| FI | タイトル | 付与開始時期 |
|---|---|---|
| G11C 29/00,401 | ・シリアルメモリにおけるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,402 | ・ウェハスケールレベルのもの，すなわち，ＷＳＩ（製造中の試験および構成のためのものＨ０１Ｌ２１／６６） | 2018年4月 |
| G11C 29/00,404 | ・スペアまたは再構成を用いるメモリ内の故障のマスキング | 2018年4月 |
| G11C 29/00,406 | ・・周辺回路を置換することによるもの，例．故障したものの代わりに用いられるスペア電圧生成器，デコーダ，またはセンスアンプ | 2018年4月 |
| G11C 29/00,408 | ・・最適な置換アルゴリズムと共に用いられるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,410 | ・・二重メモリを用いるもの，例．二重コピーを用いるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,412 | ・・アドレス変換または変更を用いるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,414 | ・・・ソリッドステートディスク内のもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,416 | ・・プログラマブルデバイスを用いるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,418 | ・・・冗長デコーダと組み合わせるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,420 | ・・・置換セルのリフレッシュを行うもの，例．ＤＲＡＭ内 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,422 | ・・・冗長プログラミングスキーム | 2018年4月 |
| G11C 29/00,424 | ・・・・階層的なヒューズを用いるもの（ヒューズを用いたメモリ一般Ｇ１１Ｃ１７／１６） | 2018年4月 |
| G11C 29/00,426 | ・・・・不揮発性セルまたはラッチを用いるもの（消去可能なプログラム可能なメモリセル一般Ｇ１１Ｃ１７／００） | 2018年4月 |
| G11C 29/00,428 | ・・・改良されたレイアウト | 2018年4月 |
| G11C 29/00,454 | ・・・消費電力の削減 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,456 | ・・・・故障した要素の切り離し | 2018年4月 |
| G11C 29/00,458 | ・・・冗長置換のためのロールコール配置 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,460 | ・・・故障したスペアの置換 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,462 | ・・・改良されたアクセス時間または安定性 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,464 | ・・・・信号経路に遅延を挿入することによるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,466 | ・・・・デコーダのステージを分割することによるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,468 | ・・・・出力段において冗長線を選択するもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,470 | ・・・・隣接スイッチングによるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,472 | ・・シリアルアクセスメモリ内のもの，例．シフトレジスタ，ＣＣＤまたはバブルメモリ | 2018年4月 |
| G11C 29/00,474 | ・・部分良品メモリにおけるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,476 | ・・・一つの故障したメモリデバイスを，削減された容量，例．半分の容量，を有するメモリとして用いるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/00,478 | ・・・複数の故障したメモリを連続したアドレス範囲を与えるように組み合わせるもの，例．一つのデバイスが他のデバイスにおける故障したブロックを置換するワーキングブロックを提供するもの | 2018年4月 |
| G11C 29/02 | ・故障した周辺回路の検出またはその位置の特定［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/02,100 | ・・電圧または電流生成器におけるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/02,110 | ・・Ｉ／Ｏ回路におけるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/02,120 | ・・クロック生成器またはタイミング回路におけるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/02,130 | ・・デコーダにおけるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/02,140 | ・・信号線におけるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/02,150 | ・・センスアンプにおけるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/02,160 | ・・ヒューズにおけるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/02,170 | ・・適合またはパラメータのトリミングを伴うもの | 2018年4月 |
| G11C 29/04 | ・故障したメモリ素子の検出またはその位置の特定［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/06 | ・・加速試験［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/08 | ・・機能試験，例．リフレッシュ中の試験，パワーオン・セルフテスト［ＰＯＳＴ］，または分散テスト［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/10 | ・・・テストアルゴリズム，例．メモリスキャン［ＭＳｃａｎ］アルゴリズム；テストパターン，例．チェックボードパターン［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/10,100 | ・・・・テストパターン | 2018年4月 |
| G11C 29/10,110 | ・・・・・パターン生成に特徴のあるもの | 2018年4月 |
| G11C 29/10,120 | ・・・・・・チェッカーボードパターン | 2018年4月 |
| G11C 29/10,130 | ・・・・・・ランダムパターン | 2018年4月 |
| G11C 29/10,140 | ・・・・・・アドレスからの生成 | 2018年4月 |
| G11C 29/10,150 | ・・・・・アドレスハミング距離 | 2018年4月 |
| G11C 29/10,160 | ・・・・・アドレス変換 | 2018年4月 |
| G11C 29/12 | ・・・試験のための組み込み装置，例．組み込み自己テスト［ＢＩＳＴ］［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/14 | ・・・・制御データの実施，例．テストモードのデコーダー［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/16 | ・・・・・マイクロプログラム方式のユニットを使用するもの，例．ステートマシン［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/18 | ・・・・アドレス作成装置；メモリにアクセスするための装置，例．アドレス回路の細部［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/18,100 | ・・・・・アドレスデコーダ | 2018年4月 |
| G11C 29/18,120 | ・・・・・アドレス変換またはマッピング，例．論理物理アドレス変換 | 2018年4月 |
| G11C 29/20 | ・・・・・カウンタまたは線形フィードバックシフトレジスタ［ＬＦＳＲ］を使用するもの［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/22 | ・・・・・シリアルメモリへアクセスするもの［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/24 | ・・・・・補助的なセルへアクセスするもの，例．ダミーセルまたは冗長セル［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/26 | ・・・・・マルチプルアレイへアクセスするもの（Ｇ１１Ｃ２９／２４が優先）［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/26,100 | ・・・・・・同時テスト | 2018年4月 |
| G11C 29/28 | ・・・・・・依存関係のあるマルチプルアレイ，例．マルチビットを持つアレイ［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/30 | ・・・・・シングルアレイへアクセスするもの［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/32 | ・・・・・・シリアルアクセス；スキャンテスト［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/32,100 | ・・・・・・・スキャンチェーン | 2018年4月 |
| G11C 29/34 | ・・・・・・マルチビットに同時にアクセスするもの［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/36 | ・・・・データ作成装置，例．データ変換器［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/38 | ・・・・応答検証装置［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/40 | ・・・・・圧縮技術を使用するもの［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/42 | ・・・・・誤り訂正符号［ＥＣＣ］またはパリティチェックを使用するもの［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/44 | ・・・・誤りの表示または識別，例．復旧のためのもの［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/44,100 | ・・・・・自己修復のためのもの | 2018年4月 |
| G11C 29/44,110 | ・・・・・テスト結果，品質データ，チップＩＤまたは修復情報の内部ストレージ | 2018年4月 |
| G11C 29/46 | ・・・・テストトリガーロジック［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/48 | ・・・記憶装置の外部の手段による試験に特に適した静的記憶装置にするもの，例．ダイレクトメモリアクセス［ＤＭＡ］を使用するもの，または周辺アクセス経路を使用するもの（外部試験装置Ｇ１１Ｃ２９／５６）［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/50 | ・・マージン試験，例．タイミング，電圧，または電流試験［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/50,100 | ・・・閾値電圧のマージン試験 | 2018年4月 |
| G11C 29/50,110 | ・・・インピーダンスのマージン試験 | 2018年4月 |
| G11C 29/50,120 | ・・・タイミングのマージン試験 | 2018年4月 |
| G11C 29/50,130 | ・・・リテンションのマージン試験 | 2018年4月 |
| G11C 29/50,150 | ・・・電圧のマージン試験 | 2018年4月 |
| G11C 29/52 | ・メモリ内容の保護；メモリ内容の誤りの検出［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/54 | ・試験回路を設計するための装置，例．テスト容易化設計［ＤＦＴ］ツール［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/56 | ・静的記憶のための外部試験装置，例．自動検査装置［ＡＴＥ］；そのインターフェース［８］ | 2018年4月 |
| G11C 29/56,100 | ・・パターン生成器 | 2018年4月 |
| G11C 29/56,105 | ・・エラー分析，エラーの表現 | 2018年4月 |
| G11C 29/56,110 | ・・タイミングの側面，クロック生成または同期 | 2018年4月 |
| G11C 29/56,135 | ・・並列試験 | 2018年4月 |
| G11C 29/56,140 | ・・高速化 | 2018年4月 |
| G11C 29/56,155 | ・・試験結果の圧縮 | 2018年4月 |
| G11C 5/00,100 | ・半導体記憶装置の情報の消失に対する保護回路（放射によるボンバードを使用して半導体を製造するものＨ０１Ｌ２１／２６；誤り検出，監視Ｇ０６Ｆ１１／００） | 2017年4月 |
| G11C 5/02,100 | ・・半導体記憶装置におけるメモリセルおよび周辺回路の幾何学的レイアウト（集積回路における部品の幾何学的レイアウトＨ０１Ｌ２７／０２） | 2017年4月 |
| G11C 5/04,200 | ・・・メモリモジュール | 2017年4月 |
| G11C 5/04,210 | ・・・・ＲＯＭモジュール | 2017年4月 |
| G11C 5/04,220 | ・・・・ＲＡＭモジュール | 2017年4月 |
| G11C 5/06,100 | ・・集積半導体メモリアクセス線，例．ワード線，ビット線における電圧および信号分配，伝搬遅延対策 | 2017年4月 |
| G11C 5/06,200 | ・・半導体メモリクリップ用外部アクセス線を削減するための手段，例．少なくともアドレスおよびデータ信号の多重化によるもの | 2017年4月 |
| G11C 5/14,100 | ・・バッテリおよびバックアップ電源（バックアップ電源そのものＨ０２Ｊ９／０６） | 2017年4月 |
| G11C 5/14,200 | ・・無接点電源，例．無線，電磁誘導，赤外線（一般Ｈ０２Ｊ５／００） | 2017年4月 |
| G11C 5/14,300 | ・・メモリカセット挿入／取出しの検出；電源およびアース線の導通チェック；電源変動／遮断／レベルの検出；代替電源間の切替え（Ｇ１１Ｃ５／１４，１００が優先） | 2017年4月 |
| G11C 5/14,320 | ・・・電力供給の予定された遮断または低下の検知 | 2017年4月 |
| G11C 5/14,370 | ・・節電 | 2017年4月 |
| G11C 5/14,400 | ・・チャージポンプの応用；昇圧電圧回路；そのためのクランプ回路（Ｇ１１Ｃ５／１４，１００が優先） | 2017年4月 |
| G11C 5/14,420 | ・・・基板バイアス発生器（Ｇ１１Ｃ５／１４，１００が優先） | 2017年4月 |
| G11C 5/14,500 | ・・電圧基準発生器，電圧および電流調整器；内部で低下させた電源レベル；電圧低下に対する補償（Ｇ１１Ｃ５／１４，１００が優先） | 2017年4月 |
| G11C 5/14,550 | ・・昇圧または降圧回路，スタンバイ回路または復帰回路の細部 | 2017年4月 |
| G11C 7/06,110 | ・・非保持式差動増幅器，例．コンパレータ，ロングテール対 | 2017年4月 |
| G11C 7/06,120 | ・・保持式差動増幅器 | 2017年4月 |
| G11C 7/06,130 | ・・シングルエンド増幅器 | 2017年4月 |
| G11C 7/08 | ・・その制御［７］ | 2017年4月 |
| G11C 7/10 | ・入力／出力（Ｉ／Ｏ）データ・インターフェイス装置，例．Ｉ／Ｏデータ制御回路，Ｉ／Ｏデータバッファ（レベル変換回路一般Ｈ０３Ｋ１９／０１７５）［７］ | 2017年4月 |
| G11C 7/10,100 | ・・デイジーチェーンまたはリングバスメモリ機構のためのインターフェイス回路 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,150 | ・・データ管理，例．書込みまたは読出し前のデータを操作するもの；データバススイッチまたはそのための制御回路 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,152 | ・・・入出力時のデータマスキング | 2017年4月 |
| G11C 7/10,154 | ・・・入出力時のデータの並び換え，例．クロスバー，マルチプレクサの縦続接続，シフトまたはローテーション | 2017年4月 |
| G11C 7/10,200 | ・・単一ポートメモリ向け読取り－書込みモード，すなわち，ランダムポートまたはシリアルポートのいずれかを有するもの | 2017年4月 |
| G11C 7/10,210 | ・・・シリアルビット線アクセスモード，例．ビット線アドレスシフトレジスタ，ビット線アドレスカウンタ，ビット線バーストカウンタを使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 7/10,212 | ・・・・ページシリアルビット線アクセスモード，すなわち，関連ワード線アドレスを伴う使用可能ロウアドレスストロークパルス，およびそれぞれが関連ビット線アドレスを伴う使用可能カラムアドレスストロークパルス系列を使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 7/10,214 | ・・・・延長データ出力（ＥＤＯ）モード，すなわち，長期間にわたり出力バッファを使用可能状態に維持するもの | 2017年4月 |
| G11C 7/10,216 | ・・・・静的カラムデコードシリアルビット線アクセスモード，すなわち，関連ワード線アドレスを伴う使用可能ロウアドレスストロークパルスおよび使用可能ビット線アドレス系列を使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 7/10,220 | ・・・直列にアドレス指定された読取り－書込みデータレジスタを使用するもの（Ｇ１１Ｃ７／１０，２３０が優先） | 2017年4月 |
| G11C 7/10,226 | ・・・・所定数の段階から連続的にデータを出力するために１つの段階のみをアドレス指定するデータレジスタを使用するもの，例．ニブル読取り－書込みモード | 2017年4月 |
| G11C 7/10,230 | ・・・データシフトレジスタを使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 7/10,240 | ・・・パイプライン技術を使用するもの，すなわち，機能部間のラッチを使用するもの，例．ロウ／カラムデコーダ，Ｉ／Ｏバッファ，センス増幅器 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,250 | ・・・インタリーブ技術を使用するもの，すなわち，メモリの１つの部分を準備する間に実施する別の部分の読取り－書込み | 2017年4月 |
| G11C 7/10,260 | ・・・読取り－書込みモード選択回路 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,300 | ・・データバス制御回路，例．プリチャージ，プリセット，等化 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,400 | ・・データ出力回路，例．読出し増幅器，データ出力バッファ，データ出力レジスタ，データ出力レベル変換回路 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,405 | ・・・データ出力バッファ，例．レベル変換回路，適応的ロード回路を含むもの | 2017年4月 |
| G11C 7/10,415 | ・・・データ出力ラッチ | 2017年4月 |
| G11C 7/10,420 | ・・・制御信号の出力回路，例．ステータスまたはビジーフラグ，コマンド信号のフィードバック | 2017年4月 |
| G11C 7/10,425 | ・・・出力の同期化 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,450 | ・・・ＩＯ線の読み出し機構 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,455 | ・・クロック信号パルス列に同期させたランダムアクセスポートを有するメモリ用のもの，例．同期メモリ，自己タイミング合わせメモリ | 2017年4月 |
| G11C 7/10,460 | ・・・ＤＤＲ | 2017年4月 |
| G11C 7/10,480 | ・・それぞれがランダムアクセスポートとシリアルポートとを有する多ポートメモリ用のもの，例．ビデオＲＡＭ | 2017年4月 |
| G11C 7/10,500 | ・・データ入力回路，例．書込み増幅器，データ入力バッファ，データ入力レジスタ，データ入力レベル変換回路 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,505 | ・・・データ入力バッファ，例．レベル変換回路，適応的ロード回路を含むもの | 2017年4月 |
| G11C 7/10,510 | ・・・データ入力ラッチ | 2017年4月 |
| G11C 7/10,515 | ・・・制御信号の入力回路 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,520 | ・・・入力の同期化 | 2017年4月 |
| G11C 7/10,525 | ・・・書き込み回路，例．ＩＯ線のライトドライバ | 2017年4月 |
| G11C 7/12 | ・ビット線制御回路，例．ビット線用の，ドライバ，ブースター，プルアップ回路，プルダウン回路，プリチャージング回路，等化回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 7/14 | ・ダミーセル管理；センス用リファレンス電圧発生回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 7/16 | ・アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器，デジタルメモリ，およびデジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器から成る装置を使った，デジタル記憶装置へのアナログ信号の記憶［７］ | 2017年4月 |
| G11C 7/18 | ・ビット線構成；ビット線配置［７］ | 2017年4月 |
| G11C 7/20 | ・メモリセル初期化回路，例．パワーアップしたとき，またはパワーダウンしたときの，メモリ・クリア，潜在イメージ・メモリ［７］ | 2017年4月 |
| G11C 7/22 | ・読出し－書込み［Ｒ－Ｗ］のタイミング，またはクロック回路；読出し－書込み［Ｒ－Ｗ］制御信号発生器または管理［７］ | 2017年4月 |
| G11C 7/22,100 | ・・メモリ装置内のクロック生成回路，クロック同期回路，クロック分配回路 | 2017年4月 |
| G11C 7/22,200 | ・・クロック入力バッファ | 2017年4月 |
| G11C 7/22,300 | ・・ダミーメモリ素子またはレプリカ回路に基づくメモリ操作のタイミング | 2017年4月 |
| G11C 7/24 | ・メモリ・セルの安全回路または保護回路，例．不注意な読出しまたは書込みを防ぐ装置，ステータス・セル；テスト・セル［７］ | 2017年4月 |
| G11C 8/06 | ・アドレス・インターフェイス装置，例．アドレス・バッファ（レベル変換回路一般Ｈ０３Ｋ１９／０１７５）［７］ | 2017年4月 |
| G11C 8/06,100 | ・・アドレス・バッファ | 2017年4月 |
| G11C 8/08 | ・ワード線制御回路，例．ワード線用のドライバ，ブースター，プルアップ回路，プルダウン回路，プリチャージ回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 8/10 | ・デコーダ［７］ | 2017年4月 |
| G11C 8/12 | ・グループ選択回路，例．メモリブロック選択，チップ選択，アレイ選択用の［７］ | 2017年4月 |
| G11C 8/12,200 | ・・チップ選択回路 | 2017年4月 |
| G11C 8/14 | ・ワードライン構成；ワードライン配置［７］ | 2017年4月 |
| G11C 8/16 | ・マルチ・アクセス・メモリ・アレイ，例．少なくとも二つの独立したアドレス・ライン・グループによって，一つの記憶素子をアドレス選択するもの［７］ | 2017年4月 |
| G11C 8/18 | ・アドレス・タイミング，またはクロック回路；アドレス制御信号の発生または管理，例．ロウアドレス・ストローブ信号またはカラムアドレス・ストローブ信号のためのもの［７］ | 2017年4月 |
| G11C 8/20 | ・アドレス安全回路または保護回路，すなわち，不正アクセスまたは誤ったアクセスを防止する装置［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/00,100 | ・結合されてはいるが独立して動作するＲＡＭ－ＲＯＭ，ＲＡＭ－ＰＲＯＭ，ＲＡＭ－ＥＰＲＯＭセルから成るもの | 2017年4月 |
| G11C 11/16,100 | ・・・メモリセル構造に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/16,100@A | 薄膜構造に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/16,100@C | 磁壁移動を伴うもの | 2017年4月 |
| G11C 11/16,100@Z | その他 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,200 | ・・・周辺回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,210 | ・・・・アドレス回路またはアドレスデコーダ | 2017年4月 |
| G11C 11/16,212 | ・・・・・ビット線またはカラム回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,214 | ・・・・・ワード線またはロウ回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,220 | ・・・・セル選択 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,230 | ・・・・読み出し，センシングの回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,240 | ・・・・書き込み，プログラミングの回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,250 | ・・・・ベリファイ回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,260 | ・・・・タイミング回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,280 | ・・・・保護回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/16,290 | ・・・・電力供給回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,110 | ・・・強誘電体キャパシタを使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/22,120 | ・・・強誘電体ゲート絶縁膜を有するＭＯＳを使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/22,200 | ・・・周辺回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,210 | ・・・・アドレス回路またはアドレスデコーダ | 2017年4月 |
