| FI | タイトル | 付与開始時期 |
|---|---|---|
| G03F 1/20 | ・荷電粒子線［ＣＰＢ］の放射，例．電子線，によって画像化するためのマスク又はマスクブランク；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/22 | ・１００ｎｍ以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク，例．Ｘ線マスク，極端紫外［ＥＵＶ］マスク；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/24 | ・・反射マスク；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/26 | ・位相シフトマスク［ＰＳＭ］；ＰＳＭブランク；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/28 | ・・同一のＰＳＭ上に３種以上の位相；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/29 | ・・リムＰＳＭ又はアウトリガーＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/30 | ・・交互ＰＳＭ，例．渋谷・レベンソンＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/32 | ・・減衰ＰＳＭ［ａｔｔ－ＰＳＭ］，例．ハーフトーンＰＳＭ又は半透明な位相シフト部を有するＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/34 | ・・フェーズ・エッジＰＳＭ，例．クロムレスＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/36 | ・近接効果補正に特徴を有するマスク；その準備，例．光近接効果補正［ＯＰＣ］デザインプロセス［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/38 | ・補助的な特徴を有するマスク，例．特別なコーティング又はアライメント若しくは試験のためのマーク；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/40 | ・・静電放電［ＥＳＤ］に関連する特徴，例．帯電防止コーティング又はマスク基板の周囲の導電性金属層［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/42 | ・・アライメント又は重ね合わせ（レジストレーション）の特徴，例．マスク基板上のアライメントマーク［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/44 | ・・試験又は測定の特徴，例．格子パターン，フォーカスモニター，のこぎり歯状スケール又はノッチ状スケール［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/46 | ・・反射防止コーティング［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/48 | ・・保護コーティング［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/50 | ・グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／２６に包含されないマスクブランク；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/52 | ・反射材［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/54 | ・吸収材，例．不透明な材料［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/56 | ・・有機的な吸収材，例．フォトレジスト［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/58 | ・・２つ以上の異なる吸収材層，例．積層された複数層の吸収材［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/60 | ・基板［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/62 | ・ペリクル又はペリクル構造体，例．支持フレーム上に薄膜を備えるもの；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/64 | ・・そのフレームに特徴のあるもの，例．その構造又は材料［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/66 | ・容器，特にマスク，マスクブランク又はペリクルに適合するもの；その準備［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/68 | ・グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／５０に包含されない準備プロセス［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/70 | ・・マスクの基本的レイアウト又はデザインをリソグラフィプロセスの要求に適合させること，例．画像化のためのマスクパターンの再修正［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/72 | ・・マスク欠陥の修理又は修正［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/74 | ・・・荷電粒子線［ＣＰＢ］，例．集束イオンビーム，によるもの［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/76 | ・・画像化によるマスクのパターン形成［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/78 | ・・・荷電粒子線［ＣＰＢ］，例．電子線，によるもの［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/80 | ・・エッチング［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/82 | ・・補助的なプロセス，例．クリーニング［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/84 | ・・・検査［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/86 | ・・・・荷電粒子線［ＣＰＢ］によるもの［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/88 | ・レリーフ状原稿作成のために写真プロセスによって準備されたもの［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/90 | ・モンタージュプロセスによって準備されたもの［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/92 | ・印刷表面から準備されたもの［２０１２．０１］ | 2012年05月 |
| G03F 1/92@A | 手工によるもの | 2012年05月 |
| G03F 1/92@B | ・感圧材料の利用 | 2012年05月 |
| G03F 1/92@C | ・感熱材料の利用 | 2012年05月 |
| G03F 1/92@D | ・レイアウトテーブル | 2012年05月 |
| G03F 1/92@E | ・貼り込み用具 | 2012年05月 |
