	・・エッチングによるもの	2011年05月
H01L 21/88@S	配線以外の目的を有する導電層に関するもの〔シールド・ダミー〕	配線以外の目的を有する導電層に関するもの〔シールド〕	2011年05月
H01L 21/90@N	・空気絶縁によるもの〔エアブリッジ・ポーラス膜〕	・空気絶縁によるもの	2011年05月
H01L 21/90@W	配線の交差に関するもの	配線の交差に関するもの〔基板間配線，２１／８８Ｊ〕	2011年05月
H01L 27/15@B	・駆動素子・光変調素子との集積	・駆動回路素子（含変調素子）を集積	2011年05月
H01L 27/15@C	・放出光の導波手段（光導波路、光スイッチング素子等）との集積	・出力光導波手段（光導波路、光スイッチング素子等）を集積	2011年05月
H01L 27/15@D	・受光素子との集積	・受光素子を集積	2011年05月
H01L 27/15@Z	その他のもの（モノリシックＬＥＤアレイ等）	その他のもの	2011年05月
H01L 27/10,448	・・・・・抵抗変化メモリ（読出し専用メモリを除く）	・・・・・相変化メモリ（読出し専用メモリを除く）	2010年011月
H01L 29/28,250@E	カーボン系（フラーレン，カーボンナノチューブ等）	フラーレン	2010年011月
H01L 29/28,310@E	カーボン系（フラーレン，カーボンナノチューブ等）	フラーレン用	2010年011月

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