| G11C 11/22,212 | ・・・・・ビット線またはカラム回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,214 | ・・・・・・プリチャージ，ディスチャージ，イコライズ回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,216 | ・・・・・ワード線またはロウ回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,218 | ・・・・・プレート線回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,220 | ・・・・セル選択 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,230 | ・・・・読み出し，センシングの回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,232 | ・・・・・センスアンプ | 2017年4月 |
| G11C 11/22,234 | ・・・・・参照電圧発生回路，例．ダミー・セル | 2017年4月 |
| G11C 11/22,240 | ・・・・書き込み，プログラミングの回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,250 | ・・・・ベリファイ回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,260 | ・・・・タイミング回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,270 | ・・・・劣化，保持力，消耗の評価 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,280 | ・・・・保護回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,290 | ・・・・電力供給回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/35 | ・・・空欠層に蓄積された電荷があるもの，例．電荷結合装置［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/39 | ・・・サイリスタを用いるもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/401 | ・・・・リフレッシングまたは電荷再生，すなわちダイナミック・セル［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/402 | ・・・・・各々のメモリセルに個別の電荷再生，すなわち内部リフレッシュをもつもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/403 | ・・・・・多数のメモリセルに共通な電荷再生，すなわち外部リフレッシュをもつもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/404 | ・・・・・・１つのセル当り，１つの電荷転送ゲート，例．ＭＯＳトランジスタ，をもつもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/404,100 | ・・・・・・・それぞれが蓄積容量を有する，直列に接続された複数のアクセストランジスタ | 2017年4月 |
| G11C 11/405 | ・・・・・・１つのセル当り，３つの電荷転送ゲート，例．ＭＯＳトランジスタ，をもつもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/406 | ・・・・・リフレッシングまたは電荷再生サイクルの管理または制御［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/406,100 | ・・・・・・読み書きまたはリフレッシュ動作のためのメモリセルの仲裁，優先度，同時選択 | 2017年4月 |
| G11C 11/406,102 | ・・・・・・・優先度に基づいてリフレッシュするもの | 2017年4月 |
| G11C 11/406,104 | ・・・・・・・読み書き動作またはリフレッシュ動作を途中で中断するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/406,110 | ・・・・・・・非アクセス時にリフレッシュするもの | 2017年4月 |
| G11C 11/406,120 | ・・・・・・リフレッシュ周期が変化するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/406,140 | ・・・・・・リフレッシュの起動またはリフレッシュタイミングの発生に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/406,200 | ・・・・・・内部キャッシュまたはデータバッファを有する記憶装置におけるリフレッシュ動作 | 2017年4月 |
| G11C 11/406,300 | ・・・・・・内部または部分的な内部リフレッシュ動作の外部契機，タイミング，例．オートリフレッシュまたはＣＡＳビフォアＲＡＳ契機リフレッシュ | 2017年4月 |
| G11C 11/406,350 | ・・・・・・リフレッシュの内部契機またはタイミング，例．ヒドンリフレッシュ，セリフリフレッシュ，疑似ＳＲＡＭ | 2017年4月 |
| G11C 11/406,400 | ・・・・・・複数のバンクまたはインターリーブにまたがるリフレッシュ動作 | 2017年4月 |
| G11C 11/406,450 | ・・・・・・メモリアレイの部分リフレッシュ | 2017年4月 |
| G11C 11/406,460 | ・・・・・・リフレッシュを省略するものまたはリフレツシユアドレスの発生に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/406,500 | ・・・・・・リフレッシュ動作の発熱に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4063 | ・・・・・周辺回路，例．アドレス用，デコード用，駆動用，書込み用，センス用，またはタイミング用［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4067 | ・・・・・・バイポーラ型のメモリ・セル用の周辺回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/407 | ・・・・・・電界効果型のメモリ・セル用の周辺回路［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4072 | ・・・・・・・初期化，パワーアップまたはパワーダウン，メモリクリア，またはプリセット用の回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4074 | ・・・・・・・電力供給回路または電圧発生回路，例．バイアス電圧発生器，基板電圧発生器，バックアップ電源，電源制御回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4074,100 | ・・・・・・・・電源異常またはシステムダウン対策 | 2017年4月 |
| G11C 11/4074,150 | ・・・・・・・・バッテリおよびバックアップ電源 | 2017年4月 |
| G11C 11/4074,200 | ・・・・・・・・プレート電圧の制御 | 2017年4月 |
| G11C 11/4074,250 | ・・・・・・・・基板電圧の制御 | 2017年4月 |
| G11C 11/4076 | ・・・・・・・タイミング回路（再生制御用Ｇ１１Ｃ１１／４０６）［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4078 | ・・・・・・・安全または保護回路，例．不注意な，あるいは不正な読出しや書込みを防ぐためのもの；ステータス・セル；テスト・セル（チェックまたはテストにおけるメモリ内容の保護Ｇ１１Ｃ２９／５２）［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/408 | ・・・・・・・アドレス回路［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/408,100 | ・・・・・・・・アドレスバッファ；レベル変換回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/408,120 | ・・・・・・・・ワード線制御回路，例．ワード線用のドライバ，ブースター，プルアップ回路，プルダウン回路，プリチャージ回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/408,125 | ・・・・・・・・・ワード線クランプ回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/408,140 | ・・・・・・・・アドレスデコーダ，例．ビット線またはワード線デコーダ；多重線デコーダ | 2017年4月 |
| G11C 11/409 | ・・・・・・・読出し－書込み［Ｒ－Ｗ］回路［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4091 | ・・・・・・・・センスまたはセンス／リフレッシュ増幅器，またはセンス関連回路，例．ビット線対のプリチャージ，イコライズ，または分離［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4091,120 | ・・・・・・・・・センス増幅器の回路自体に特徴のあるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4091,122 | ・・・・・・・・・・トランスファゲートに特徴のあるもの，例．トランスファゲートの駆動電圧，タイミング，電荷転送効果を利用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4091,124 | ・・・・・・・・・・メモリセルの情報をリストアするための回路，例，アクティブリストア回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/4091,140 | ・・・・・・・・・センス増幅器の制御に特徴のあるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4091,150 | ・・・・・・・・・センス方式に特徴のあるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4091,160 | ・・・・・・・・・ビット線のプリチャージに特徴のあるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4093 | ・・・・・・・・入出力［Ｉ／Ｏ］データ・インターフェイス機構，例．データバッファ（レベル変換回路一般Ｈ０３Ｋ１９／０１７５）［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4093,100 | ・・・・・・・・・入力データバッファを有するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4093,150 | ・・・・・・・・・出力データバッファを有するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4094 | ・・・・・・・・ビット線管理または制御回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4096 | ・・・・・・・・入出力［Ｉ／Ｏ］データ管理または制御回路，例．読出しまたは書込み回路，Ｉ／Ｏドライバ，ビット線スイッチ［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,100 | ・・・・・・・・・入出力バス | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,200 | ・・・・・・・・・データアンプ | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,300 | ・・・・・・・・・アクセスモードまたはアクセス方式に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,310 | ・・・・・・・・・・ページモードに関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,320 | ・・・・・・・・・・ニブルモードに関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,330 | ・・・・・・・・・・静的カラムモードに関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,400 | ・・・・・・・・・デュアルポートメモリに関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,450 | ・・・・・・・・・全体が複数の部分またはブロックに分割されたセルアレイに関するもの（Ｇ１１Ｃ１１／４０６，４００が優先） | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,500 | ・・・・・・・・・シンクロナスメモリ | 2017年4月 |
| G11C 11/4096,550 | ・・・・・・・・・・ＤＤＲ | 2017年4月 |
| G11C 11/4097 | ・・・・・・・・ビット線編成，例．ビット線レイアウト，折返しビット線［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4099 | ・・・・・・・・ダミー・セル処理；リファレンス電圧発生器［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/41 | ・・・・正帰還によるセル，すなわちリフレッシングまたは電荷再生を必要としないセルを形成するもの，例．双安定マルチバイブレータまたはシュミットトリガ［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/411 | ・・・・・バイポーラトランジスタのみを用いるもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/412 | ・・・・・電界効果トランジスタのみを用いるもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/412,100 | ・・・・・・情報の喪失に対する保護のための回路手段を取り入れたセル（一般Ｇ１１Ｃ５／００，１００） | 2017年4月 |
| G11C 11/412,110 | ・・・・・・初期化を目的とした不平衡セルに関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/412,120 | ・・・・・・セルの片方だけからデ－タの読出／書込を図るもの | 2017年4月 |
| G11C 11/413 | ・・・・・周辺回路，例．アドレシング，復号化，駆動，書込み，検知，同期および低電力化用［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/414 | ・・・・・・バイポーラ型のメモリセル用［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/415 | ・・・・・・・アドレス回路［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/416 | ・・・・・・・読出し－書込み回路［Ｒ－Ｗ］［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/417 | ・・・・・・電界効果型のメモリセル用［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/417,100 | ・・・・・・・電源供給回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/417,110 | ・・・・・・・・バッテリバックアップに関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/417,120 | ・・・・・・・・基板バイアスに関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/418 | ・・・・・・・アドレス回路［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/418,100 | ・・・・・・・・アドレス選択回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/418,110 | ・・・・・・・・・選択または駆動に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/418,120 | ・・・・・・・・・メモリ分割，アドレス分割に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/418,130 | ・・・・・・・・・アドレス・デコ－ダ回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/418,140 | ・・・・・・・・・アドレス・バッファ回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/419 | ・・・・・・・読出し－書込み回路［Ｒ－Ｗ］［５］ | 2017年4月 |
| G11C 11/419,100 | ・・・・・・・・センス増幅回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/419,110 | ・・・・・・・・アドレスの変化を検知して所定の動作，例．プリチャージ，を行うもの | 2017年4月 |
| G11C 11/419,120 | ・・・・・・・・プリチャージに関するもの（Ｇ１１Ｃ１１／４１９，１１１が優先） | 2017年4月 |
| G11C 11/419,130 | ・・・・・・・・入出力［Ｉ／Ｏ］データ・インターフェイス機構 | 2017年4月 |
| G11C 11/419,140 | ・・・・・・・・シンクロナスメモリ | 2017年4月 |
| G11C 11/4193 | ・・・特種な半導体記憶装置に特有の周辺装置，例．アドレシング，駆動，検出，タイミング，電力供給，信号伝達のためのもの（Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３が優先）［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4195 | ・・・・アドレス回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/4197 | ・・・・読出し－書込み回路［Ｒ－Ｗ］［７］ | 2017年4月 |
| G11C 11/56,100 | ・・磁気記憶素子を使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56,150 | ・・伝導性ブリッジＲＡＭまたはプログラム可能な金属化合物セルを使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56,200 | ・・浮遊ゲートにおいて電荷蓄積を使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56,210 | ・・・プログラミングまたは書込み回路；データ入力回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/56,215 | ・・・・消去回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/56,220 | ・・・検知または読出し回路；データ出力回路 | 2017年4月 |
| G11C 11/56,250 | ・・容量性電荷蓄積素子を使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56,300 | ・・強誘電体記憶素子を使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56,350 | ・・有機材料記憶素子を使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56,400 | ・・絶縁体において電荷トラッピングを使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56,450 | ・・アモルファス／結晶の相変化記憶素子を使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56,500 | ・・金属酸化物記憶素子，例．ペロブスカイトを使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56,600 | ・・マルチビット読出し専用メモリ | 2017年4月 |
| G11C 14/00 | 電源遮断時にバックアップするための，揮発性メモリセルと不揮発性メモリセルの配置によって特徴づけられたデジタル記憶装置［５］ | 2017年4月 |
| G11C 14/00,100 | ・揮発性素子がＤＲＡＭセルであるもの | 2017年4月 |
| G11C 14/00,110 | ・・不揮発性素子がＥＥＰＲＯＭ素子，例．浮遊ゲートまたはＭＮＯＳトランジスタであるもの | 2017年4月 |
| G11C 14/00,120 | ・・不揮発性素子が強誘電体素子であるもの | 2017年4月 |
| G11C 14/00,130 | ・・不揮発性素子が磁気ＲＡＭ素子［ＭＲＡＭ］または強磁性体素子であるもの | 2017年4月 |
| G11C 14/00,140 | ・・不揮発性素子が抵抗変化ＲＡＭ素子であるもの | 2017年4月 |
| G11C 14/00,200 | ・揮発性素子がＳＲＡＭセルであるもの | 2017年4月 |
| G11C 14/00,210 | ・・不揮発性素子がＥＥＰＲＯＭ素子，例．浮遊ゲートまたはＭＮＯＳトランジスタであるもの | 2017年4月 |
| G11C 14/00,220 | ・・不揮発性素子が強誘電体素子であるもの | 2017年4月 |
| G11C 14/00,230 | ・・不揮発性素子が磁気ＲＡＭ素子［ＭＲＡＭ］または強磁性体素子であるもの | 2017年4月 |
| G11C 14/00,240 | ・・不揮発性素子が抵抗変化ＲＡＭ素子であるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/00 | 消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ（Ｇ１１Ｃ１４／００が優先）［５］ | 2017年4月 |
| G11C 16/02 | ・電気的にプログラム可能なもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 16/04 | ・・閾値が可変なトランジスタを用いるもの，例．ＦＡＭＯＳ［５］ | 2017年4月 |
| G11C 16/04,100 | ・・・フローティングゲートトランジスタを包含するセルで構成されるもの（Ｇ１１Ｃ１６／０４，３００，Ｇ１１Ｃ１６／０４，４００が優先） | 2017年4月 |
| G11C 16/04,110 | ・・・・単一のフローティングゲートトランジスタを包含し，選択トランジスタを包含しないセルで構成されるもの，例．ＵＶ ＥＰＲＯＭ | 2017年4月 |
| G11C 16/04,120 | ・・・・マージされたフローティングゲートと選択トランジスタを包含するセルで構成されるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/04,130 | ・・・・１つのフローティングゲートトランジスタおよび１つ以上の別個の選択トランジスタを包含するセルで構成されるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/04,140 | ・・・・複数のフローティングゲートデバイスで構成されるセル，例．複数のフローティングゲートに接続された別個の読出し及び書込みＦＡＭＯＳトランジスタを包含するセルで構成されるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/04,143 | ・・・・・ＰチャネルとＮチャネルメモリトランジスタを備えるフローティングゲートメモリセル，通常は共通フローティングゲートを共有するもの | 2017年4月 |
| G11C 16/04,146 | ・・・・・独立したデータを記憶する複数の独立したフローティングゲートで構成されるもの（単一のフローティングゲートにおいて３つ以上の安定状態を記憶するためのものＧ１１Ｃ１１／５６） | 2017年4月 |
| G11C 16/04,150 | ・・・絶縁層に電荷を蓄積するセルで構成されるもの，例．ＭＮＯＳ，ＳＮＯＳ（Ｇ１１Ｃ１６／０４，３００，Ｇ１１Ｃ１６／０４，４０１が優先） | 2017年4月 |
| G11C 16/04,160 | ・・・・独立したデータを保持する複数の独立した記憶サイトで構成されるもの （単一の記憶サイトに２以上の安定した状態を蓄積するストレージＧ１１Ｃ１１／５６） | 2017年4月 |
| G11C 16/04,170 | ・・・直列接続された複数の記憶トランジスタを有するセルで構成されるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/04,180 | ・・・仮想接地アレイ | 2017年4月 |
| G11C 16/06 | ・・周辺回路，例．メモリへの書込み用（一般Ｇ１１Ｃ７／００）［５］ | 2017年4月 |
| G11C 16/08 | ・・・アドレス回路；デコーダ；ワード線制御回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/08,100 | ・・・・カラムデコーダ | 2017年4月 |
| G11C 16/08,110 | ・・・・ワード線の選択；デコーダ | 2017年4月 |
| G11C 16/08,120 | ・・・・・ワード線駆動回路，特にワード線への読出し電圧の供給 | 2017年4月 |
| G11C 16/08,123 | ・・・・・ワード線駆動回路，特にベリファイ読出し用 | 2017年4月 |
| G11C 16/08,130 | ・・・・・ワード線駆動回路，特にワード線への書込み電圧の供給 | 2017年4月 |
| G11C 16/08,140 | ・・・・・ワード線駆動回路，特にワード線への消去電圧の供給 | 2017年4月 |
| G11C 16/10 | ・・・プログラミングまたはデータ入力回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/10,100 | ・・・・外部プログラミング回路，例．ＥＰＲＯＭプログラマ；インサーキットプログラミングまたは再プログラミング；ＥＰＲＯＭエミュレータ | 2017年4月 |
| G11C 16/10,103 | ・・・・・特に信頼できる置換を保証する’安全性’機能を有する不揮発性メモリの内容を更新する回路，例．新しいデータが確実に書き込まれるまで古いデータの喪失を防ぐもの | 2017年4月 |
| G11C 16/10,110 | ・・・・アレイ，セクタまたはブロック内の全セルを消去前に同一状態にプログラミングするもの | 2017年4月 |
| G11C 16/10,120 | ・・・・書込み前のデータと比較するもの | 2017年4月 |
| G11C 16/10,130 | ・・・・反転書込み／代表書込みを行うもの | 2017年4月 |
| G11C 16/10,140 | ・・・・書込み時間／書込み電圧／書込み電流制御 | 2017年4月 |
| G11C 16/10,143 | ・・・・ソース線の制御に特徴があるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/10,150 | ・・・・特殊モードによるプログラム | 2017年4月 |
| G11C 16/10,160 | ・・・・バッファメモリを用いた書込み | 2017年4月 |
| G11C 16/10,170 | ・・・・データ入力回路 | 2017年4月 |
| G11C 16/12 | ・・・・プログラミング電圧スイッチング回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/14 | ・・・・電気的に消去するための回路，例．消去電圧スイッチング回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/14,100 | ・・・・・消去時間／消去電圧制御 | 2017年4月 |
| G11C 16/14,110 | ・・・・・ソース線の制御に特徴があるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/16 | ・・・・・ブロック消去用のもの，例．アレイ，複数ワード，グループ［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/18 | ・・・・光学的に消去するための回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/20 | ・・・・初期化；データのプリセット，チップの識別［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/22 | ・・・メモリ・セルへの不正な，または不慮のアクセスを防ぐための安全または保護回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/22,100 | ・・・・電源電圧が所要範囲外のときに消去，プログラミング，または読取りを防止するもの | 2017年4月 |