| G03F 1/92@F | ・レイアウトシート | 2012年05月 |
| G03F 1/92@G | ・貼り込み用素材 | 2012年05月 |
| G03F 1/92@H | ・マスキングフィルム | 2012年05月 |
| G03F 1/92@Z | その他 | 2012年05月 |
| FI | タイトル | 移行先 | 廃止時期 |
|---|---|---|---|
| G03F 1/02 | ・レリーフ状原稿作成に写真方法を用いるもの | G03F 1/88 | 2012年05月 |
| G03F 1/04 | ・モンタージュ手法によるもの | G03F 1/90 | 2012年05月 |
| G03F 1/06 | ・印刷表面からのもの［５］ | G03F 1/92 | 2012年05月 |
| G03F 1/06@A | 手工によるもの | G03F 1/92@A | 2012年05月 |
| G03F 1/06@B | ・感圧材料の利用 | G03F 1/92@B | 2012年05月 |
| G03F 1/06@C | ・感熱材料の利用 | G03F 1/92@C | 2012年05月 |
| G03F 1/06@D | ・レイアウトテ－ブル | G03F 1/92@D | 2012年05月 |
| G03F 1/06@E | ・貼り込み用具 | G03F 1/92@E | 2012年05月 |
| G03F 1/06@F | ・レイアウトシ－ト | G03F 1/92@F | 2012年05月 |
| G03F 1/06@G | ・貼り込み用素材 | G03F 1/92@G | 2012年05月 |
| G03F 1/06@H | ・マスキングフイルム | G03F 1/92@H | 2012年05月 |
| G03F 1/06@Z | その他 | G03F 1/92@Z | 2012年05月 |
| G03F 1/08 | ・原稿が無機画像層をもつもの，例．クロムマスク（１／１２が優先）［５］ | G03F 1/68 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@A | パタ－ンの作成方法 | G03F 1/68 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@B | 露光方法に特徴 | G03F 1/76 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@C | ・露光機 | G03F 1/76 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@D | パタ－ンの配列 | G03F 1/70 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@G | 遮光膜に特徴 | G03F 1/54 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@H | ・カルコゲン | G03F 1/54 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@J | ・感光性遮光膜 | G03F 1/56 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@K | ・複層遮光膜 | G03F 1/58 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@L | 遮光膜の製法 | G03F 1/54 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@M | マ－ク | G03F 1/38 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@N | ・位置合せ用 | G03F 1/42 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@P | ・解像度用 | G03F 1/44 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@R | ・識別用 | G03F 1/38 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@S | 原稿の検査 | G03F 1/84 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@T | 原稿の修正 | G03F 1/72 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@V | ・黒点欠陥 | G03F 1/72 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@W | ・白点欠陥 | G03F 1/72 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@X | 洗浄 | G03F 1/82 | 2012年05月 |
| G03F 1/08@Z | その他 | G03F 1/68 | 2012年05月 |
| G03F 1/10 | ・着色した有機層を露光および洗い落すことによるもの；高分子パターンを着色することによるもの［５］ | G03F 1/56 | 2012年05月 |
| G03F 1/12 | ・ハロゲン化銀を含む感光材料またはジアゾタイプ感光材料を露光することによるもの［５］ | G03F 1/56 | 2012年05月 |
| G03F 1/14 | ・構造の細部に特徴のある原稿，例．支持体，被覆層，ペリクル枠［５］ | G03F 1/50 | 2012年05月 |
| G03F 1/14@A | 支持体 | G03F 1/60 | 2012年05月 |
| G03F 1/14@B | ・支持体の材質 | G03F 1/60 | 2012年05月 |
| G03F 1/14@E | 保護膜 | G03F 1/48 | 2012年05月 |
| G03F 1/14@F | 反射防止膜 | G03F 1/46 | 2012年05月 |
| G03F 1/14@G | 導電膜 | G03F 1/40 | 2012年05月 |
| G03F 1/14@J | ペリクル | G03F 1/62 | 2012年05月 |
| G03F 1/14@K | ・ペリクル枠 | G03F 1/64 | 2012年05月 |
| G03F 1/14@M | マスクホルダ－，カセツト | G03F 1/66 | 2012年05月 |
| G03F 1/14@Z | その他 | G03F 1/50 | 2012年05月 |
| G03F 1/16 | ・原稿が開孔をもつもの，例．粒子線リソグラフィー用［５］ | G03F 1/68 | 2012年05月 |
| G03F 1/16@A | Ｘ線用 | G03F 1/22 | 2012年05月 |
| G03F 1/16@B | 光電子用 | G03F 1/20 | 2012年05月 |
| G03F 1/16@E | パタ－ン作成 | G03F 1/68 | 2012年05月 |
| G03F 1/16@F | 原稿の検査 | G03F 1/84 | 2012年05月 |
| G03F 1/16@G | 原稿の修正 | G03F 1/72 | 2012年05月 |
| G03F 1/16@Z | その他 | G03F 1/68 | 2012年05月 |
| FI | 変更後 | 変更前 | 更新時期 |
|---|---|---|---|