| G11C 16/24 | ・・・ビット線制御回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/24,100 | ・・・・ビット線の選択に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 16/24,110 | ・・・・プリチャージ／ディスチャージ回路 | 2017年4月 |
| G11C 16/24,120 | ・・・・書込み電圧発生回路 | 2017年4月 |
| G11C 16/24,130 | ・・・・ラッチ回路 | 2017年4月 |
| G11C 16/26 | ・・・センス回路または読出し回路；データ出力回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/26,100 | ・・・・特殊モードによる読出し | 2017年4月 |
| G11C 16/26,110 | ・・・・バッファメモリを介した読出し | 2017年4月 |
| G11C 16/26,120 | ・・・・電流比較型センス回路 | 2017年4月 |
| G11C 16/26,130 | ・・・・ソース線の制御に特徴があるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/26,140 | ・・・・出力回路 | 2017年4月 |
| G11C 16/28 | ・・・・差動センシングまたはリファレンス・セルを用いるもの，例．ダミー・セル［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/30 | ・・・電力供給回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/30,100 | ・・・・高電圧発生回路 | 2017年4月 |
| G11C 16/30,110 | ・・・・負電圧発生回路 | 2017年4月 |
| G11C 16/30,120 | ・・・・電圧調整回路 | 2017年4月 |
| G11C 16/32 | ・・・タイミング回路［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/34 | ・・・プログラミング状態の決定，例．閾値電圧，過書込みまたは不十分な書込み，リテンション［７］ | 2017年4月 |
| G11C 16/34,100 | ・・・・メモリセル閾値電圧の収束または補正；過消去または過書込みセルのリペアまたはリカバリ | 2017年4月 |
| G11C 16/34,103 | ・・・・・消去ベリファイ中に検知された過消去された不揮発性メモリセルのリカバリ回路または方法，通常は“ソフト”プログラミングステップによるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,106 | ・・・・・書込み検証中に検知された過書込みされた不揮発性メモリセルのリカバリ回路または方法，通常は“ソフト”消去ステップによるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,110 | ・・・・ディスターブ防止または評価；ディスターブされたメモリデータのリフレッシュ | 2017年4月 |
| G11C 16/34,113 | ・・・・・ディスターブを緩和するステップなしに不揮発性メモリセルの読出しまたは書込みディスターブを評価する回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 16/34,116 | ・・・・・隣接セルが読出しまたは書込みされた時のディスターブを防止または弱める回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 16/34,120 | ・・・・・ディスターブされた不揮発性メモリセル，例．書き込まれた状態として読出せるが，閾値が書込み検証閾値より小さい，または消去された状態として読み出せるが，閾値が消去検証閾値より大きいメモリセル，を検出し，リフレッシュ書込みまたは消去によりディスターブを反転させる回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 16/34,123 | ・・・・適正な書込みまたは消去を検証するための装置 | 2017年4月 |
| G11C 16/34,126 | ・・・・・適正な消去を検証するためまたは過消去セルを検出するための装置 | 2017年4月 |
| G11C 16/34,130 | ・・・・・・不揮発性メモリセルの適切な消去を検証するための回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 16/34,133 | ・・・・・・過消去された不揮発性メモリセルを検出するための回路または方法，通常は消去検証最中に検出するもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,136 | ・・・・・適正な書込みを検証するためのまたは過書込みセルを検出するための装置 | 2017年4月 |
| G11C 16/34,140 | ・・・・・・不揮発性メモリセルの適切な書込みを検証する回路または方法 | 2017年4月 |
| G11C 16/34,143 | ・・・・・・過書込みされた不揮発性メモリセルを検出する回路または方法，通常は書込み検証最中に検出するもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,146 | ・・・・・過消去または過書込みの防止，例．消去または書込みの最中の検証によるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,150 | ・・・・・・消去進行中に不揮発性メモリセルの適切な消去を検証する回路または方法，例．セル電流の流れの開始または停止を検出し，検出出力を消去の終了に用いることによるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,153 | ・・・・・・不揮発性メモリセルの過消去を防止する回路または方法，例．セル電流の流れの開始または停止を検出し，検出出力を消去の終了に用いることによるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,156 | ・・・・・・書込み進行中に不揮発性メモリセルの適切な書込みを検証する回路または方法，例．セル電流の流れの開始または停止を検出し，検出出力を書込みの終了に用いることによるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,160 | ・・・・・・不揮発性メモリセルの過書込みを防止する回路または方法，例．セル電流の流れの開始または停止を検出し，検出出力を書込みの終了に用いることによるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,163 | ・・・・劣化，リテンション，または磨耗を評価するための装置，例．消去サイクルをカウントすることによるもの | 2017年4月 |
| G11C 16/34,166 | ・・・・・不揮発性ＥＰＲＯＭまたはＥＥＰＲＯＭメモリデバイスの摩耗を検出または遅らせる回路または方法，例．消去または更新サイクル数をカウントし，複数のメモリ領域を順次または循環的に使用することによるもの | 2017年4月 |
| G11C 17/08 | ・半導体装置を用いるもの，例．バイポーラ素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／０６，Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［５］ | 2017年4月 |
| G11C 17/10 | ・・その記憶内容が，結合素子のあらかじめ決められた配置によって製造時に決められるもの，例．マスクプログラム可能なＲＯＭ［５］ | 2017年4月 |
| G11C 17/10,100 | ・・・バイポーラトランジスタを用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 17/10,110 | ・・・・周辺回路 | 2017年4月 |
| G11C 17/12 | ・・・電界効果型装置を用いるもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 17/12,100 | ・・・・直列接続された複数の記憶トランジスタを有するセルで構成されるもの | 2017年4月 |
| G11C 17/12,110 | ・・・・仮想接地アレイ | 2017年4月 |
| G11C 17/12,150 | ・・・・周辺回路 | 2017年4月 |
| G11C 17/12,160 | ・・・・・直列接続された複数の記憶トランジスタを有するセルで構成されるアレイ用の周辺回路 | 2017年4月 |
| G11C 17/12,170 | ・・・・・仮想接地アレイ用の周辺回路 | 2017年4月 |
| G11C 17/14 | ・その記憶内容が，結合素子の状態を永久に変えることによって連結リンクを選択的に設定，切断または変更することにより決められるもの，例．ＰＲＯＭ［５］ | 2017年4月 |
| G11C 17/14,100 | ・・レーザーで溶断可能なリンクを用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 17/14,110 | ・・ライトワンスメモリ，例 付加ビットに書込みを行うことでメモリ内容の変更を許すもの | 2017年4月 |
| G11C 17/16 | ・・電気的に溶断可能なリンクを用いるもの［５］ | 2017年4月 |
| G11C 17/16,100 | ・・・抵抗の変化を引き起こすように電気的にプログラムされるメモリセル，例．ヒューズ／アンチヒューズの導通から非導通／非道通から導通状態への変更というより，複数の抵抗段階にプログラムできるもの（抵抗ランダムアクセスメモリ素子を用いるデジタル記憶装置 Ｇ１１Ｃ１３／００，２００） | 2017年4月 |
| G11C 17/18 | ・・周辺回路，例．メモリへの書込み用（一般Ｇ１１Ｃ７／００）［５］ | 2017年4月 |
| G11C 27/00,200 | ・不揮発性電荷蓄積を伴うもの，例．浮動ゲートまたはＭＮＯＳ上のもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,100 | ・・磁気メモリ素子を使用するもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,200 | ・・容量性メモリ素子を使用するもの（Ｇ１１Ｃ２７／０４が優先） | 2017年4月 |
| G11C 27/02,210 | ・・・ピークホールド回路を含むもの（交流またはパルスのピーク値の測定Ｇ０１Ｒ１９／０４） | 2017年4月 |
| G11C 27/02,220 | ・・・特定のスイッチング手段，回路形式によるもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,230 | ・・・・ダイオードスイッチを用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,240 | ・・・・トランジスタスイッチを用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,245 | ・・・・・差動トランジスタ対を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,250 | ・・・・増幅器に関連するもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,255 | ・・・・・負帰還ループをもつ演算増幅器を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,260 | ・・・・電流モード回路，例．スイッチトカレントメモリ | 2017年4月 |
| G11C 27/02,310 | ・・・機能により特徴付けられるもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,320 | ・・・・入出力特性に関するもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,330 | ・・・・スイッチング雑音／オフセットの除去のためのもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,340 | ・・・・リーク／ドリフト対策のためのもの | 2017年4月 |
| G11C 27/02,350 | ・・・・高速化のための変形、例．複数のサンプルホールド回路を交互に動作させるもの（Ｇ１１Ｃ２７／００，２２０が優先） | 2017年4月 |
| G11C 19/18,100 | ・・半導体素子と結合するもの，例．バイポーラトランジスタ，ダイオード | 2016年4月 |
| G11C 19/18,110 | ・・・電界効果トランジスタと結合するもの，例．ＭＯＳ－ＦＥＴ | 2016年4月 |
| G11C 19/18,115 | ・・・・一つのキャパシタにつき一つのトランジスタだけ用いるもの，例．バケツリレーシフトレジスタ | 2016年4月 |
| G11C 19/18,120 | ・・・多数のシフトレジスタの編成，例．再生成，タイミング，入出力回路（ＦＩＦＯ Ｇ０６Ｆ５／０６； ＬＩＦＯ Ｇ０６Ｆ７／７８） | 2016年4月 |
| G11C 19/28,100 | ・・空乏層に電荷蓄積するもの，例．電荷結合素子（ＣＣＤ） | 2016年4月 |
| G11C 19/28,105 | ・・・周辺回路，例．初段に書込み、最終段から読み出すためのもの | 2016年4月 |
| G11C 19/28,120 | ・・多数のシフトレジスタの編成（ＦＩＦＯ Ｇ０６Ｆ５／０６； ＬＩＦＯ Ｇ０６Ｆ７／７８） | 2016年4月 |
| G11C 19/28,200 | ・・バイポーラＦＦ回路 | 2016年4月 |
| G11C 19/28,210 | ・・ＦＥＴＦＦ回路 | 2016年4月 |
| G11C 19/28,220 | ・・バイポーラ転送ゲート型 | 2016年4月 |
| G11C 19/28,230 | ・・ＦＥＴ転送ゲート型 | 2016年4月 |
| G11C 19/28,240 | ・・トンネルダイオード | 2016年4月 |
| G11C 19/34 | ・３以上の異なる安定状態を有する記憶素子を用いるもの，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの［７］ | 2016年4月 |
| G11C 19/36 | ・・半導体素子を用いるもの［７］ | 2016年4月 |
| G11C 19/38 | ・二次元の，例．水平方向と垂直方向に情報が移動するシフト・レジスター［７］ | 2016年4月 |
| G11C 21/02,100 | ・・圧電トランスデューサーを用いるもの，例．水銀タンク | 2016年4月 |
| G11C 21/02,110 | ・・磁歪トランスデューサーを用いるもの，例．ニッケル遅延線 | 2016年4月 |
| G11C 13/00,200 | ・抵抗ランダムアクセスメモリ素子を用いるもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,210 | ・・アモルファス／結晶の相変化記憶素子を含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,215 | ・・金属酸化物記憶素子を含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,220 | ・・金属窒化物記憶素子を含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,225 | ・・化学変化に依存する記憶素子を含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,230 | ・・・伝導性ブリッジ記憶素子またはプログラム可能な金属化合物記憶素子を含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,235 | ・・・有機材料記憶素子を含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,235@A | ポリマーを含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,235@B | バイオ分子を含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,235@Z | その他のもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,240 | ・・ナノチューブ記憶素子を含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,245 | ・・ナノギャップ記憶素子を含むもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270 | ・・セルアレイの形態に特徴があるもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@A | ３次元アレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@B | 選択素子がダイオードであるアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@C | 記憶素子の記憶機能と一体化した選択素子機能，例．ダイオード機能を持つアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@D | ２つ以上の選択素子を各記憶セルが持つアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@E | 選択トランジスタに並列に接続された記憶素子が直列に接続された列，すなわちＮＡＮＤ構造を持つアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@F | トランジスタでもダイオードでもない選択素子を各セルのために使用するアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@G | 選択素子を使用することなく，ビット線とワード線に直接的に接続された記憶素子を持つアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@H | 一群の記憶セルが選択素子を共有するアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@J | 選択素子がトランジスタであるアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@K | 基板，セル，配線，選択素子が全て有機材料で形成されたアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,270@Z | その他の特徴があるアレイ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,300 | ・・周辺回路 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,310 | ・・・アドレス回路またはアドレスデコーダ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,312 | ・・・・ビット線またはカラム回路 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,314 | ・・・・ワード線またはロウ回路 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,320 | ・・・セル選択 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,340 | ・・・ディスターブの防止，ディスターブの評価；ディスターブされた記憶データのリフレッシュ | 2014年11月 |
| G11C 13/00,360 | ・・・劣化，保持力，消耗の評価 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,380 | ・・・電力供給回路 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400 | ・・・読み出し，センシングの回路または方法 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400@A | 差分検知，例．相補ビット線による読み出し | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400@B | セル電流による読み出し | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400@C | 破壊読み出し | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400@D | セル電極間の電位差による読み出し | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400@E | ビット線プリチャージ後の読み出し | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400@F | 読み出しパルスの形状，例．形，幅，高さによって特徴付けられた読み出し | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400@G | リファレンスセルとの比較によって実行される読み出し | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400@H | 自己リファレンス方式によって実行される読み出し | 2014年11月 |
| G11C 13/00,400@Z | その他の読み出し | 2014年11月 |
| G11C 13/00,420 | ・・・セキュリティ，保護回路または方法 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,440 | ・・・タイミング回路または方法 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,460 | ・・・ベリファイ回路または方法 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,462 | ・・・・書き込み中に正しく書き込まれたことをベリファイするもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,464 | ・・・・書き込み後に正しく書き込まれたことをベリファイするもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480 | ・・・書き込み，プログラミングの回路または方法 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@A | 選択素子のゲートに書き込み電位を印加する書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@B | 両方向にセル電圧を印加する書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@C | 読み出し結果に基づいて実行される書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@D | セルを流れる電流量による書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@E | 記憶材料の周囲に熱を発生させることによる書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@F | フォーミング処理のための書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@G | １ページまたは１セクタ，例．１行分，１ワード線分の同時書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@H | 複数のセルの同時書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@J | セル電極間に電位差を印加することによる書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@K | 書き込みパルスの形状，例．形，幅，高さによって特徴付けられた書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@L | 熱効果による歪み，例，ピエゾエレクトリックを用いる書き込み | 2014年11月 |
| G11C 13/00,480@Z | その他 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,500 | ・・・消去，例．リセットの回路または方法 | 2014年11月 |
| G11C 13/02,100 | ・・フラーレンを使用するもの，例．カーボンナノチューブまたはシリコンナノチューブ | 2014年11月 |
| G11C 13/04,100 | ・・ホトクロミック記憶素子を用いるもの | 2014年11月 |
| G11C 13/04,200 | ・・干渉縞の形で記憶される情報を用いるもの（ホログラム，リップマン；ホログラフィＧ０３Ｈ，Ｇ０２Ｂ５／３２） | 2014年11月 |
| G11C 13/04,200@A | 磁気光学記憶素子を用いるもの | 2014年11月 |
| G11C 13/04,200@B | 電気光学記憶素子を用いるもの | 2014年11月 |
| G11C 13/04,200@C | ホトクロミック記憶素子を用いるもの | 2014年11月 |
| G11C 13/04,200@Z | その他の記憶素子を用いるもの | 2014年11月 |
| G11C 13/04,300 | ・・電気光学記憶素子を用いるもの | 2014年11月 |
| G11C 13/04,400 | ・・その他の記憶素子を使用するもの | 2014年11月 |
| G11C 13/00,100 | ・可逆的な抵抗変化を起こす素子を用いるもの | 2011年05月 |
| G11C 13/00,110 | ・・メモリ素子 | 2011年05月 |
| G11C 13/00,110@C | 固体電解質を用いるもの，例．ＣＢＲＡＭ（導電性ブリッジングメモリ） | 2011年05月 |
| G11C 13/00,110@P | 相変化材料を用いるもの，例．ＰＲＡＭ（相変化メモリ） | 2011年05月 |
| G11C 13/00,110@R | 遷移金属酸化物を用いるもの，例．ＲｅＲＡＭ | 2011年05月 |
| G11C 13/00,110@Z | その他 | 2011年05月 |
| G11C 13/00,120 | ・・アレイ構造 | 2011年05月 |
| G11C 13/00,120@A | クロスポイント | 2011年05月 |
| G11C 13/00,120@B | ３次元，例．高さ方向の選択が可能なもの | 2011年05月 |
| G11C 13/00,120@Z | その他 | 2011年05月 |
| G11C 13/00,140 | ・・読み出し回路またはその制御方法 | 2011年05月 |
| G11C 13/00,150 | ・・書き込み，消去回路またはその制御方法 | 2011年05月 |
| G11C 13/00,170 | ・・初期設定，フォーミング処理 | 2011年05月 |
| G11C 13/00,180 | ・・劣化対策 | 2011年05月 |
| G11C 13/00,190 | ・・試験・冗長 | 2011年05月 |
| G11C 11/34,362@T | ＤＤＲ | 2007年5月 |
| G11C 99/00 | このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［８］ | 2005年12月 |
| G11C 11/15,100 | ・・・・磁気ランダムアクセスメモリ［ＭＲＡＭ］ | 2002年7月 |
| G11C 11/15,110 | ・・・・・メモリセル | 2002年7月 |
| G11C 11/15,112 | ・・・・・・磁性膜 | 2002年7月 |
| G11C 11/15,116 | ・・・・・・選択素子 | 2002年7月 |
| G11C 11/15,120 | ・・・・・ワード線［書き込み線］ | 2002年7月 |
| G11C 11/15,130 | ・・・・・センス線［読み出し線］ | 2002年7月 |
| G11C 11/15,140 | ・・・・・書き込み回路・方法［駆動回路など］ | 2002年7月 |
| G11C 11/15,150 | ・・・・・読み出し回路・方法［センス回路など］ | 2002年7月 |
| G11C 11/15,160 | ・・・・・周辺回路 | 2002年7月 |
| G11C 11/15,165 | ・・・・・・入出力回路 | 2002年7月 |
| G11C 11/15,170 | ・・・・・・アドレス選択回路 | 2002年7月 |
| G11C 11/15,180 | ・・・・・・電圧供給回路 | 2002年7月 |
| G11C 11/15,190 | ・・・・・・冗長回路 | 2002年7月 |
| G11C 11/15,195 | ・・・・・試験 | 2002年7月 |
| FI | タイトル | 移行先 | 廃止時期 |
|---|---|---|---|
| G11C 27/04,101 | ・・ＣＴＤを用いるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@A | 構造；製造法 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@B | 量子化 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@C | 誤動作対策 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@D | ＢＢＤ一般 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@E | ＣＣＤ一般 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102 | ・・・駆動に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102@A | ＢＢＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102@B | ＣＣＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103 | ・・・入力に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@A | ＢＢＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@B | ＣＣＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@C | 光入力 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104 | ・・・出力に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104@A | ＢＢＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104@B | ＣＣＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,105 | ・・・メモリ－の構成に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,105@A | ＳＰＳ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,105@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101 | ・・ＣＴＤを用いるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@A | 構造；製造法 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@B | 量子化 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@C | 誤動作対策 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@D | ＢＢＤ一般 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@E | ＣＣＤ一般 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102 | ・・・駆動に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102@A | ＢＢＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102@B | ＣＣＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103 | ・・・入力に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@A | ＢＢＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@B | ＣＣＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@C | 光入力 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104 | ・・・出力に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104@A | ＢＢＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104@B | ＣＣＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,105 | ・・・メモリ－の構成に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,105@A | ＳＰＳ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,105@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101 | ・・ＣＴＤを用いるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@A | 構造；製造法 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@B | 量子化 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@C | 誤動作対策 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@D | ＢＢＤ一般 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@E | ＣＣＤ一般 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,101@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102 | ・・・駆動に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102@A | ＢＢＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102@B | ＣＣＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,102@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103 | ・・・入力に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@A | ＢＢＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@B | ＣＣＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@C | 光入力 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,103@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104 | ・・・出力に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104@A | ＢＢＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104@B | ＣＣＤ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,104@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,105 | ・・・メモリ－の構成に特徴があるもの | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,105@A | ＳＰＳ | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 27/04,105@Z | その他 | G11C 27/04 | 2019年11月 |
| G11C 29/00,601 | ・ハードウエアに冗長性を持たせるもの | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,601@B | ハード冗長一般 | G11C 29/00,406 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,601@C | 回数管理 | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,601@D | 寿命管理 | G11C 29/00 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,601@Z | その他のもの | G11C 29/00,406 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603 | ・・冗長メモリ | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@B | 冗長デコーダを有しないもの | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@C | ・特定のデコード出力を冗長セルに導くもの | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@D | ・全てのデコード出力を再配置するもの | G11C 29/00,470 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@E | データ演算により置換を行うもの | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@F | カラム切替により置換を行うもの | G11C 29/00,468 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@G | 時間差対策手段 | G11C 29/00,464 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@H | 冗長デコーダ | G11C 29/00,418 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@J | ・冗長記憶素子 | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@K | ・冗長記憶素子から情報を読み出す回路 | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@L | ・冗長記憶素子に情報を書き込む回路 | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@M | 切り離し回路 | G11C 29/00,456 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@N | ・電源の切り離し | G11C 29/00,456 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@P | 試験診断 | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@Q | ・冗長検出 | G11C 29/00,458 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@R | ・・メモリセルを介した冗長検出 | G11C 29/00,458 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@X | 特殊なメモリの冗長 | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@Y | ・シリアルアクセスメモリの冗長 | G11C 29/00,401 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,603@Z | その他のもの | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,605 | ・・障害領域の非選択 | G11C 29/00,476 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,605@B | 部分良品の組み合わせ | G11C 29/00,474 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,605@C | アドレス変換 | G11C 29/00,476 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,605@D | アドレス固定 | G11C 29/00,476 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,605@X | 特殊なメモリ | G11C 29/00,476 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,605@Y | ・バブルメモリ | G11C 29/00,476 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,605@Z | その他のもの | G11C 29/00,476 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,607 | ・・ＲＯＭパッチ | G11C 29/00,404 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,631 | ・データの表現形態に冗長性をもたせるもの | G11C 29/42 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,631@B | 試験診断 | G11C 29/42 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,631@C | ＥＤＣバイパス | G11C 29/42 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,631@D | エラー検出一般 | G11C 29/42 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,631@P | パトロール | G11C 29/42 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,631@Q | ・読み書き再生 | G11C 29/42 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,631@Z | その他のもの | G11C 29/42 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,651 | ・メモリの試験 | G11C 29/04 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,651@E | α線によるソフトエラーの耐性試験 | G11C 29/52 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,651@P | 並列試験 | G11C 29/56,135 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,651@S | 高速化 | G11C 29/56,140 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,651@T | 時間マージン | G11C 29/50,120 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,651@V | 電圧マージン | G11C 29/50,150 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,651@Z | その他のもの | G11C 29/04 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,652 | ・・ＲＯＭの試験（Ｈ１１ 新設） | G11C 29/04 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,653 | ・・特殊なメモリの試験 | G11C 29/04 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,655 | ・・試験結果の処理 | G11C 29/04 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,655@C | データ圧縮 | G11C 29/56,155 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,655@D | 試験結果の表示 | G11C 29/56,105 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,655@M | 素子内記憶 | G11C 29/44,110 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,655@S | 冗長戦略 | G11C 29/00,408 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,655@Z | その他のもの | G11C 29/04 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,657 | ・・試験パターン | G11C 29/10,100 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,657@B | パターン生成に特徴のあるもの | G11C 29/10,110 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,657@C | ・チェッカーボードパターン | G11C 29/10,120 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,657@D | ・ランダムパターン | G11C 29/10,130 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,657@E | ・アドレスからの生成 | G11C 29/10,140 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,657@H | アドレスハミング距離 | G11C 29/10,150 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,657@T | アドレス変換 | G11C 29/10,160 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,657@Z | その他のもの | G11C 29/10,100 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,659 | ・・アクセスタイム，サイクルタイムの測定 | G11C 29/56,110 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671 | ・試験機能を有するメモリ | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@B | 自己試験 | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@F | 加速試験 | G11C 29/06 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@K | 漏れ電流測定 | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@M | マージン試験 | G11C 29/50 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@P | 並列試験 | G11C 29/34 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@Q | ・並列読み出し | G11C 29/26 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@R | ・・ブロック間比較 | G11C 29/26 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@S | リフレッシュに関する試験 | G11C 29/08 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@T | テストモード | G11C 29/46 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,671@Z | その他のもの | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673 | ・・試験機能を有するＲＯＭ | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@B | 自己試験 | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@F | 加速試験 | G11C 29/06 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@K | 漏れ電流測定 | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@M | マージン試験 | G11C 29/50 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@P | 並列試験 | G11C 29/34 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@Q | ・並列読み出し | G11C 29/26 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@R | ・・ブロック間比較 | G11C 29/26 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@T | テストモード | G11C 29/46 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@V | しきい値測定 | G11C 29/50,100 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@W | ダミーセル | G11C 29/24 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,673@Z | その他のもの | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,675 | ・・試験機能を有する特殊メモリ | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,675@B | 磁性静的記憶 | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,675@C | ＩＣカード・メモリカード | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,675@D | マルチポートメモリ | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,675@L | 集積回路内蔵メモリ | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,675@M | ・マイコン搭載メモリ | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,675@S | シリアルアクセスメモリ | G11C 29/22 | 2018年4月 |
| G11C 29/00,675@Z | その他のもの | G11C 29/12 | 2018年4月 |
| G11C 29/00@A | 電源 | G11C 29/02,100 | 2018年4月 |
| G11C 29/00@Z | その他 | G11C 29/00 | 2018年4月 |
| G11C 5/00,301 | ・カセツト | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00,301@A | カ－ド | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00,301@B | 構造 | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00,301@Z | その他 | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00,302 | ・・ＲＯＭカセツト | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00,302@A | 構造 | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00,302@Z | その他 | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00,303 | ・・ＲＡＭカセツト | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00,303@A | 構造 | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00,303@Z | その他 | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00@B | 構造 | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 5/00@Z | その他 | G11C 5/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,301 | ・磁気メモリへの書込み読出し | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,311 | ・半導体メモリへの書込み読出し | G11C 7/10 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,311@A | 異種メモリの組み合わせ | G11C 11/00,100 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,311@B | ビツト長対策 | G11C 7/10,400 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,311@C | 端子数削減 | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,311@D | リセツト・クリア | G11C 7/20 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,311@E | 節電 | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,311@F | 特殊用途 | G11C 7/10 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,311@G | 誤動作対策 | G11C 7/24 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,311@Z | その他 | G11C 7/10 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,312 | ・・高速化 | G11C 7/10 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,312@A | インタ－リ－ブ | G11C 7/10,250 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,312@B | 同時リ－ド・ライト | G11C 7/10,480 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,312@C | ペ－ジ・ニブルモ－ド | G11C 7/10,210 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,312@Z | その他 | G11C 7/10 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,313 | ・・タイミングに関するもの | G11C 7/22 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,314 | ・・アナログ信号の書込み読出し | G11C 7/16 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,315 | ・・ＩＣカ－ドへの書込み読出し | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,317 | ・・書込み順序により読出し順序が決まるもの | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,318 | ・・・ＦＩＦＯ | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,318@A | ＲＡＭ型 | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,318@B | シフト型 | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,318@Z | その他 | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,319 | ・・・ＬＩＦＯ | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,319@A | ＲＡＭ型 | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,319@B | シフト型 | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,319@Z | その他 | G11C 7/00 | 2017年4月 |