| G03F 7/004 | ・感光材料（Ｇ０３Ｆ７／１２，Ｇ０３Ｆ７／１４が優先）［５］ | ・感光材料（７／１２，７／１４が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/008 | ・・アジド（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］ | ・・アジド（７／０７５が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/016 | ・・ジアゾニウム塩又は化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］ | ・・ジアゾニウム塩又は化合物（７／０７５が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/022 | ・・キノンジアジド（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］ | ・・キノンジアジド（７／０７５が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/025 | ・・炭素－炭素三重結合を有する非高分子光重合性化合物，例．アセチレン化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］ | ・・炭素－炭素三重結合を有する非高分子光重合性化合物，例．アセチレン化合物（７／０７５が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/027 | ・・炭素－炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物，例．エチレン化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］ | ・・炭素－炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物，例．エチレン化合物（７／０７５が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/031 | ・・・・グループＧ０３Ｆ７／０２９に包含されない有機化合物［５］ | ・・・・グループ７／０２９に包含されない有機化合物［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/038 | ・・不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先；高分子アジドＧ０３Ｆ７／０１２；高分子ジアゾニウム化合物Ｇ０３Ｆ７／０２１）［５］ | ・・不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物（７／０７５が優先；高分子アジド７／０１２；高分子ジアゾニウム化合物７／０２１）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/039 | ・・光分解可能な高分子化合物，例．ポジ型電子レジスト（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先；高分子キノンジアジドＧ０３Ｆ７／０２３）［５］ | ・・光分解可能な高分子化合物，例．ポジ型電子レジスト（７／０７５が優先；高分子キノンジアジド７／０２３）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/04 | ・・クロム酸塩（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］ | ・・クロム酸塩（７／０７５が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/06 | ・・銀塩（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］ | ・・銀塩（７／０７５が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/085 | ・・接着促進非高分子添加剤に特徴のある感光組成物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］ | ・・接着促進非高分子添加剤に特徴のある感光組成物（７／０７５が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/095 | ・・・２つ以上の感光層をもつもの（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］ | ・・・２つ以上の感光層をもつもの（７／０７５が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/207 | ・・焦点調節手段，例．自動焦点調節手段（位置合わせと焦点調節との組合わせＧ０３Ｆ９／０２；投影焼付装置の自動焦点調節手段Ｇ０３Ｂ２７／３４；焦点調節信号の自動発生のためのシステム一般Ｇ０２Ｂ７／２８）［４］ | ・・焦点調節手段，例．自動焦点調節手段（位置合わせと焦点調節との組合わせ９／０２；投影焼付装置の自動焦点調節手段Ｇ０３Ｂ２７／３４；焦点調節信号の自動発生のためのシステム一般Ｇ０２Ｂ７／２８）［４］ | 2013年11月 |
| G03F 7/213 | ・・同一表面の異なる位置を同一パターンで同時に露光するもの（Ｇ０３Ｆ７／２０７が優先）［４］ | ・・同一表面の異なる位置を同一パターンで同時に露光するもの（７／２０７が優先）［４］ | 2013年11月 |
| G03F 7/22 | ・・同一表面の異なる位置を同一パターンで逐次露光するもの（Ｇ０３Ｆ７／２０７が優先）［４］ | ・・同一表面の異なる位置を同一パターンで逐次露光するもの（７／２０７が優先）［４］ | 2013年11月 |
| G03F 7/26 | ・感光材料の処理；そのための装置（Ｇ０３Ｆ７／１２～Ｇ０３Ｆ７／２４が優先）［３，５］ | ・感光材料の処理；そのための装置（７／１２～７／２４が優先）［３，５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/28 | ・・粉体画像を得るためのもの（Ｇ０３Ｆ３／１０が優先）［５］ | ・・粉体画像を得るためのもの（３／１０が優先）［５］ | 2013年11月 |
| G03F 7/36 | ・・グループＧ０３Ｆ７／３０～Ｇ０３Ｆ７／３４に包含されない画像様除去，例．ガス流を用いるもの，プラズマを用いるもの［５］ | ・・グループ７／３０～７／３４に包含されない画像様除去，例．ガス流を用いるもの，プラズマを用いるもの［５］ | 2013年11月 |
| G03F 9/00 | 原稿，マスク，フレーム，写真シート，表面構造または模様が作成された表面，の位置決めまたは位置合わせ，例．自動的なもの（Ｇ０３Ｆ７／２２が優先；写真マスクの製造Ｇ０３Ｆ１／００；複製用写真焼付装置用のものＧ０３Ｂ２７／００）［４］ | 原稿，マスク，フレーム，写真シート，表面構造または模様が作成された表面，の位置決めまたは位置合わせ，例．自動的なもの（７／２２が優先；写真マスクの製造１／００；複製用写真焼付装置用のものＧ０３Ｂ２７／００）［４］ | 2013年11月 |
| G03F 1/00 | フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿，例．マスク，フォトマスク又はレチクル；そのためのマスクブランク又はペリクル；特にそれに適合した容器；その準備［３，２０１２．０１］ | フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿の作成（写真製版法一般７／００）［３］ | 2012年05月 |
| G03F 7/00,501 | ・印刷版又はその作成法 | ・印刷版及びその作成法 | 2012年05月 |
| G03F 7/037,501 | ・・・・・ポリイミド又はその前駆体（７／０２７，５１４が優先） | ・・・・・ポリイミド及びその前駆体（７／０２７，５１４が優先） | 2012年05月 |
| G03F 7/037,504 | ・・・ポリイミド又はその前駆体 | ・・・ポリイミド及びその前駆体 | 2012年05月 |
| G03F 7/40,511 | ・・・画像の修正又は修正剤 | ・・・画像の修正及び修正剤 | 2012年05月 |