| G11C 7/00,321 | ・その他のメモリへの書込み読出し | G11C 7/10 | 2017年4月 |
| G11C 8/00,301 | ・磁気メモリのアドレス選択 | G11C 8/00 | 2017年4月 |
| G11C 8/00,311 | ・半導体メモリのアドレス選択 | G11C 8/00 | 2017年4月 |
| G11C 8/00,311@A | アドレス拡張・メモリ増設 | G11C 8/00 | 2017年4月 |
| G11C 8/00,311@Z | その他 | G11C 8/00 | 2017年4月 |
| G11C 8/00,312 | ・・記憶群の選択 | G11C 8/00 | 2017年4月 |
| G11C 8/00,314 | ・・アドレスマルチプレツクス | G11C 8/00 | 2017年4月 |
| G11C 11/02@A | コアメモリ一般 | G11C 11/02 | 2017年4月 |
| G11C 11/02@B | 製造法 | G11C 11/02 | 2017年4月 |
| G11C 11/02@C | アドレス選択 | G11C 11/02 | 2017年4月 |
| G11C 11/02@D | 駆動 | G11C 11/02 | 2017年4月 |
| G11C 11/02@E | 感知 | G11C 11/02 | 2017年4月 |
| G11C 11/02@F | 雑音対策 | G11C 11/02 | 2017年4月 |
| G11C 11/02@G | 温度補償 | G11C 11/02 | 2017年4月 |
| G11C 11/02@H | 試験・保護・誤動作 | G11C 11/02 | 2017年4月 |
| G11C 11/02@Z | その他 | G11C 11/02 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,301 | ・・・磁気バブルメモリ装置 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302 | ・・・・材料及び製法 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@A | 磁性材料 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@B | アモルフアス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@C | 製法技術 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@D | ・エピタキシヤル | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@E | ・マスク・位置合わせ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@F | ・露光・レジスト・エツチング | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@G | ・ドライエツチング・プラズマ処理 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@H | ・プレ－ナプロセス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@J | ・イオン注入 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@K | ・ハ－ドバブル抑制 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@L | ・熱処理 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@M | ・ウエ－フア・スクライブ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@N | パタ－ン製法プロセス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@P | ・スペ－サ・絶縁膜 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@Q | ・保護膜 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@R | ・磁性膜 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@S | ・転送路パタ－ン | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@T | ・導体パタ－ン | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@U | ・電極部 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@V | ・検出器 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,302@Z | その他 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303 | ・・・・デバイス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@A | イオン注入デバイス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@B | ・イオン注入磁荷壁転送路 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@C | ・・コ－ナ－パタ－ン | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@D | ・トランスフアゲ－ト | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@E | ・スワツプゲ－ト | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@F | ・リプリケ－タ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@G | ・伸長・検出 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@H | 複合型イオン注入デバイス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@J | 電流駆動型デバイス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@K | ・二層導体電流駆動デバイス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@L | バブルラテイス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@M | ブロツホラインメモリ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@N | チツプア－キテクチヤ－ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@P | ・機能要素の配置 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@Q | ・メジヤ－マイナ－及びシングルル－プ構成 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@R | ・・二階層メモリ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@S | ・ブロツク分割 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,303@Z | その他 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304 | ・・・・機能要素 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@A | 発生 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@B | ・種バブル分割 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@C | ・発生器用ドライバ－ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@D | 消滅 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@E | ・ガ－ドレ－ル | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@F | 検出 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@G | ・検出器構成パタ－ン | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@H | ・検出器の材料及び磁気特性 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@J | ・光学的効果 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@K | ・ホ－ル効果 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@L | ・ストレツチヤ－ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@M | 転送路 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@N | ・転送路構成パタ－ン | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@P | ・コ－ナ－パタ－ン | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@Q | ・倍長周期転送パタ－ン | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@R | ・変形マイナ－ル－プ構造 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@S | ゲ－ト | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@T | ・トランスフアゲ－ト | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@U | ・スワツプゲ－ト | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@V | ・リプリケ－タ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@W | ・磁気バブル論理回路 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@X | センス回路 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,304@Z | その他 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305 | ・・・・駆動回路 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@A | 回転磁界用コイルドライバ－ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@B | ・正弦波電流発生回路 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@C | ・三角波及び台形波電流発生回路 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@D | ・始動停止制御 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@E | フアンクシヨンドライバ－ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@F | 駆動コイル | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@G | ・長方形コイル | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@H | ・フラツトコイル | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@J | ・額縁形コイル | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@K | ・プリントコイル | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@L | ・巻線密度 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,305@Z | その他 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306 | ・・・・制御 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@A | バブルメモリコントロ－ラ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@B | ・搭載メモリユニツトの種別検出及び増設 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@C | ・ＣＰＵとバブルメモリコントロ－ラ間のデ－タ転送 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@D | アドレス制御 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@E | ・マ－カ－ル－プ・アドレスル－プ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@F | ・起動停止時のアドレスカウンタのイニシヤライズ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@G | リ－ドライト制御・メモリプロテクト | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@H | エラ－検出訂正 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@J | 温度検出及び温度補償 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@K | 電源異常対策 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@L | パルス発生回路 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,306@Z | その他 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,307 | ・・・・欠陥補償 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,307@A | 不良ル－プ情報のマツプル－プへの格納 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,307@B | 不良ル－プ情報のＲＯＭへの格納 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,307@C | 不良ル－プ情報の表示 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,307@Z | その他 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308 | ・・・・実装及び試験 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@A | 実装 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@B | ・プリント配線基板・チツプ実装 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@C | ・コイル装着 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@D | ・リ－ドフレ－ム及び端子 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@E | ・静電及び電磁誘導雑音の防止 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@F | ・放熱対策 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@G | ・樹脂モ－ルド | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@H | ・シ－ルドケ－ス | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@J | バイアス磁界 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@K | ・バイアス磁界の温度補償 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@L | ・バイアス磁石の着磁減磁 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@M | ・バイアス磁界発生用イニシヤルコイル | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@N | ホ－ルド磁界 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@P | 試験 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@Q | 特性測定 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,308@Z | その他 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309 | ・・・・応用 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@A | 磁気バブルカセツトメモリ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@B | ・ロツク・エジエクト機構 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@C | ・コネクタ | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@D | ・挿入・抜き取り状態の検出 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@E | ・書き込み禁止状態の設定 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@F | ・カセツトタイプの識別 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@G | ・不良ル－プ対策 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@H | ・電磁誘導雑音及び静電気対策 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@J | ・熱対策 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@K | 連想メモリ及び情報検索 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@L | 磁気バブル表示装置 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14,309@Z | その他 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14@A | 素子及び基板の構成 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14@B | 開磁路構成 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14@C | 閉磁路構成 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14@D | 特に容易軸を使用しないもの | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14@E | 駆動 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14@F | 一般 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/14@Z | その他 | G11C 11/14 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,100 | ・・・・磁気ランダムアクセスメモリ［ＭＲＡＭ］ | G11C 11/16 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,110 | ・・・・・メモリセル | G11C 11/16,100@Z | 2017年4月 |
| G11C 11/15,112 | ・・・・・・磁性膜 | G11C 11/16,100@A | 2017年4月 |
| G11C 11/15,116 | ・・・・・・選択素子 | G11C 11/16,220 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,120 | ・・・・・ワード線［書き込み線］ | G11C 11/16,214 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,130 | ・・・・・センス線［読み出し線］ | G11C 11/16,212 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,140 | ・・・・・書き込み回路・方法［駆動回路など］ | G11C 11/16,240 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,150 | ・・・・・読み出し回路・方法［センス回路など］ | G11C 11/16,230 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,160 | ・・・・・周辺回路 | G11C 11/16,200 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,165 | ・・・・・・入出力回路 | G11C 11/16,200 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,170 | ・・・・・・アドレス選択回路 | G11C 11/16,210 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,180 | ・・・・・・電圧供給回路 | G11C 11/16,290 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,190 | ・・・・・・冗長回路 | G11C 11/16,200 | 2017年4月 |
| G11C 11/15,195 | ・・・・・試験 | G11C 11/16,200 | 2017年4月 |
| G11C 11/155@A | 製造及び素子そのもの | G11C 11/155 | 2017年4月 |
| G11C 11/155@B | 記憶装置構成法 | G11C 11/155 | 2017年4月 |
| G11C 11/155@C | ロツド | G11C 11/155 | 2017年4月 |
| G11C 11/155@D | ツイスタ | G11C 11/155 | 2017年4月 |
| G11C 11/155@E | 駆動 | G11C 11/155 | 2017年4月 |
| G11C 11/155@F | ビツト間相互作用 | G11C 11/155 | 2017年4月 |
| G11C 11/155@Z | その他 | G11C 11/155 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501 | ・・・強誘電体キャパシタを用いるもの（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,110 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@A | メモリセル回路（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,110 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@D | 周辺回路（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,200 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@F | ・ビット線関連回路（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,212 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@G | ・・センスアンプ（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,232 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@H | ・・参照電圧発生回路 例、ダミーセル（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,234 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@J | ・・プリチャージ、ディスチャージ、イコライズ回路（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,214 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@K | ・ワード線関連回路（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,216 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@L | ・プレート線関連回路（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,218 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@P | 誤動作対策、試験（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,200 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@Q | 劣化対策 例、リラクゼーション対策（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,270 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,501@Z | その他（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22 | 2017年4月 |
| G11C 11/22,503 | ・・・強誘電体ゲート絶縁膜を有するＭＯＳを用いるもの（Ｈ１３．５新設） | G11C 11/22,120 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,301 | ・・・アドレス選択回路 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,301@A | 選択・駆動に関するもの〔デコ－ダを除く〕 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,301@B | ・ＭＯＳに関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,301@C | ・バイポ－ラに関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,301@D | ・ニブルモ－ド，ペ－ジモ－ド等の特殊なメモリアクセス | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,301@E | ・メモリ分割，アドレス分割に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,301@F | ・チツプセレクト，チツプイネ－ブルに関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,301@Z | その他のもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,302 | ・・・・アドレス・デコ－ダ回路 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,302@A | アドレス・デコ－ダ回路一般に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,302@B | 多値アドレス・デコ－ダ回路に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,302@Z | その他のもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,303 | ・・・・アドレス・バツフア回路 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,305 | ・・・ＭＯＳ周辺回路 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,311 | ・・・・センス増幅回路 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,315 | ・・・バイポ－ラ周辺回路 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,331 | ・・・・センス増幅回路 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,335 | ・・・電源供給回路 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,335@A | 電源供給回路一般に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,335@B | ・バツテリバツクアツプに関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,335@C | ・基板バイアスに関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,335@Z | その他のもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,341 | ・・・誤動作防止に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,341@A | 誤動作防止一般に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,341@B | ・温度補償に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,341@C | ・冗長・予備に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,341@D | ・検査・試験に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,341@Z | その他のもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,345 | ・・・回路配置等の構造 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,350 | ・・・半導体装置内におけるキヤパシタを利用するもの | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,351 | ・・・・メモリデバイス | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,352 | ・・・・・メモリセル | G11C 11/403 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,352@A | 情報を不揮発化できるもの | G11C 11/403 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,352@B | ２個以上のトランジスタを含むセル | G11C 11/405 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,352@C | １個のトランジスタのみを含むセル | G11C 11/404 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,352@D | ・セルプレ－ト電圧自体，またはセルプレ－ト電圧の制御方式に特徴のあるもの | G11C 11/4074,200 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,352@E | ダミ－セルに特徴のあるもの，例．ダミ－セルの容量部に特徴のあるもの | G11C 11/4099 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,352@F | ゲインセル，すなわちセル自身がセルフリフレツシユ機能〔増幅機能〕を有し，非破壊読み出しが可能なもの | G11C 11/402 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,352@Z | その他のもの | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,353 | ・・・・・センス回路 | G11C 11/4091 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,353@A | 増幅器の回路自体に特徴のあるもの | G11C 11/4091,120 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,353@B | ・レシオレス動作をするもの | G11C 11/4091,120 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,353@C | ・トランスフアゲ－トに特徴のあるもの，例．トランスフアゲ－トの駆動電圧，タイミング，電荷転送効果を利用するもの | G11C 11/4091,122 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,353@D | ・メモリセルの情報をリストアするための回路，例，アクテイブリストア回路 | G11C 11/4091,124 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,353@E | 増幅器の駆動方式に特徴のあるもの | G11C 11/4091,140 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,353@F | ピツト線のプリチヤ－ジ方式に特徴のあるもの，例．ハ－フプリチヤ－ジ，ビツト線のイコライズ | G11C 11/4091,160 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,353@Z | その他のもの | G11C 11/4091 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354 | ・・・・・周辺回路 | G11C 11/407 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@A | 入出力ゲ－ト，バツフアおよびバス | G11C 11/4093 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@B | アドレスインバ－タバツフアおよびアドレスデコ－ダ | G11C 11/408,140 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@C | タイミングジエネレ－タ，遅延回路およびタイマ，例．オンチツプリフレツシユのためのタイマ | G11C 11/4076 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@D | ワ－ド線または列線選択ゲ－ト駆動回路 | G11C 11/408,120 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@E | ・ワ－ド線または列線選択線クランプ回路 | G11C 11/408,125 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@F | 電圧発生回路［昇圧回路を含む］ | G11C 11/4074 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@G | ・基板バイアス発生回路 | G11C 11/4074,250 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@H | デ－タアンプ〔ライトアンプを含む〕 | G11C 11/4096,200 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@P | ・入力バッファ | G11C 11/4093,100 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@Q | ・出力バッファ | G11C 11/4093,150 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@R | ・入出力バス〔ダイレクトセンス方式を含む〕 | G11C 11/4096,100 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,354@Z | その他のもの | G11C 11/407 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,361 | ・・・・駆動方式 | G11C 11/407 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362 | ・・・・・アクセス制御方式 | G11C 11/407 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@A | センス方式〔データレジスタとセンスアンプとの間のデータ転送，複写などを含む〕 | G11C 11/4091,150 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@B | ビット線のレイアウトに関するもの、例．ビット線分割、ビット線交差 | G11C 11/4097 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@C | アクセスモ－ドまたはアクセス方式に関するもの | G11C 11/4096,300 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@D | ・ペ－ジモ－ドに関するもの〔ＥＤＯを含む〕 | G11C 11/4096,310 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@E | ・ニブルモ－ドに関するもの | G11C 11/4096,320 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@F | ・スタテイツクカラムモ－ドに関するもの | G11C 11/4096,330 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@G | デュアルポートメモリに関するもの、例．ランダムアクセスポートとシリアルアクセスポートを有するもの | G11C 11/4096,400 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@H | 全体が複数の部分またはブロツクに分割されたセルアレイに関するもの〔リフレツシユのためのもの，３６３Ｋ〕 | G11C 11/4096,450 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@S | シンクロナスメモリ | G11C 11/4096,500 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@T | ・ＤＤＲ | G11C 11/4096,550 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,362@Z | その他のもの | G11C 11/407 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363 | ・・・・・リフレツシユ制御方式 | G11C 11/406 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@A | アクセスと同期のリフレツシユ制御方式〔画像用メモリのためのもの，３７１Ｈ〕 | G11C 11/406,300 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@B | ・マルチＣＰＵシステムにおけるリフレツシユの同期 | G11C 11/406,300 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@C | ・マイクロプロセサと同期したリフレツシユ制御方式 | G11C 11/406,300 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@D | ・ＤＭＡ動作と同期したリフレツシユ制御方式 | G11C 11/406,300 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@E | ・非アクセス時リフレツシユ | G11C 11/406,110 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@F | アクセスと非同期のリフレツシユ制御方式〔競合裁定回路を含む〕 例．ハザ－ド防止技術 | G11C 11/406,100 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@G | ・優先順位によつて特徴づけられるもの | G11C 11/406,102 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@H | ・アクセスまたはリフレツシユの禁止もしくは中断をするもの | G11C 11/406,104 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@J | ・リフレツシユの省略をするものまたはリフレツシユアドレスの発生に関するもの〔パーシャルリフレッシュを含む〕 | G11C 11/406,450 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@K | 全体が複数のブロツクまたは部分を包含するメモリのリフレツシユ制御方式 | G11C 11/406,400 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@L | リフレツシユ周期が変化するもの，例．温度によつてリフレツシユ周期が変化するもの | G11C 11/406,120 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@M | オンチツプリフレツシユ機能を有するもの〔オンチツプリフレツシユのためのタイマ，３５４Ｃ，擬似スタテイツクメモリ，３７１Ｊ〕例．オ－トリフレツシユ，セルフリフレツシユ | G11C 11/406,350 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@N | リフレツシユの起動またはリフレツシユタイミングの発生に関するもの | G11C 11/406,140 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,363@Z | その他のもの 例．リフレッシュの試験 | G11C 11/406,100 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371 | ・・・・メモリシステム | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@A | メモリの試験に関する技術〔バーンイン，エージングを含む〕 | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@B | メモリの監視または診断に関する技術 | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@C | ・エラ－チエツクまたはエラ－訂正 | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@D | ・冗長構成のメモリ | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@E | メモリの初期化，クリアアップ，イニシャライズに関する技術〔フラッシュライト，パワーオンリセットを含む〕 | G11C 11/4072 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@F | 停電またはシステムダウン対策 | G11C 11/4074,100 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@G | ・バツテリバツクアツプトメモリ | G11C 11/4074,150 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@H | 画像用メモリ，例．ラインバツフア，フレ－ムバツフア | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@J | 擬似スタテイツクメモリ，すなわち少なくともオンチツプリフレツシユ機能を備えかつ高々ひとつのチツプイネイブル信号で活性化され，アドレスおよびデ－タピンの配置またはビツト構成がスタテイツクメモリと互換性を有するか，もしくはアドレス遷移検出機能を有するもの | G11C 11/406,350 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@K | パツケ－ジ，端子またはレイアウトに特徴のあるもの | G11C 11/4063 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,371@Z | その他のもの［キャッシュメモリを含む］ | G11C 11/401 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,381 | ・・・・多値記憶 | G11C 11/56,250 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,381@A | 多値記憶のセル | G11C 11/56,250 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,381@B | ・ＢＢＤ | G11C 11/56,250 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,381@C | ・ＣＣＤ | G11C 11/56,250 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,381@D | センス方法 | G11C 11/56,250 | 2017年4月 |
| G11C 11/34,381@Z | その他のもの | G11C 11/56,250 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@A | 消費電力の低減に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@H | チツプからの発熱の低減に関するもの〔消費電力の低減に関するものが優先〕 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@J | ＭＯＳ，バイポ－ラ共通の読出／書込に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@K | ２ポートメモリに関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@L | アドレスの変化を検知して所定の動作〔例えばプリチヤ－ジ〕を行うもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@M | プリチヤ－ジに関するもの〔アドレスの変化を検知して所定の動作を行うものが優先〕 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@U | 高速化に関するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@V | ・セルの物理的配置に起因するアクセスタイムの遅れを改善するもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@W | 初期化に関するもの〔不平衡セルを除く〕 | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/34@Z | その他のもの | G11C 11/34 | 2017年4月 |
| G11C 11/40,101 | ・・・・電荷蓄積型トランジスタを用いるもの | G11C 11/41 | 2017年4月 |
| G11C 11/40,301 | ・・・・ＭＯＳセル | G11C 11/412 | 2017年4月 |
| G11C 11/40,305 | ・・・・バイポ－ラセル | G11C 11/411 | 2017年4月 |
| G11C 11/40@A | 初期化を目的とした不平衡セルに関するもの | G11C 11/412,110 | 2017年4月 |
| G11C 11/40@B | セルの片方だけからデ－タの読出／書込を図るもの | G11C 11/412,120 | 2017年4月 |
| G11C 11/40@C | 誤動作防止に関するもの | G11C 11/412,100 | 2017年4月 |
| G11C 11/40@D | ・α線等によるソフトエラ－の防止に関するもの | G11C 11/412,100 | 2017年4月 |
| G11C 11/40@Z | その他のもの | G11C 11/41 | 2017年4月 |
| G11C 11/42@A | 液晶によるもの | G11C 11/42 | 2017年4月 |
| G11C 11/42@B | 強誘電体によるもの | G11C 11/42 | 2017年4月 |
| G11C 11/42@C | ＥＬ素子によるもの | G11C 11/42 | 2017年4月 |
| G11C 11/42@D | 半導体素子によるもの | G11C 11/42 | 2017年4月 |
| G11C 11/42@Z | その他 | G11C 11/42 | 2017年4月 |
| G11C 11/44@A | ジヨセフソン接合によるもの | G11C 11/44 | 2017年4月 |
| G11C 11/44@Z | その他 | G11C 11/44 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,301 | ・トランジスタを用いるもの | G11C 17/10 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,301@A | 構造・製造法 | G11C 17/10 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,301@Z | その他 | G11C 17/10 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,302 | ・・バイポ－ラトランジスタを用いるもの | G11C 17/10,100 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,303 | ・・・周辺回路 | G11C 17/10,110 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,304 | ・・ＦＥＴを用いるもの | G11C 17/12 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,304@A | 直列回路 | G11C 17/12,100 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,304@B | 並列回路 | G11C 17/12 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,304@Z | その他 | G11C 17/12 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,305 | ・・・三値以上の閾値を有するもの | G11C 11/56,600 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,306 | ・・・周辺回路 | G11C 17/12,150 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,306@A | 並列回路用 | G11C 17/12,150 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,306@B | 直列回路用 | G11C 17/12,160 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,306@Z | その他 | G11C 17/12,150 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,580 | ・光で書込み、読出しを行なうもの | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,580@A | 半導体 | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,580@B | ＣＲＴ・粒子線 | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,580@C | ホログラム | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,580@D | 光ビ－ム | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,580@E | フイルム | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,580@Z | その他のもの | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601 | ・消去可能でプログラム可能なリードオンメモリ（１４／００が優先） | G11C 16/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@A | メモリ管理 | G11C 16/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@B | ・書込み（消去）回数をカウントするもの | G11C 16/34,163 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@C | ・書込み回数の均等化 | G11C 16/34,166 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@D | ・タイミング制御 | G11C 16/32 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@E | ・管理情報の記憶 | G11C 16/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@P | データ保護（読出し書き換え保護） | G11C 16/22 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@Q | 誤動作防止 | G11C 16/22 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@S | 光（紫外線等）による消去 | G11C 16/18 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@T | バッファメモリを持つもの | G11C 16/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@U | 用途 | G11C 16/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,601@Z | その他 | G11C 16/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,611 | ・・データプログラミング | G11C 16/10 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,611@A | 書込みベリファイを行うもの | G11C 16/34,140 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,611@C | 書込み前のデータと比較するもの | G11C 16/10,120 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,611@D | 反転書込み／代表書込みを行うもの | G11C 16/10,130 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,611@E | 書込み時間／書込み電圧制御 | G11C 16/10,140 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,611@F | ディスターブ防止（非選択セルの取り扱い） | G11C 16/34,116 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,611@G | 特殊モードによる書込み | G11C 16/10,150 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,611@Z | その他 | G11C 16/10 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,612 | ・・データ消去 | G11C 16/14 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,612@A | 過消去防止 | G11C 16/14 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,612@B | ・消去ベリファイを行うもの（Ｃ，Ｄが優先） | G11C 16/34,130 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,612@C | ・消去前書込み（プリライト）を行うもの | G11C 16/10,110 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,612@D | ・消去後書込み（書き戻し）を行うもの | G11C 16/34,103 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,612@E | 消去時間／消去電圧制御 | G11C 16/14,100 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,612@F | 消去単位（ワード、バイト、ブロック）に関するもの | G11C 16/16 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,612@Z | その他 | G11C 16/14 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,613 | ・・データ読出し（特殊モードによる読出し） | G11C 16/26,100 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,614 | ・・リフレッシュ／その他の特殊動作 | G11C 16/34,120 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,621 | ・・しきい値が可変なトランジスタを用いるもの、例、ＦＡＭＯＳ | G11C 16/04 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,621@A | 浮遊ゲートを持つＭＯＳＦＥＴを用いるもの、その駆動に関するもの | G11C 16/04,110 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,621@B | ・浮遊ゲートへの電子の注入 | G11C 16/10 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,621@C | ・浮遊ゲートからの電子の抽出 | 2017年4月 | |
| G11C 17/00,621@Z | その他の素子を用いるもの、例、ＭＮＯＳ、強誘電体をゲート絶縁膜にもつもの | G11C 16/04,150 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,622 | ・・・１素子セル（メモリセルに特徴をもつもの） | G11C 16/04 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,622@A | ビット線とソース線との間に並列に接続されるもの（ＮＯＲ型） | G11C 16/04 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,622@C | ・ビット線と平行なソース線を有するもの、例、仮想接地型 | G11C 16/04,180 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,622@E | ビット線とソース線との間に直列に接続されるもの（ＮＡＮＤ型） | G11C 16/04,170 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,622@Z | その他 | G11C 16/04 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,623 | ・・・多素子セル | G11C 16/04,130 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,623@A | １つの記憶素子と１つ以上の選択トランジスタをもつもの | G11C 16/04,130 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,623@B | 書込みトランジスタと保持トランジスタを持つもの | G11C 16/04,140 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,623@Z | その他 | G11C 16/04,140 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,624 | ・・・ダミーセルに関するもの | G11C 16/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,625 | ・・・その他のセル／セルアレイ | G11C 16/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,631 | ・・周辺回路、例、メモリへの書込み用（一般７／００） | G11C 16/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,632 | ・・・電圧供給回路（ワード線、ビット線に付加されたものは、６３３、６３４へ） | G11C 16/30 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,632@A | 高電圧発生回路 | G11C 16/30,100 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,632@B | 負電圧発生回路 | G11C 16/30,110 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,632@C | 電圧調整回路 | G11C 16/30,120 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,632@D | 電圧切換回路 | G11C 16/30 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,632@Z | その他（基準電圧の発生、電圧制限を含む） | G11C 16/30 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,633 | ・・・ワード線駆動回路 | G11C 16/08,110 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,633@A | デコーダ、ワード線の選択 | G11C 16/08,110 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,633@B | 駆動回路（ワード線への読出し電圧の供給） | G11C 16/08,120 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,633@C | ・ベリファイ読出し用 | G11C 16/08,123 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,633@D | 駆動回路（ワード線への書込み電圧の供給） | G11C 16/08,130 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,633@E | 駆動回路（ワード線への消去電圧の供給） | G11C 16/08,140 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,633@Z | その他 | G11C 16/08 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,634 | ・・・ビット線回路／センス回路 | G11C 16/24 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,634@A | ビット線の選択に関するもの | G11C 16/24,100 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,634@B | プリチャージ／ディスチャージ回路 | G11C 16/24,110 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,634@C | センスアンプ回路 | G11C 16/26 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,634@D | ・電流比較型 | G11C 16/26,120 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,634@E | ・リファレンス電圧（電流）に関するもの、例、ダミーセル出力の制御調整 | G11C 16/28 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,634@F | 書込み電圧発生回路 | G11C 16/24,120 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,634@G | ラッチ回路 | G11C 16/24,130 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,634@Z | その他 | G11C 16/24 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,635 | ・・・ソース線回路 | G11C 16/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,636 | ・・・入出力回路 | G11C 16/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,636@A | 入力回路 | G11C 16/10,170 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,636@B | 出力回路 | G11C 16/26,140 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,636@Z | その他 | G11C 16/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,639 | ・・・冗長回路 | G11C 16/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,639@A | 予備行（列）への置換 | G11C 16/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,639@B | 冗長デコーダ、冗長記憶素子 | G11C 16/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,639@C | エラー訂正コードによるもの | G11C 16/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,639@Z | その他 | G11C 16/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/00,641 | ・・多値記憶回路 | G11C 11/56,200 | 2017年4月 |
| G11C 17/00@A | その他の素子 | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00@B | ライタ－ | G11C 16/10,100 | 2017年4月 |
| G11C 17/00@C | 選択・駆動 | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00@D | 試験・チエツク | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00@E | 誤動作対策 | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/00@Z | その他 | G11C 17/00 | 2017年4月 |
| G11C 17/02@A | 公開以後 | G11C 17/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/02@B | コア | G11C 17/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/02@C | 円筒状磁性素子 | G11C 17/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/02@D | ソレノイド | G11C 17/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/02@E | 板状磁性素子 | G11C 17/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/02@F | メタルカ－ド・エデイカ－ド | G11C 17/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/02@G | 変成器 | G11C 17/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/02@Z | その他 | G11C 17/02 | 2017年4月 |
| G11C 17/04@A | 電荷蓄積型 | G11C 17/04 | 2017年4月 |
| G11C 17/04@Z | その他 | G11C 17/04 | 2017年4月 |
| G11C 17/06,301 | ・・接合破壊型 | G11C 17/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/06@A | 電荷蓄積型 | G11C 17/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/06@B | 溶断素子 | G11C 17/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/06@C | 抵抗・ピン | G11C 17/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/06@D | ダイオ－ド | G11C 17/06 | 2017年4月 |
| G11C 17/06@Z | その他 | G11C 17/06 | 2017年4月 |
| G11C 27/00,101 | ・半導体素子を用いるもの | G11C 27/00 | 2017年4月 |
| G11C 27/00,101@A | 不揮発性記憶素子を用いるもの | G11C 27/00,200 | 2017年4月 |
| G11C 27/00,101@Z | その他の素子を用いるもの | G11C 27/00 | 2017年4月 |
| G11C 27/00,102 | ・コンデンサを用いるもの | G11C 27/00 | 2017年4月 |
| G11C 27/00,102@A | 順次走査される複数のコンデンサを用いるもの | G11C 27/00 | 2017年4月 |
| G11C 27/00,102@Z | その他のもの | G11C 27/00 | 2017年4月 |
| G11C 27/00,103 | ・磁気的素子を用いるもの | G11C 27/00 | 2017年4月 |
| G11C 27/00@B | ピークホールド（交流またはパルスのピーク値の測定Ｇ０１Ｒ１９／０４Ｂ） | G11C 27/02,210 | 2017年4月 |
| G11C 27/00@C | 符号化記憶 | G11C 27/00 | 2017年4月 |
| G11C 27/00@Z | その他 | G11C 27/00 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,601 | ・・特定のスイッチング手段、回路形式によるもの | G11C 27/02,220 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,601@C | ・差動トランジスタ対を用いるもの | G11C 27/02,245 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,601@D | ダイオードスイッチを用いるもの | G11C 27/02,230 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,601@N | 負帰還ループをもつ演算増幅器を用いるもの | G11C 27/02,255 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,601@T | トランジスタスイッチを用いるもの | G11C 27/02,240 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,601@Z | その他のもの | G11C 27/02,220 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,602 | ・・機能により特徴付けられるもの | G11C 27/02,310 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,602@A | 入出力特性に関するもの | G11C 27/02,320 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,602@D | スイッチング雑音／オフセットの除去のためのもの | G11C 27/02,330 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,602@E | リーク／ドリフト対策のためのもの | G11C 27/02,340 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,602@F | 高速化のための変形、例．複数のサンプルホールド回路を交互に動作させるもの（６０１が優先） | G11C 27/02,350 | 2017年4月 |
| G11C 27/02,602@Z | その他のもの | G11C 27/02,310 | 2017年4月 |
| G11C 19/00@A | 非シフト型 | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@B | Ｓ／Ｐ，Ｐ／Ｓ変換 | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@C | 双方向シフト | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@D | 可変長型 | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@E | アドレス | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@F | バツフア | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@G | 誤動作対策 | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@H | セツト，リセツト | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@J | 表示 | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@K | クロツク | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@L | 循環型 | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/00@Z | その他 | G11C 19/00 | 2016年4月 |
| G11C 19/02@A | リレ－回路 | G11C 19/02 | 2016年4月 |
| G11C 19/02@Z | その他 | G11C 19/02 | 2016年4月 |
| G11C 19/28@A | バイポ－ラＦＦ回路 | G11C 19/28 | 2016年4月 |
| G11C 19/28@B | ＦＥＴＦＦ回路 | G11C 19/28 | 2016年4月 |
| G11C 19/28@C | バイポ－ラ転送ゲ－ト型 | G11C 19/28 | 2016年4月 |
| G11C 19/28@D | ＦＥＴ転送ゲ－ト型 | G11C 19/28 | 2016年4月 |
| G11C 19/28@E | トンネルダイオ－ド | G11C 19/28 | 2016年4月 |
| G11C 19/28@Z | その他 | G11C 19/28 | 2016年4月 |
| G11C 21/00@A | 光伝送路 | G11C 21/00 | 2016年4月 |
| G11C 21/00@B | 超音波遅延線 | G11C 21/02,100 | 2016年4月 |
| G11C 21/00@C | 磁歪遅延線 | G11C 21/02,110 | 2016年4月 |
| G11C 21/00@Z | その他 | G11C 21/00 | 2016年4月 |
| G11C 13/00,100 | ・可逆的な抵抗変化を起こす素子を用いるもの | G11C 13/00,200 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,110 | ・・メモリ素子 | G11C 13/00,200 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,110@C | 固体電解質を用いるもの，例．ＣＢＲＡＭ（導電性ブリッジングメモリ） | G11C 13/00,230 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,110@P | 相変化材料を用いるもの，例．ＰＲＡＭ（相変化メモリ） | G11C 13/00,210 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,110@R | 遷移金属酸化物を用いるもの，例．ＲｅＲＡＭ | G11C 13/00,215 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,110@Z | その他 | G11C 13/00,200 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,120 | ・・アレイ構造 | G11C 13/00,270@Z | 2014年11月 |
| G11C 13/00,120@A | クロスポイント | G11C 13/00,270@B | 2014年11月 |
| G11C 13/00,120@B | ３次元，例．高さ方向の選択が可能なもの | G11C 13/00,270@A | 2014年11月 |
| G11C 13/00,120@Z | その他 | G11C 13/00,270@Z | 2014年11月 |
| G11C 13/00,140 | ・・読み出し回路またはその制御方法 | G11C 13/00,400@Z | 2014年11月 |
| G11C 13/00,150 | ・・書き込み，消去回路またはその制御方法 | G11C 13/00,480@Z | 2014年11月 |
| G11C 13/00,170 | ・・初期設定，フォーミング処理 | G11C 13/00,480@F | 2014年11月 |
| G11C 13/00,180 | ・・劣化対策 | G11C 13/00,360 | 2014年11月 |
| G11C 13/00,190 | ・・試験・冗長 | G11C 13/00,300 | 2014年11月 |
| G11C 13/04@A | ホトクロミツク | G11C 13/04,200@C | 2014年11月 |
| G11C 13/04@B | 材料・組成 | G11C 13/04 | 2014年11月 |
| G11C 13/04@C | ホログラム | G11C 13/04,200@Z | 2014年11月 |
| G11C 13/04@Z | その他 | G11C 13/04 | 2014年11月 |
| G11C 13/06@A | 材料・組成 | G11C 13/06 | 2014年11月 |
| G11C 13/06@B | 磁気バブル | G11C 13/06 | 2014年11月 |
| G11C 13/06@Z | その他 | G11C 13/06 | 2014年11月 |
| G11C 7/00,301@A | 旧法分 | G11C 7/00,301 | 2012年05月 |
| G11C 7/00,301@B | 公開分 | G11C 7/00,301 | 2012年05月 |
| G11C 7/00,301@Z | その他 | G11C 7/00,301 | 2012年05月 |
| G11C 8/00,301@A | 旧法分 | G11C 8/00,301 | 2012年05月 |
| G11C 8/00,301@B | 公開分 | G11C 8/00,301 | 2012年05月 |
| G11C 8/00,301@Z | その他 | G11C 8/00,301 | 2012年05月 |
| G11C 11/36,101 | ・・・・電荷蓄積型ダイオ－ドを用いるもの | G11C 11/36 | 2012年05月 |
| G11C 13/08 | ・・電気―光学素子を用いるもの（電気―光学装置一般Ｇ０２Ｆ） | G11C 11/42 | 2012年05月 |
| G11C 13/08@A | 強誘電体素子 | G11C 11/42@B | 2012年05月 |
| G11C 13/08@B | ＥＬ素子 | G11C 11/42@C | 2012年05月 |
| G11C 13/08@C | 半導体素子 | G11C 11/42@D | 2012年05月 |
| G11C 13/08@Z | その他 | G11C 11/42@Z | 2012年05月 |
| G11C 13/00@A | 可逆的高低抵抗素子 | G11C 13/00,100 | 2011年05月 |
| G11C 13/00@Z | その他 | G11C 13/00,100 | 2011年05月 |
| FI | 変更後 | 変更前 | 更新時期 |
|---|---|---|---|
| G11C 5/14 | ・電力供給装置［２００６．０１］ | ・電力供給装置（半導体装置を用いる周辺記憶回路Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３，Ｇ１１Ｃ１１／４１９３，一般Ｇ０５Ｆ，Ｈ０２Ｊ，Ｈ０２Ｍ）［５，７］ | 2021年3月 |
| G11C 7/06 | ・センス増幅器；関連回路［２００６．０１］ | ・センス増幅器；関連回路（増幅器それ自体Ｈ０３Ｆ，Ｈ０３Ｋ）［１，７］ | 2021年3月 |
| G11C 7/10 | ・入力／出力（Ｉ／Ｏ）データ・インターフェイス装置，例．Ｉ／Ｏデータ制御回路，Ｉ／Ｏデータバッファ［２００６．０１］ | ・入力／出力（Ｉ／Ｏ）データ・インターフェイス装置，例．Ｉ／Ｏデータ制御回路，Ｉ／Ｏデータバッファ（レベル変換回路一般Ｈ０３Ｋ１９／０１７５）［７］ | 2021年3月 |
| G11C 8/04 | ・順次アドレシング装置を用いるもの，例．シフトレジスタ，カウンタ［２００６．０１］ | ・順次アドレシング装置，例．シフトレジスタ，カウンタを用いるもの（デジタルデータ・フローのスピードを変えるためにＦＩＦＯレジスタを用いるものＧ０６Ｆ５／０６；その順序に作用することによりデジタルデータを処理するためにＬＩＦＯレジスタを使うものＧ０６Ｆ７／００）［５］ | 2021年3月 |
| G11C 8/06 | ・アドレス・インターフェイス装置，例．アドレス・バッファ［２００６．０１］ | ・アドレス・インターフェイス装置，例．アドレス・バッファ（レベル変換回路一般Ｈ０３Ｋ１９／０１７５）［７］ | 2021年3月 |
| G11C 11/08 | ・・多孔記憶素子を用いるもの，例．トランスフラクサを用いるもの；複数個の独立した多孔記憶素子を組み込んだ板状体を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１０が優先）［２００６．０１］ | ・・多孔記憶素子を用いるもの，例．トランスフラクサを用いるもの；複数個の独立した多孔記憶素子を板状体を用いて構成するもの（Ｇ１１Ｃ１１／１０が優先；多孔板を用いるものであってもそれぞれの孔が一つの記憶素子を構成するようになっているものＧ１１Ｃ１１／０６）［２］ | 2021年3月 |
| G11C 11/50 | ・情報を記憶するために電気接点を作動するもの［２００６．０１］ | ・電気接点を作動して情報を記憶するもの（機械的な記憶装置Ｇ１１Ｃ２３／００；操作部分の単一の手動操作によってある選択された数の連続的な接点動作を生じるスイッチＨ０１Ｈ４１／００） | 2021年3月 |
| G11C 11/56 | ・ステップによって表わされる２つまたはそれ以上の数の安定状態をもつ記憶素子を用いるもの，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの［２００６．０１］ | ・ステップによって表わされる３以上の安定状態を有する記憶素子を用いるもの，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの（この型の多安定素子を含む計数装置Ｈ０３Ｋ２５／００，Ｈ０３Ｋ２９／００）［２］ | 2021年3月 |
| G11C 13/02 | ・化学変化によって作動する素子を用いるもの［２００６．０１］ | ・化学変化に基づく素子を用いるもの（電気化学的変化を利用するものＧ１１Ｃ１１／００） | 2021年3月 |
| G11C 13/06 | ・・磁気－光学素子を用いるもの［２００６．０１］ | ・・磁気－光学素子を用いるもの（磁気－光学装置一般Ｇ０２Ｆ）［２］ | 2021年3月 |
| G11C 15/00 | １つまたはそれ以上の特徴的部分からなる情報が書き込まれ，情報の読出しはそれらの１つまたは以上の特徴的部分について探索することによって行なわれるデジタル記憶装置，すなわち連想記憶または内容アドレス記憶装置［２００６．０１］ | １つ以上の特徴表示部分を含む情報が書き込まれ，情報の読出しはそれらの１つ以上の特徴表示部分について探索することによって行なわれるデジタル記憶装置，すなわち連想記憶または内容アドレス記憶装置（情報が特定の位置に番地付けされるものＧ１１Ｃ１１／００）［２］ | 2021年3月 |
| G11C 16/06 | ・・周辺回路，例．メモリへの書込み用［２００６．０１］ | ・・周辺回路，例．メモリへの書込み用（一般Ｇ１１Ｃ７／００）［５］ | 2021年3月 |
| G11C 17/00 | 一度だけプログラム可能な読出し専用メモリ；半永久的記憶装置，例．手動で差替え可能な情報カード［２００６．０１］ | 一度だけプログラム可能なリードオンリメモリ；半永久的記憶装置，例．手でリプレースできる情報カード（消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリＧ１１Ｃ１６／００；符号化，復号化または符号変換一般Ｈ０３Ｍ）［２，５］ | 2021年3月 |
| G11C 17/18 | ・・周辺回路，例．メモリへの書込み用［２００６．０１］ | ・・周辺回路，例．メモリへの書込み用（一般Ｇ１１Ｃ７／００）［５］ | 2021年3月 |
| G11C 19/00 | 情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置、例．シフト・レジスタ［２００６．０１］ | 情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置，例．シフトレジスタ（計数チェーンＨ０３Ｋ２３／００） | 2021年3月 |
| G11C 23/00 | 機械的部分の移動によって記憶を行なわせることを特徴とするデジタル記憶装置，例．ボールを用いるもの；そのための記憶素子［２００６．０１］ | 機械的部分の移動によって記憶を行なわせることを特徴とするデジタル記憶装置，例．ボールを用いるもの；そのための記憶素子（接点の作動によって記憶するものＧ１１Ｃ１１／５０） | 2021年3月 |
| G11C 27/02 | ・抽出・保持装置（Ｇ１１Ｃ２７／０４が優先）［２００６．０１］ | ・抽出・保持装置（Ｇ１１Ｃ２７／０４が優先；電気信号の抽出一般Ｈ０３Ｋ）［２，４］ | 2021年3月 |
| G11C 27/04 | ・シフトレジスタ［２００６．０１］ | ・シフトレジスタ（電荷結合装置それ自体Ｈ０１Ｌ２９／７６）［４］ | 2021年3月 |
| G11C 29/48 | ・・・記憶装置の外部の手段による試験に特に適した静的記憶装置，例．ダイレクトメモリアクセス［ＤＭＡ］を使用するもの，または周辺アクセス経路を使用するもの［２００６．０１］ | ・・・記憶装置の外部の手段による試験に特に適した静的記憶装置にするもの，例．ダイレクトメモリアクセス［ＤＭＡ］を使用するもの，または周辺アクセス経路を使用するもの（外部試験装置Ｇ１１Ｃ２９／５６）［８］ | 2021年3月 |
| G11C 27/02,350 | ・・・・高速化のための変形，例．複数のサンプルホールド回路を交互に動作させるもの（Ｇ１１Ｃ２７／０２，２２０が優先） | ・・・・高速化のための変形、例．複数のサンプルホールド回路を交互に動作させるもの（Ｇ１１Ｃ２７／００，２２０が優先） | 2019年11月 |
| G11C 27/02,350 | ・・・・高速化のための変形，例．複数のサンプルホールド回路を交互に動作させるもの（Ｇ１１Ｃ２７／０２，２２０が優先） | ・・・・高速化のための変形、例．複数のサンプルホールド回路を交互に動作させるもの（Ｇ１１Ｃ２７／００，２２０が優先） | 2019年11月 |
| G11C 27/02,350 | ・・・・高速化のための変形，例．複数のサンプルホールド回路を交互に動作させるもの（Ｇ１１Ｃ２７／０２，２２０が優先） | ・・・・高速化のための変形、例．複数のサンプルホールド回路を交互に動作させるもの（Ｇ１１Ｃ２７／００，２２０が優先） | 2019年11月 |
| G11C 11/406,460 | ・・・・・・リフレッシュを省略するものまたはリフレッシュアドレスの発生に関するもの | ・・・・・・リフレッシュを省略するものまたはリフレツシユアドレスの発生に関するもの | 2018年9月 |
| G11C 11/412,120 | ・・・・・・セルの片方だけからデータの読出または書込を図るもの | ・・・・・・セルの片方だけからデ－タの読出／書込を図るもの | 2018年9月 |
| G11C 11/418,130 | ・・・・・・・・・アドレス・デコーダ回路 | ・・・・・・・・・アドレス・デコ－ダ回路 | 2018年9月 |
| G11C 11/419,120 | ・・・・・・・・プリチャージに関するもの（Ｇ１１Ｃ１１／４１９，１１０が優先） | ・・・・・・・・プリチャージに関するもの（Ｇ１１Ｃ１１／４１９，１１１が優先） | 2018年9月 |
| G11C 11/54 | ・生物細胞，例．ニューロン，をシミュレーションした素子を用いるもの | ・生物細胞，例．神経細胞（ニューロン），をシミュレーションした素子を用いるもの | 2018年9月 |
| G11C 16/04,100 | ・・・フローティングゲートトランジスタを包含するセルで構成されるもの（Ｇ１１Ｃ１６／０４，１７０，Ｇ１１Ｃ１６／０４，１８０が優先） | ・・・フローティングゲートトランジスタを包含するセルで構成されるもの（Ｇ１１Ｃ１６／０４，３００，Ｇ１１Ｃ１６／０４，４００が優先） | 2018年9月 |
| G11C 16/04,150 | ・・・絶縁層に電荷を蓄積するセルで構成されるもの，例．ＭＮＯＳ，ＳＮＯＳ（Ｇ１１Ｃ１６／０４，１７０，Ｇ１１Ｃ１６／０４，１８０が優先） | ・・・絶縁層に電荷を蓄積するセルで構成されるもの，例．ＭＮＯＳ，ＳＮＯＳ（Ｇ１１Ｃ１６／０４，３００，Ｇ１１Ｃ１６／０４，４０１が優先） | 2018年9月 |
| G11C 29/00 | 正確な動作のための記憶装置のチェック；スタンバイまたはオフライン動作中の記憶装置のテスト［１，８］ | 正確な動作のための記憶装置のチェック | 2018年4月 |
| G11C 5/00 | Ｇ１１Ｃ１１／００に分類される記憶装置の細部 | １１／００に分類される記憶装置の細部 | 2017年4月 |
| G11C 7/00 | デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構（Ｇ１１Ｃ５／００が優先；半導体装置を用いた記憶のための周辺記憶回路Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３，Ｇ１１Ｃ１１／４１９３）［２，５］ | デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構（５／００が優先；トランジスタを用いる記憶装置のためのもの１１／４０７，１１／４１３）「２」「５」 | 2017年4月 |
| G11C 7/06 | ・センス増幅器；関連回路（増幅器それ自体Ｈ０３Ｆ，Ｈ０３Ｋ）［１，７］ | ・増幅器の適合化（増幅器それ自体Ｈ０３Ｆ，Ｋ） | 2017年4月 |
| G11C 8/00 | デジタル記憶装置のアドレスを選択する機構（Ｇ１１Ｃ１１／００～Ｇ１１Ｃ１７／００が優先；半導体装置を用いた記憶装置のための回路Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３，Ｇ１１Ｃ１１／４１９３）［２，５］ | デジタル記憶装置のアドレスを選択する機構（１１／００～１７／００が優先；トランジスタを用いる記憶装置のためのもの１１／４０７，１１／４１３）「２」「５」 | 2017年4月 |
| G11C 8/02 | ・選択マトリックスを用いるもの［２］ | ・選択マトリックスを用いるもの「２」 | 2017年4月 |
| G11C 8/04 | ・順次アドレシング装置，例．シフトレジスタ，カウンタを用いるもの（デジタルデータ・フローのスピードを変えるためにＦＩＦＯレジスタを用いるものＧ０６Ｆ５／０６；その順序に作用することによりデジタルデータを処理するためにＬＩＦＯレジスタを使うものＧ０６Ｆ７／００）［５］ | ・順次アドレシング装置，例．シフトレジスタ，カウンタ，を用いるもの「５」 | 2017年4月 |
| G11C 11/00 | 特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置；そのための記憶素子（Ｇ１１Ｃ１４／００～Ｇ１１Ｃ２１／００が優先）［５］ | 特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置；そのための記憶素子（１５／００～２１／００が優先） | 2017年4月 |
| G11C 11/04 | ・・シリンダ状の記憶素子，例．ロッド，ワイヤを用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１２，Ｇ１１Ｃ１１／１４が優先）［２］ | ・・シリンダ状の記憶素子，例．ロッド，ワイヤを用いるもの（１１／１２，１１／１４が優先） | 2017年4月 |
| G11C 11/061 | ・・・１素子で１ビットを記憶し，破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの［２］ | ・・・１素子で１ビットを記憶し，破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/063 | ・・・・２Ｌ／２Ｄ，３Ｄオーガニゼイションのようにビットが組織化されたもの，すなわち書込みと読出しにあたり少なくとも２つの一致した局部電流により１つの記憶素子を選択するために組織化されたもの［２］ | ・・・・２Ｌ／２Ｄ，３Ｄオーガニゼイションのようにビットが組織化されたもの，すなわち書込みと読出しにあたり少なくとも２つの一致した局部電流により１つの記憶素子を選択するために組織化されたもの | 2017年4月 |
| G11C 11/065 | ・・・・２Ｄオーガニゼイションまたはリニヤ選択のようにワードが組織化されたもの，すなわち単独の十分な読出し電流により１ワード分の全記憶素子を選択するために組織化されたもの［２］ | ・・・・２Ｄオーガニゼイションまたはリニヤ選択のようにワードが組織化されたもの，すなわち単独の十分な読出し電流により１ワード分の全記憶素子を選択するために組織化されたもの | 2017年4月 |
| G11C 11/067 | ・・・１素子で１ビットを記憶し，非破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの［２］ | ・・・１素子で１ビットを記憶し，非破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/08 | ・・多孔記憶素子を用いるもの，例．トランスフラクサを用いるもの；複数個の独立した多孔記憶素子を板状体を用いて構成するもの（Ｇ１１Ｃ１１／１０が優先；多孔板を用いるものであってもそれぞれの孔が一つの記憶素子を構成するようになっているものＧ１１Ｃ１１／０６）［２］ | ・・多孔記憶素子を用いるもの，例．トランスフラクサを用いるもの；複数個の独立した多孔記憶素子を板状体を用いて構成するもの（１１／１０が優先；多孔板を用いるもであってもそれぞれの孔が一つの記憶素子を構成するようになっているもの１１／０６） | 2017年4月 |
| G11C 11/15 | ・・・多層の磁性層を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１５５が優先）［２］ | ・・・多層の磁性層を用いるもの（１１／１５５が優先） | 2017年4月 |
| G11C 11/155 | ・・・シリンダー状の形状を有するもの［２］ | ・・・シリンダー状の形状を有するもの | 2017年4月 |
| G11C 11/19 | ・共振回路における非線形誘導素子を用いるもの［２］ | ・共振回路における非線形誘導素子を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/20 | ・・パラメトロンを用いるもの［２］ | ・・パラメトロンを用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/21 | ・電気的素子を用いるもの［２］ | ・電気的素子を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/22 | ・・強誘電体素子を用いるもの［２］ | ・・強誘電体素子を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/23 | ・・１つの共通層上の静電記憶を用いるもの，例．フォレスターハエフ管（Ｇ１１Ｃ１１／２２が優先）［２］ | ・・１つの共通層上の静電記憶を用いるもの，例．フォレスターハエフ管（１１／２２が優先） | 2017年4月 |
| G11C 11/24 | ・・キャパシタを用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／２２が優先；半導体装置とキャパシタの組合せを用いるものＧ１１Ｃ１１／３４，例．Ｇ１１Ｃ１１／４０）［２，５］ | ・・キャパシタを用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/26 | ・・放電管を用いるもの［２］ | ・・放電管を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/28 | ・・・ガス入り管を用いるもの［２］ | ・・・ガス入り管を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/30 | ・・・真空管を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／２３が優先）［２］ | ・・・真空管を用いるもの（１１／２３が優先） | 2017年4月 |
| G11C 11/34 | ・・半導体装置を用いるもの［２］ | ・・半導体装置を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/36 | ・・・ダイオードを用いるもの，例．閾値素子として用いるもの［２］ | ・・・ダイオードを用いるもの，例．閾値素子として用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/38 | ・・・・トンネルダイオードを用いるもの［２］ | ・・・・トンネルダイオードを用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/40 | ・・・トランジスタを用いるもの［２］ | ・・・トランジスタを用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/42 | ・・オプト－エレクトロニクス装置，すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光－電気装置を用いるもの | ・・電気一光学素子を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/44 | ・・超電導素子，例．クライオトロン，を用いるもの［２］ | ・・超電導素子，例．クライオトロン，を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/50 | ・電気接点を作動して情報を記憶するもの（機械的な記憶装置Ｇ１１Ｃ２３／００；操作部分の単一の手動操作によってある選択された数の連続的な接点動作を生じるスイッチＨ０１Ｈ４１／００） | ・電気接点を作動して情報を記憶するもの（機械的な記憶装置２３／００；動作部分の単一手作動によってある選択された数の連続的な接点動作を生じるスイッチＨ０１Ｈ４１／００） | 2017年4月 |
| G11C 11/54 | ・生物細胞，例．神経細胞（ニューロン），をシミュレーションした素子を用いるもの | ・生物細胞，例．神経細胞（ニューロン），をシュミュレーションした素子を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 11/56 | ・ステップによって表わされる３以上の安定状態を有する記憶素子を用いるもの，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの（この型の多安定素子を含む計数装置Ｈ０３Ｋ２５／００，Ｈ０３Ｋ２９／００）［２］ | ・ステップによって表わされる３以上の安定状態を有する記憶素子，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの（この型の多安定素子を含む計数装置Ｈ０３Ｋ２５／００，２９／００） | 2017年4月 |
| G11C 17/00 | 一度だけプログラム可能なリードオンリメモリ；半永久的記憶装置，例．手でリプレースできる情報カード（消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリＧ１１Ｃ１６／００；符号化，復号化または符号変換一般Ｈ０３Ｍ）［２，５］ | 情報読出し手段のみを有する永久的記憶装置，すなわちリードオンリーメモリ；半永久的記憶装置，例．手でリプレースできる情報カード（符号化，復号化または符号変換一般Ｈ０３Ｍ） | 2017年4月 |
| G11C 17/02 | ・磁気的または誘導的素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［２，５］ | ・磁気的もしくは誘導的素子または結合を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 17/04 | ・容量的素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／０６，Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［２，５］ | ・容量的素子または結合を用いるもの（１７／０６が優先） | 2017年4月 |
| G11C 17/06 | ・ダイオード素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［２，５］ | ・ダイオード素子または結合を用いるもの | 2017年4月 |
| G11C 27/04,101@A | 構造；製造法 | 構造・製造法 | 2017年4月 |
| G11C 19/02 | ・磁気素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／１４が優先）［２］ | ・磁気素子を用いるもの（１９／１４が優先）「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/04 | ・・１つの孔または磁気ループを有するコアを用いるもの［２］ | ・・１つの孔または磁気ループを有するコアを用いるもの「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/06 | ・・多数の孔または磁気ループを有する構造を用いるもの，例．トランスフラクサ［２］ | ・・多数の孔または磁気ループを有する構造を用いるもの，例．トランスフラクサ「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/08 | ・・平板薄膜構造を用いるもの［２］ | ・・平板薄膜構造を用いるもの「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/10 | ・・ロッド上の薄膜を用いるもの；ツイスタによるもの［２］ | ・・ロッド上の薄膜を用いるもの；ツイスタによるもの「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/12 | ・共振回路中の非線型誘導素子を用いるもの［２］ | ・共振回路中の非線型誘導素子を用いるもの「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/14 | ・能動素子，例．放電管，半導体素子，と結合した磁気素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／３４が優先）［２，７］ | ・能動素子，例．放電管，半導体素子，と結合した磁気素子を用いるもの「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/18 | ・ステージの主素子としてキャパシタを用いるもの［２］ | ・ステージの主素子としてキャパシタを用いるもの「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/20 | ・放電管を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／１４が優先）［２］ | ・放電管を用いるもの（１９／１４が優先）「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/28 | ・半導体素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／１４，Ｇ１１Ｃ１９／３６が優先）［２，７］ | ・半導体素子を用いるもの（１９／１４が優先）「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/30 | ・オプト―エレクトロニクス装置，すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光―電気装置を用いるもの［２］ | ・オプト―エレクトロニクス装置，すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光―電気装置を用いるもの「２」 | 2016年4月 |
| G11C 19/32 | ・超電導素子を用いるもの［２］ | ・超電導素子を用いるもの「２」 | 2016年4月 |
| G11C 5/14 | ・電力供給装置（半導体装置を用いる周辺記憶回路Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３，Ｇ１１Ｃ１１／４１９３，一般Ｇ０５Ｆ，Ｈ０２Ｊ，Ｈ０２Ｍ）［５，７］ | ・電力供給装置（半導体装置を用いる周辺記憶回路１１／４０６３，１１／４１３，１１／４１９３，一般Ｇ０５Ｆ，Ｈ０２Ｊ，Ｈ０２Ｍ）［５，７］ | 2013年11月 |
| G11C 13/00 | Ｇ１１Ｃ１１／００，Ｇ１１Ｃ２３／００，またはＧ１１Ｃ２５／００に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置 | １１／００，２３／００，または２５／００に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置 | 2013年11月 |
| G11C 13/02 | ・化学変化に基づく素子を用いるもの（電気化学的変化を利用するものＧ１１Ｃ１１／００） | ・化学変化に基づく素子を用いるもの（電気化学的変化を利用するもの１１／００） | 2013年11月 |
| G11C 15/00 | １つ以上の特徴表示部分を含む情報が書き込まれ，情報の読出しはそれらの１つ以上の特徴表示部分について探索することによって行なわれるデジタル記憶装置，すなわち連想記憶または内容アドレス記憶装置（情報が特定の位置に番地付けされるものＧ１１Ｃ１１／００）［２］ | １つ以上の特徴表示部分を含む情報が書き込まれ，情報の読出しはそれらの１つ以上の特徴表示部分について探索することによって行なわれるデジタル記憶装置，すなわち連想記憶または内容アドレス記憶装置（情報が特定の位置に番地付けされるもの１１／００）［２］ | 2013年11月 |
| G11C 21/00 | 情報が循環する形式のデジタル記憶装置（ステップ形式のものＧ１１Ｃ１９／００） | 情報が循環する形式のデジタル記憶装置（ステップ形式のもの１９／００） | 2013年11月 |
| G11C 23/00 | 機械的部分の移動によって記憶を行なわせることを特徴とするデジタル記憶装置，例．ボールを用いるもの；そのための記憶素子（接点の作動によって記憶するものＧ１１Ｃ１１／５０） | 機械的部分の移動によって記憶を行なわせることを特徴とするデジタル記憶装置，例．ボールを用いるもの；そのための記憶素子（接点の作動によって記憶するもの１１／５０） | 2013年11月 |
| G11C 27/02 | ・抽出・保持装置（Ｇ１１Ｃ２７／０４が優先；電気信号の抽出一般Ｈ０３Ｋ）［２，４］ | ・抽出・保持装置（２７／０４が優先；電気信号の抽出一般Ｈ０３Ｋ）［２，４］ | 2013年11月 |